示，将本发明的高电压开关单元的选择信号VSEL与不具有金属电容器等的传统开关器件的选择信号相比较，在根据本发明的实施方式的闪存器件的高压开关单元中，对开关电路200进行门控的选择信号VSEL的电压电平增大，以提供选择信号VSEL的高电平电压。
[0056]因此，根据本发明的实施方式的闪存器件的高压开关单元，能够有效地发送选择信号VSEL的高电平电压，同时不增加布局面积或增加很少的布局面积。
[0057]本发明的以上描述仅用于说明目的。本领域普通技术人员将理解，在不脱离本发明的技术精神或必要特征的情况下，可以容易地将本发明修改为其它特定形式。因此，以上描述的实施方式将被理解为在各个方面都是非限制性的。
[0058]例如，在本说明书中，并联连接的开关晶体管210和220的数量被描述为两个。然而，本领域普通技术人员应该理解，开关晶体管的数量可以扩展为三个或更多个。
[0059]因此，本发明的范围应该被解释为由以下权利要求而不是以上说明阐述，从所附权利要求的等同构思得到的含义和范围、以及所有改变或变化包括在本发明的范围内。
【主权项】
1.一种闪存器件的高压开关单元，所述高压开关单元包括: 栗浦电路，所述栗浦电路包括至少一个栗浦晶体管，所述至少一个栗浦晶体管具有共同连接到周期性转换的控制信号的节点的一个接合端子和另一个接合端子、以及连接到选择信号的节点的栅极端子； 开关电路，所述开关电路包括至少一个开关晶体管，所述至少一个开关晶体管具有连接到输入信号的节点的一个接合端子、连接到输出信号的节点的另一个接合端子、以及连接到所述选择信号的所述节点的栅极端子； 栗浦有源区，在所述栗浦有源区中设置所述至少一个栗浦晶体管的所述一个接合端子和所述另一个接合端子，并且形成所述至少一个栗浦晶体管的沟道； 控制互连区，在所述控制互连区中对所述控制信号的互连进行布线；以及 选择互连区，在所述选择互连区中对所述选择信号的互连进行布线， 其中，所述控制互连区和所述选择互连区在至少一个区域中平行延伸，所述至少一个区域的长度在所述沟道的方向上大于所述栗浦有源区的长度，并且在所述控制互连区和所述选择互连区之间形成电容，以增大所述选择信号的电压电平。2.根据权利要求1所述的高压开关单元，其中，所述控制互连区在至少一个区域中在所述选择互连区的两侧平行延伸，所述至少一个区域的长度在所述沟道的方向上大于所述栗浦有源区的长度。3.根据权利要求1所述的高压开关单元，所述高压开关单元还包括:开关栅极区，在所述开关栅极区中对所述至少一个开关晶体管的所述栅极端子进行布线， 其中，所述选择互连区在所述开关栅极区之上延伸，并且所述控制互连区在所述开关栅极区中在所述选择互连区的两侧平行延伸。4.根据权利要求1所述的高压开关单元，所述高压开关单元还包括:开关栅极区，在所述开关栅极区中对所述至少一个开关晶体管的所述栅极端子进行布线， 其中，所述选择互连区和所述控制互连区在所述开关栅极区中平行延伸。5.根据权利要求1所述的高压开关单元，其中，所述控制信号是重复周期性转换的脉冲信号，并且所述选择信号的电压电平响应于所述周期性转换而增大。6.根据权利要求1所述的高压开关单元，其中，所述栗浦电路包括形成所述至少一个栗浦晶体管的所述栅极端子的栅多晶硅层，并且所述栅多晶硅层设置在所述控制互连区和所述至少一个栗浦晶体管的所述沟道之间，以在所述控制互连区和所述栅多晶硅层之间形成电容，并且在所述至少一个栗浦晶体管的所述沟道和所述栅多晶硅层之间形成另一电容。7.根据权利要求1所述的高压开关单元，其中，所述控制互连区覆盖所述至少一个栗浦晶体管的所述沟道的整个区域。8.根据权利要求1所述的高压开关单元，其中，所述至少一个栗浦晶体管被设置为与在所述控制互连区和所述选择互连区之间形成的所述电容并联。9.