有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
【背景技术】
[0002]1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)，其在1V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。
[0003]但在现有的有机电致发光器件中，电子注入层是重要的功能层之一，在制造过程中，由于电子注入层所选材料的隔绝水氧能力不强，水汽会经由裂缝渗入而影响薄膜晶体管的电性。同时所选材料也不利于有利于电子的注入，故电子的传输速率较低，比空穴传输速率低两三个数量级，因此，极易造成激子复合几率的低下，并且易使其复合的区域不在发光区域内，从而使发光效率降低。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法以提高有机电致发光器件的出光效率。
[0005]本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为:一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为:依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括铷化合物掺杂层与铼化合物层；其中所述铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成；
[0006]所述铷化合物的材质为为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷、或硫酸铷；所述电子传输材料为4，7-二苯基-1,10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)_1，3，4-恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
[0007]所述铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，所述铼化合物层的材质为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼，所述荧光发光材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1，3，4_恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑。
[0008]所述铷化合物与所述电子传输材料掺杂质量比为4:1?15:1，所述铼化合物与所述荧光发光材料的掺杂质量比为7:1?15:1。
[0009]所述铷化合物掺杂层的厚度为10-30nm，所述铼化合物掺杂层的厚度为2_10nm。
[0010]所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒；
[0011]所述空穴传输层的材质为1，1-二 [4-[N,N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N' -(1-萘基)_N，N' - 二苯基-4,4'-联苯二胺；
[0012]所述发光层的材质为4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-联苯或8-羟基喹啉铝；
[0013]所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；
[0014]所述阴极的材质为银、铝、钼或金。
[0015]本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，其包括如下步骤:(a)在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层；
[0016](b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的电子传输层上采用热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层，然后在所述铷化合物掺杂层上采用热阻蒸镀制备铼化合物掺杂层；其中，
[0017]所述铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成；
[0018]所述铷化合物的材质为为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷、或硫酸铷；所述电子传输材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)_1，3，4-恶二唑、
8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑；
[0019]所述铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，所述铼化合物层的材质为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼，所述荧光发光材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1，3，4_恶二唑、8-羟基喹啉铝或N-芳基苯并咪唑。
[0020](C)在步骤(b)制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
[0021]所述磁控溅射设备的加速电压为300?800V，磁场为50?200G，功率密度为I?40ff/cm2 ;所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1?lnm/s。
[0022]在所述步骤(b)中，所述热阻蒸镀的蒸镀速率为0.1?lnm/s ;所述铷化合物掺杂层的厚度为10_30nm，所述铼化合物掺杂层的厚度为2_10nm。
[0023]在所述步骤(c)中,所述阴极层的蒸镀速率为I?10nm/s。
[0024]与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点:
[0025]铷化合物掺杂层由铷化合物与电子传输材料组成，铷化合物由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势鱼，有利于电子的注入，且金属尚子可进一步加强电子的传输速率，电子传输材料可与铷化合物形成η掺杂，从而提高电子传输速率，同时，铷化合物与电子传输材料的掺杂质量比为4:1?15:1，在这个范围可保证铷化合物的性能的，也可防止电子传输材料过多使材料失去活性，从而不利于传输载流子，另外铷化合物掺杂层的厚度为10?30nm，该厚度适中，即可避免铷化合物掺杂层过厚而使铷化合物掺杂层形成电子缺陷，也可避免铷化合物掺杂层太薄而使铷化合物掺杂层被电流击穿，从而使有机电致发光器件烧坏；
[0026]铼化合物掺杂层由铼化合物与荧光发光材料组成，荧光发光材料与发光层的颜色一致，可补充光色，提高发光效率，而铼化合物的HOMO能级较深，可阻挡空穴穿越到阴极，有效避免空穴淬灭现象的产生。这种方法有利于提高器件的发光效率。同时，铼化合物与荧光发光材料的掺杂质量比为7:1?15:1，在这个范围可保证铼化合物的性能的，也可防止荧光发光材料过多使材料失去活性，从而不利于传输载流子，另外铼化合物掺杂层的厚度为2?10nm，该厚度适中，即可避免铼化合物掺杂层过厚而形成电子缺陷，也可避免太薄而使被电流击穿，从而使有机电致发光器件烧坏。
【附图说明】
[0027]图1是本发明实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。
[0028]图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例的电流密度与电流效率的关系图。
【具体实施方式】
[0029]以下结合实施例，对本发明予以进一步地详尽阐述。
[0030]本发明的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。
[0031]对上述有机电致发光器件的制备方法，具体包括以下步骤:
[0032]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0033]2、在上述步骤清洁后的玻璃上制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，接着在阳极导电基板上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层。
[0034]3、接着在上述电子传输层上制备电子注入层，电子注入层为铷化合物掺杂层与铼化合物掺杂层组成。
[0035]首先采用热阻蒸镀制备所述铷化合物掺杂层，厚度为10_30nm，其为铷化合物与电子传输材料组成。所述铷化合物为碳酸铷(Rb2C03)、氯化铷(RbCl)、硝酸铷(RbNO3)或硫酸铷(Rb2SO4)15所述电子传输材料为毛了-二苯基-^川-菲罗啉⑶?!^!!)、]-^'-叔丁苯基)-5-(4 '-联苯基)-1，3，4-恶二唑(PBD)、8_羟基喹啉铝(Alq3)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)0所述铷化合物与电子传输材料的掺杂质量比为4:1?15:1 ;
[0036]然后采用热阻蒸镀制备所述铼化合物掺杂层，厚度为2-10nm，其为铼化合物与荧光发光材料组成。所述铼化合物层材料为七氧化二铼(Re2O7)、三氧化铼(ReO3)、二氧化铼(ReO2)或氧化二铼(Re20)。所述荧光发光材料为4，7_ 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1，3，4_恶二唑(PBD)、8_羟基喹啉铝(Alq3)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)。所述铼化合物与荧光发光材料掺杂质量比为7:1?15:1，其中荧光发光材料的选择与发光层的材料选择一致，如红光层对应红光材料。
[0037]4、最后制备金属阴极。
[0038]有机电致发光器件中，其他功能层的材质和厚度如下:
[0039]所述玻璃为市售玻璃。
[0040]所述阳极导电基板为铟锡氧化物薄膜(ITO)、掺铝的氧化锌薄膜(AZO)或掺铟的氧化锌薄膜(IZO)，采