1.一种有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在基底上依次沉积栅极和绝缘层；
B、在绝缘层上沉积复合物半导体层；其中，所述复合物半导体层的材料为金纳米棒与P3HT溶液的混合液；
C、在复合物半导体层上沉积源漏电极。
2.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述金纳米棒的长宽比为（1~5）:1。
3.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述金纳米棒为经过配体表面修饰后的金纳米棒。
4.根据权利要求3所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述配体为烷基胺、烷基硫醇、苯胺、苯硫醇中的一种。
5.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述基底为PET薄膜基底。
6.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极的材料为图案化的银。
7.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化铝。
8.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述源漏电极的材料为金。
9.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述基底的厚度为100μm。
10.一种有机场效应晶体管，其特征在于，采用如权利要求1~9任一所述的有机场效应晶体管的制备方法制备而成。