1.一种陶瓷电路基板，其特征在于，在陶瓷基板的一面接合有金属电路板，在另一面接合有金属散热板，所述金属电路板的结晶粒径为20μm以上且70μm以下。
2.如权利要求1所述的陶瓷电路基板，其中，陶瓷基板由氮化铝形成。
3.一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，
是权利要求1或2所述的陶瓷电路基板的制造方法，
分别在陶瓷基板的一面配置金属电路板、在另一面配置金属散热板，以真空度为1×10-3Pa以下、接合温度为780℃以上且850℃以下、保持时间为10分钟以上且60分钟以下，将所述金属电路板及所述金属散热板接合于陶瓷基板。