1.一种再制工艺，包括：
将第一接合头附接至第一半导体封装件，所述第一半导体封装件的接触焊盘通过焊料接点接合至第二半导体封装件的接触焊盘；
实施第一局部加热工艺以熔化所述焊料接点；
使用所述第一接合头去除所述第一半导体封装件；以及
从所述第二半导体封装件的接触焊盘去除焊料的至少部分。
2.根据权利要求1所述的再制工艺，还包括：
在从所述第二半导体封装件的接触焊盘去除焊料的至少部分之后，将第三半导体封装件接合至所述第二半导体封装件的接触焊盘，所述第三半导体封装件与所述第一半导体封装件的类型相同。
3.根据权利要求1所述的再制工艺，还包括：
在从所述第二半导体封装件的接触焊盘去除焊料的至少部分之后，将所述第一半导体封装件接合至所述第二半导体封装件的接触焊盘。
4.根据权利要求1所述的再制工艺，其中，实施所述第一局部加热工艺包括使用选自由所述第一接合头的内置加热元件、红外辐射源、热空气、激光和它们的组合组成的组的热源熔化所述焊料接点。
5.根据权利要求1所述的再制工艺，其中，去除焊料的至少部分包括：
实施第二局部加热工艺以熔化位于所述第二半导体封装件的接触焊盘上的所述焊料；
将焊料润湿件定位在所述第二半导体封装件的接触焊盘上；以及
从所述第二半导体封装件的接触焊盘去除所述焊料润湿件。
6.根据权利要求5所述的再制工艺，其中，使用附接至所述焊料润湿件的第二接合头实施定位所述焊料润湿件和去除所述焊料润湿件。
7.根据权利要求5所述的再制工艺，其中，使用所述第一接合头实施定位所述焊料润湿件和去除所述焊料润湿件。
8.根据权利要求5所述的再制工艺，其中，连续地实施所述第一局部加热工艺和所述第二局部加热工艺，在所述第一局部加热工艺和所述第二局部加热工艺之间没有时间间隙。
9.一种再制工具，包括：
局部加热机制，能够加热半导体封装件的目标区域，其中，所述局部加热机制配置为实施第一局部加热工艺以熔化设置在第一半导体封装件的多个第一接触焊盘和第二半导体封装件的多个第二接触焊盘之间的焊料接点；
接合头，提供有真空，其中，所述接合头配置为在所述焊料接点熔化之后去除所述第一半导体封装件；以及
焊料去除工具，其中，所述焊料去除工具配置为在去除所述第一半导体封装件之后从所述多个第二接触焊盘去除焊料。
10.一种再制工艺，包括：
实施第一局部加热工艺以熔化设置在第一半导体封装件的接触焊盘和第二半导体封装件的微凸块焊盘之间的焊料接点；
使用通过真空附接至所述第一半导体封装件的接合头去除所述第一半导体封装件；
实施第二局部加热工艺以熔化所述微凸块焊盘上的焊料；
实施焊料去除工艺以从所述微凸块焊盘去除熔化的焊料，所述焊料去除工艺从所述微凸块焊盘去除焊料桥；以及
将替换半导体封装件接合至所述微凸块焊盘。