，而字线W31连接互连线H32。
[0105]两个第二辅助驱动晶体管DAT32所在位置与第二驱动晶体管DT32所在位置均并列，即:每个第二辅助驱动晶体管DAT32的源极与处于地电平的接地线Vss连接，第二辅助驱动晶体管DAT32的漏极与互连线H32连接，第二辅助驱动晶体管DAT32的栅极DA32与第一负载晶体管UT31的栅极U32连接，并且两者(栅极DA32和栅极U32)连接字线W32，而字线W32连接互连线H31。
[0106]两个第一辅助传输晶体管GAT31所在位置与第一传输晶体管GT31所在位置均并列，即:每个第一辅助传输晶体管GAT31连接在位线B31和第一反相器的输出端之间。第一辅助传输晶体管GAT31的栅极GA31下方为第一辅助传输晶体管GAT31的沟道区。第一辅助传输晶体管GAT31的源极与互连线H32连接。第一辅助传输晶体管GAT31的漏极与位线B31连接。同时，第一辅助传输晶体管GAT31的源极与第一辅助驱动晶体管DAT31的漏极连接。
[0107]但是，两个第一辅助传输晶体管GAT31栅极GA31均不与字线WL31连接，以保证栅极GA31与栅极G31分离。
[0108]两个第二辅助传输晶体管GAT32所在位置与第二传输晶体管GT32所在位置均并列，即:每个第二辅助传输晶体管GAT32连接在位线B32和第二反相器的输出端之间。第二辅助传输晶体管GAT32的栅极GA32下方为第二辅助传输晶体管GAT32的沟道区。第二辅助传输晶体管GAT32的源极与互连线H31连接。第二辅助传输晶体管GAT32的漏极与位线B32连接。同时，第二辅助传输晶体管GAT32的源极与第二辅助驱动晶体管DAT32的漏极连接。
[0109]但是，两个第二辅助传输晶体管GAT32栅极GA32均不与字线WL32连接，以保证栅极GA32与栅极G32分离。
[0110]请继续参考图6，本实施例中，第一驱动晶体管DT31的栅极D31垂直横跨第一驱动晶体管DT31的鳍部。第二驱动晶体管DT32的栅极D32垂直横跨第二驱动晶体管DT32的鳍部。第一负载晶体管UT31的栅极U31垂直横跨第一负载晶体管UT31的鳍部。第二负载晶体管UT32的栅极U32垂直横跨第二负载晶体管UT32的鳍部。第一传输晶体管GT31的栅极G31垂直横跨第一传输晶体管GT31的鳍部。第二传输晶体管GT32的栅极G32垂直横跨第二传输晶体管GT32的鳍部。第一辅助驱动晶体管DAT31的栅极DA31垂直横跨第一辅助驱动晶体管DAT31的鳍部。第二辅助驱动晶体管DAT32的栅极DA32垂直横跨第二辅助驱动晶体管DAT32的鳍部。第一辅助传输晶体管GAT31的栅极GA31垂直横跨第一辅助传输晶体管GAT31的鳍部。第二辅助传输晶体管GAT32的栅极GA32垂直横跨第二辅助传输晶体管GAT32的鳍部。
[0111]由以上描述可知，第一驱动晶体管DT31的栅极与两个第一辅助驱动晶体管DAT31的栅极均连接，并且第一驱动晶体管DT31的栅极与第一负载晶体管UT31的栅极连接。第二驱动晶体管DT32的栅极与两个第二辅助驱动晶体管DAT32的均栅极连接，并且第二驱动晶体管DT32的栅极与第二负载晶体管UT32的栅极连接。但是，两个第一辅助传输晶体管GAT31的栅极GA31均与第一传输晶体管GT31的栅极G31分离，而两个第一辅助传输晶体管GAT31的栅极GA31相互连接。第二辅助传输晶体管GAT32的栅极GA32均与第二传输晶体管GT32的栅极G32分离，而第二辅助传输晶体管GAT32的栅极GA32相互连接。
[0112]更重要的是，两个第一辅助传输晶体管GAT31的栅极GA31均连接到第一反馈节点N31，并通过第一反馈节点N31连接到第一反相器的输出端。两个第二辅助传输晶体管GAT32的栅极GA32均连接到第二反馈节点N32，并通过第二反馈节点N32连接到第二反相器的输出端。从而使两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32能够在静态随机存储器读取过程中断开，而在写入过程中导通。
[0113]通过这样的结构，能够使静态随机存储器在读取和写入的过程中，选择性地使用第一辅助传输晶体管GAT31和第二辅助传输晶体管GAT32，从而提高静态随机存储器比率β和比率Y的值，即提高静态随机存储器的稳定性能。
[0114]具体的，在静态随机存储器读取过程中，第一传输晶体管GT31导通和第二传输晶体管GT32参与读取过程，两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32不参与读取过程，第一驱动晶体管DT31、两个第一辅助驱动晶体管DAT31、第二驱动晶体管DT32和两个第二辅助驱动晶体管DAT32参与读取过程，因此驱动晶体管的电流驱动能力与传输晶体管的电流驱动能力的比率β的值等于3，显著提高了所述静态随机存储器的读噪声容限，静态随机存储器稳定性能提高；在静态随机存储器写入过程中，第一传输晶体管GT31、第二传输晶体管GT32、两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32参与写入过程，第一负载晶体管UT31和第二负载晶体管UT32参与写入过程，因此传输晶体管的电流驱动能力与负载晶体管的电流驱动能力的比率Y的值等于3，显著提高了所述静态随机存储器的写噪声容限，静态随机存储器稳定性能提高。
