技术总结
再制工艺包括将第一接合头附接至第一半导体封装件。第一半导体封装件的接触焊盘通过焊料接点接合至第二半导体封装件的接触焊盘。再制工艺还包括实施第一局部加热工艺以熔化焊料接点，使用第一接合头去除第一半导体封装件，以及从第二半导体封装件的接触焊盘去除焊料的至少部分。本发明的实施例还涉及用于半导体封装件的再制工艺和工具设计。
技术研发人员：林士庭;黄穗麒;蔡宗甫;林俊成;余振华
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610656036
技术研发日：2016.08.11
技术公布日：2017.05.10