一种闪存器件的高压开关单元，所述高压开关单元包括: 栗浦电路，所述栗浦电路包括至少一个栗浦晶体管，所述至少一个栗浦晶体管具有共同连接到周期性转换的控制信号的节点的一个接合端子和另一个接合端子、以及连接到选择信号的节点的栅极端子； 开关电路，所述开关电路包括至少一个开关晶体管，所述至少一个开关晶体管具有连接到输入信号的节点的一个接合端子、连接到输出信号的节点的另一个接合端子、以及连接到所述选择信号的所述节点的栅极端子； 栗浦有源区，在所述栗浦有源区中设置所述至少一个栗浦晶体管的所述一个接合端子和所述另一个接合端子，并且形成所述至少一个栗浦晶体管的沟道； 控制互连区，在所述控制互连区中对所述控制信号的互连进行布线；以及 选择互连区，在所述选择互连区中对所述选择信号的互连进行布线， 其中，所述控制互连区覆盖所述至少一个栗浦晶体管的所述沟道的至少一部分，并且在所述控制互连区和所述沟道的所述至少一部分之间形成电容，以增大所述选择信号的电压电平。10.根据权利要求9所述的高压开关单元，其中，所述控制互连区覆盖所述栗浦有源区的整个区域。11.根据权利要求9所述的高压开关单元，其中，所述控制互连区和所述选择互连区在至少一个区域中平行延伸，所述至少一个区域的长度在所述沟道的方向上大于所述栗浦有源区的长度。12.根据权利要求9所述的高压开关单元，其中，所述控制互连区在至少一个区域中在所述选择互连区的两侧平行延伸，所述至少一个区域的长度在所述沟道的方向上大于所述栗浦有源区的长度。13.根据权利要求9所述的高压开关单元，所述高压开关单元还包括:开关栅极区，在所述开关栅极区中对所述至少一个开关晶体管的所述栅极端子进行布线， 其中，所述选择互连区在所述开关栅极区之上延伸，并且所述控制互连区在所述开关栅极区中在所述选择互连区的两侧平行延伸。14.根据权利要求9所述的高压开关单元，其中，所述控制信号是重复周期性转换的脉冲信号，并且所述选择信号的所述电压电平响应于所述周期性转换而增大。15.一种栗浦电路，所述栗浦电路具有用于在闪存的开关器件中设置栗浦电容的至少一个栗浦晶体管，所述至少一个栗浦晶体管包括: 一个接合端子和另一个接合端子，共同连接到周期性转换的控制信号的节点； 栅极端子，连接到选择信号的节点； 栗浦有源区，在所述栗浦有源区中设置所述至少一个栗浦晶体管的所述一个接合端子和所述另一个接合端子，并且形成所述至少一个栗浦晶体管的沟道；以及控制互连区，在所述控制互连区中对所述控制信号的互连进行布线， 其中，所述控制互连区覆盖所述栗浦有源区的至少一部分，以在所述控制互连区和所述栗浦有源区的所述至少一部分之间形成电容。16.根据权利要求15所述的栗浦电路，其中，所述控制互连区覆盖所述栗浦有源区的整个区域。17.根据权利要求15所述的栗浦电路，所述栗浦电路还包括:栅多晶硅层，所述栅多晶硅层形成所述至少一个栗浦晶体管的所述栅极端子，并且所述栅多晶硅层设置在所述控制互连区和所述栗浦有源区之间，以在所述控制互连区和所述栅多晶硅层之间形成电容，并且在所述栗浦有源区和所述栅多晶硅层之间形成另一个电容。
【专利摘要】用于闪存器件的高压开关电路。一种用于闪存的高压开关器件包括至少一个泵浦晶体管，至少一个泵浦晶体管包括共同连接到控制信号的一个接合端子和另一个接合端子、以及连接到选择信号的栅极端子。高压开关器件还包括至少一个开关晶体管，至少一个开关晶体管包括连接到输入信号的一个接合端子、连接到输出信号的另一个接合端子、以及连接到选择信号的栅极端子。高压开关器件的布局包括：泵浦有源区，在该泵浦有源区中设置泵浦晶体管的一个接合端子和另一个接合端子；控制互连区，在该控制互连区中对控制信号的互连进行布线；以及选择互连区，在该选择互连区中对选择信号的互连进行布线。
【IPC分类】G11C16/06
【公开号】CN105280226
【申请号】CN201510333987
【发明人】李海旭, 苏万锡
【申请人】菲德里克斯有限责任公司, 尼莫斯科技有限责任公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年6月16日
【公告号】US9324445, US20150364203