实施使两个主表面上的加工余量为0.1 ym以上且0.5 μπι以下的抛光处理。通过将在经过了化学强化工序后残留在玻璃基板I的主表面上的附着物除去，由此可以减少在使用玻璃基板I制造出的磁盘上发生磁头碰撞的情况。通过将抛光处理的两个主表面上的加工余量设定为0.1 μ m以上且0.5 μ m以下，由此，不会在表面上出现因化学强化处理而发生的应力不均匀性。本实施方式中的玻璃基板的制造方法如以上这样构成。
[0074]也可以在第I抛光工序(粗研磨)与第2抛光工序(精密研磨)之间实施化学强化工序。
[0075](清洗工序)
[0076]接下来，对玻璃基板进行清洗(步骤S50)。利用清洗剂、纯水、臭氧、IPA(异丙醇)、或UV(ultrav1let)臭氧等对玻璃基板I的两个主表面进行清洗，由此，附着在玻璃基板I的两个主表面上的附着物被除去。
[0077]然后，利用光学式缺陷检查装置等检查玻璃基板I的表面上的附着物的数量。
[0078](磁性薄膜形成工序)
[0079]对完成了化学强化处理后的玻璃基板(相当于图1所示的玻璃基板I)的两个主表面(或任一个主表面)形成磁性膜，由此形成磁性薄膜层2。磁性薄膜层2是通过如下方式形成的:使由Cr合金构成的紧密贴合层、由CoFeZr合金构成的软磁性层、由Ru构成的配向控制基底层、由CoCrPt合金构成的垂直磁性记录层、由C系构成的保护层和由F系构成的润滑层依次成膜。通过形成磁性薄膜层2，能够得到与图2所示的磁盘10相当的垂直磁性记录盘。
[0080]本实施方式中的磁盘是由磁性薄膜层构成的垂直磁盘的一个例子。磁盘也可以由磁性层等构成为所谓的面内磁盘。
[0081](第2抛光工序S33)
[0082]此处，参照图5至图7，对第2抛光工序S33的详细内容进行说明。图5是示出第2抛光工序S33的细节的流程图，图6是【背景技术】中的下侧研磨垫410的放大纵剖视图，图7是实施方式中的下侧研磨垫410的放大纵剖视图。以下，主要说明下侧研磨垫和下侧平台，关于上侧研磨垫和上侧平台也同样。
[0083]参照图5，第2抛光工序S33具有:载具配置工序(S331)、玻璃基板配置工序(S332)、研磨工序(S333)、玻璃基板取出工序(S334)、以及载具取出工序(S335)。
[0084]在这各个工序中，在玻璃基板取出工序(S334)中，玻璃基板I向下侧研磨垫410的吸附成为问题。这是因为，如图6所示，在【背景技术】中，下侧研磨垫41使用了独立发泡结构的研磨垫，该独立发泡结构的研磨垫的各个发泡孔410h相对于相邻的发泡孔410h独立，或者，与相邻的发泡孔410h连通的情况非常少。
[0085]因此，在研磨工序(S333)中，玻璃基板I在被夹在上侧研磨垫310和下侧研磨垫410之间的状态下被按压，因此，产生了上侧研磨垫310和下侧研磨垫410 (尤其是位于下侧的下侧研磨垫410)牢固吸附在玻璃基板I上的现象(图中箭头S2所示的吸附力)。
[0086]另一方面，图7示出本实施方式中的下侧研磨垫410的放大图。在本实施方式的下侧研磨垫410中不使用独立发泡结构，而是使用具有连续发泡结构的研磨垫。因此，在该下侧研磨垫410中形成有连通相邻的发泡孔410h的连通孔410c。作为具体的材料可举出利用湿式凝固法形成的、以发泡聚氨酯为原材料的绒面革垫。
[0087]由此，通过在下侧研磨垫410中使用连续发泡结构，由此在相邻的发泡孔410h之间产生浆料流和空气流(图7中的左右方向的箭头)，因此，能够降低下侧研磨垫410对玻璃基板I的吸附力(图7中的箭头SI所示的吸附力)。
[0088]此处，在处于向下侧研磨垫410供给了浆料的状态的研磨工序(S333)中，下侧研磨垫410对玻璃基板I的吸附力优选在0.50g/cm2以上且15g/cm2。
[0089]这是因为当吸附力小于0.50g/cm2时，玻璃基板I与研磨垫之间的滑动增大，无法期待研磨垫对玻璃基板I的表面的研磨。因为当吸附力超过15g/cm2时，在从下侧研磨垫410取出玻璃基板I时施加的力变得过大(吸附力过大)。
[0090]下侧研磨垫410在沿着下平台400的法线方向的下侧研磨垫410的纵截面(图7所示的截面)中，截面积S为0.0lmm2以上的连通孔410c以在纵截面中每25mm 230个以上的密度存在为佳。由此，能够将下侧研磨垫410对玻璃基板I的吸附力设定在上述范围。