[0115]需要说明的是，在本发明的其它实施例中，静态随机存储器可以具有更多的第一辅助驱动晶体管、第二辅助驱动晶体管、第一辅助传输晶体管和第二辅助传输晶体管，本发明对它们的个数不作限定。并且，所述晶体管中，全部第一辅助驱动晶体管的栅极可以与第一驱动晶体管的栅极连接，全部第二辅助驱动晶体管的栅极可以与第二驱动晶体管的栅极连接。但是，全部第一辅助传输晶体管的栅极与第一传输晶体管的栅极分离，全部第二辅助传输晶体管的栅极与第二传输晶体管的栅极分离。而全部第一辅助传输晶体管的栅极可以相互连接，全部第二辅助传输晶体管的栅极可以相互连接。
[0116]本实施例中，第一负载晶体管UT31和第二负载晶体管UT32可以为PMOS晶体管，而第一驱动晶体管DT31、第二驱动晶体管DT32、第一传输晶体管GT31、第二传输晶体管GT32、第一辅助驱动晶体管DAT31、第二辅助驱动晶体管DAT32、第一辅助传输晶体管GAT31和第二辅助传输晶体管GAT32可以为NMOS晶体管。
[0117]本实施例中，第一驱动晶体管DT31、第一负载晶体管UT31、第二驱动晶体管DT32、第二负载晶体管UT32、第一传输晶体管GT31、第二传输晶体管GT32、两个第一辅助驱动晶体管DAT31、两个第二辅助驱动晶体管DAT32、两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32均为鳍式场效应晶体管。
[0118]请继续参考图6，本实施例中，第一驱动晶体管DT31、第一负载晶体管UT31、第二驱动晶体管DT32、第二负载晶体管UT32、第一传输晶体管GT31、第二传输晶体管GT32、两个第一辅助驱动晶体管DAT31、两个第二辅助驱动晶体管DAT32、两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32均位于一个矩形区域(如图6的矩形虚线框所示，未标注)中，即各晶体管的沟道区长度位于第一方向，各晶体管的栅极层的长度位于第二方向，并且两个方向垂直，同时，各互连线、字线和位线也沿第一方向或者第二方向排布。由于全部晶体管位于矩形区域中，因此提高了静态随机存储器布局的规整性和集成度。
[0119]本发明又一实施例还提供了一种静态随机存储器的存取方法，所述存取方法运用于前述实施例的静态随机存储器，具体存取方法包括:在静态随机存储器读取过程中，两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32均断开，从而使两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32均不参与读取过程，进而使比率β的值等于3 ;在静态随机存储器写入过程中，两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32导通，从而使两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32均参与写入过程，进而使比率Υ的值等于3。
[0120]具体控制两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32断开与导通的方法可以通过第一反馈节点Ν31和第二反馈节点Ν32实现。例如，收到读取命令时，通过向第一反馈节点Ν31和第二反馈节点Ν32发送“0”电平信号(导通信号)，使两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32断开，从而不参与读取过程；收到写入命令时，通过向第一反馈节点Ν31和第二反馈节点Ν32发送“1”电平信号(断开信号)，使两个第一辅助传输晶体管GAT31和两个第二辅助传输晶体管GAT32导通，从而参考写入过程。
[0121]本发明又一实施例提供一种静态随机存储器布局，请结合参考图7和图8。
[0122]请参考图7，所述静态随机存储器布局包括制作于衬底上的第一凸起410、第二凸起420、第三凸起430和第四凸起440。第二凸起420和第四凸起440位于第一凸起410和第三凸起430之间，第二凸起420位于第一凸起410和第四凸起440之间。第一凸起410包括第一鳍部411 (第一鳍部411为虚线框包围部分的第一凸起410，其它鳍部沿用此表示方法)和第二鳍部412。第二凸起420包括第三鳍部421。第三凸起430包括第四鳍部431和第五鳍部432。第四凸起440包括第六鳍部441。
[0123]本实施例中，所述衬底可以为硅单晶衬底，也可以为其它合适的半导体衬底。
[0124]本实施例中，第一鳍部411用于形成第一传输晶体管，第二鳍部412用于形成第一驱动晶体管，第三鳍部421用于形成第一负载晶体管，第四鳍部431用于形成第二传输晶体管。第五鳍部432用于形成第二驱动晶体管。第六鳍部441用于形成第二负载晶体管。
[0125]请参考图7，所述静态随机存储器布局还包括一个第五凸起450，位于第一凸起410与第二凸起420之间，每个第五凸起450包括第七鳍部451和第八鳍部452。一个第六凸起460，位于第三凸起430与第四凸起440之间，每个第六凸起460包括第九鳍部461和第十鳍部462。