技术总结
本发明的一种有机场效应晶体管及其制备方法，包括步骤：在基底上依次沉积栅极和绝缘层；在绝缘层上沉积复合物半导体层；其中，所述复合物半导体层的材料为金纳米棒与P3HT溶液的混合液；在复合物半导体层上沉积源漏电极。本发明在P3HT溶液中引入金纳米棒制备基于复合物薄膜的有机场效应晶体管，一方面由于金纳米棒的形貌尺寸均一可控，掺杂金纳米棒可以有效的提高P3HT薄膜的结晶度并优化P3HT分子在薄膜中的取向。另一方面，通过引入不同配体对金纳米棒表面进行修饰，可以调控其电荷传输性能，这将有利于器件迁移率的提高。
技术研发人员：周黎;周晔;闫岩;韩素婷
受保护的技术使用者：深圳大学
文档号码：201610844649
技术研发日：2016.09.23
技术公布日：2016.12.07