[0091]优选的是，在下侧研磨垫410的纵截面中，截面积S为0.0lmm2以上的连通孔410c以在纵截面中每25mm280个以上的密度存在。由此，能够将下侧研磨垫410对玻璃基板I的吸附力设定在更优选的范围。
[0092]在玻璃基板取出工序(S334)中，优选在保持下侧研磨垫410含有浆料的状态下从下平台400取出研磨后的玻璃基板I。在【背景技术】中，在研磨工序(S333)之后实施了用于冲洗浆料的清洗。但是发现了:通过实施该清洗，下侧研磨垫410对玻璃基板I的吸附力提高。在实施方式中，在玻璃基板取出工序(S334)之后，实施了玻璃基板I以及下侧研磨垫410的清洗。
[0093]进而，玻璃基板取出工序(S334)中的浆料的浓度优选为双面研磨装置2000进行的研磨工序(S333)中的浓度的1.5倍以上。由此，进而，能够降低玻璃基板取出工序(S334)中的下侧研磨垫410对玻璃基板I的吸附力。具体而言，可以在玻璃基板取出工序(S334)中，追加新的浆料。
[0094](实施例)
[0095]以下，参照图8说明基于本实施方式的实施例。图8是示出实施例1至实施例5以及比较例I至比较例3中的缺陷检查结果以及读写试验结果的图。在实施例1至实施例5以及比较例I至比较例3中，至第I抛光工序(S31)为止，全部采用图3所示的工序。
[0096]第2抛光工序(S33)的研磨工序(S333)中使用的浆料的浓度全部设为15wt%。在玻璃基板取出工序(S334)中，将使用的研磨垫(上侧研磨垫310和下侧研磨垫410)、研磨工序(S333)结束后的浆料状态划分成图8的8个条件(实施例1至实施例5以及比较例I至比较例3)进行了实施。
[0097]在实施例1和比较例I中，在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，进行了清洗工序。
[0098]在实施例2和实施例3中，在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，将高浓度的浆料散布到了研磨垫上，使得在研磨工序(S333)开始时为15wt%的浓度的浆料的浓度在玻璃基板取出工序(S334)开始时，浓度升高。
[0099]对于各实施例、比较例中的吸附力，在紧接着研磨工序(S333)之后，将与玻璃基板几乎相同形状、相同表面粗糙度的试验片载置到下侧研磨垫上，在施加了与研磨工序同等的压力之后提起，利用数字测力计进行了测量。
[0100]在第2抛光工序(S33)结束之后，在全部实施例和比较例中，玻璃基板I经过化学强化工序(S40)、清洗工序(S50)后，进行了表面的缺陷(defect)检查。缺陷检查使用了KLA — Tencor社制光学式缺陷检查装置Candela — 0SA6100作为试验装置。
[0101]在缺陷检查中，在各实施例和各比较例中，按每100张对加工后的玻璃基板全部进行了检查，将附着物在10个以下且划痕在2个以下的基板判定为合格品，将合格品数在95张以上的情况评价为A(优良)，将小于95张且90张以上的情况评价为B(良)，将小于90张且85张以上的情况评价为C(及格)，将小于85张的情况评价为D(不良)。
[0102]进而，经过磁性薄膜形成工序(S60)后，对玻璃基板进行了信息记录介质(介质化)之后，进行了读写试验。
[0103]在读写试验中，进行了如下试验:在相同的各条件下按每100张对于加工后的玻璃基板(信息记录介质)测量磁性记录特性。将通过了试验的基板在96张以上的情况设为A(优良)，将小于96张且92张以上的情况设为B(良)，将小于92张且88张以上的情况设为C (及格)，将小于88张的情况设为D (不及格)。
[0104](实施例1)
[0105]在实施例1的玻璃基板中，吸附力为15.0g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为35，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为有蓄积，此时的浆料的浓度为15wt%。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，进行了清洗工序。在该实施例1中，缺