有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方 法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光（0LED,化ganic Li曲t血ission Diode)，具有亮度高、材料选择范 围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，W及响应速度快等优 势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，W 及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003] 尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已 使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但传统的驱动发光器件的电流需要较大，器件 发光效率较低，限制了其进一步应用。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件，用于解决现有技术中传统的驱动 发光器件的电流较大，器件发光效率较低的问题。
[0005] 本发明的目的还在于提供一种有机电致发光器件的制备方法，用于制备上述有机 电致发光器件。
[0006] 为达成上述目的，本发明的一种有机电致发光器件，包括基板、依次层叠设于所述 基板的一个表面上的阳极层、第一有机电致发光单元、电荷生成层、第二有机电致发光单元 及阴极层；
[0007] 其中，所述第一有机电致发光单元包括依次层叠设于阳极层表面上的第一空穴传 输层、第一发光层及第一电子传输层；
[0008] 所述电荷生成层包括依次层叠设于所述第一电子传输层表面上的第一金属层、第 一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层、第H半导体氧化物层及第二金属层；
[0009] 所述第二有机电致发光单元包括依次层叠设于所述第二金属层表面上的第二空 穴传输层、第二发光层及第二电子传输层。
[0010] 在本发明一实施例中，所述第一金属层的材质为金属孔、Sm或Li中的任意一种， 厚度为5~10皿；所述第二金属层的材质为金属Pt，厚度为5~10皿。
[0011] 在本发明一实施例中，所述第一半导体氧化物层的材质为Sb2〇3或In2〇3,厚度为 3~6nm ;所述第二半导体氧化物层的材质为Co〇2、Ta2〇5、Ce〇2、Sn〇2或V2O5中的任意一种， 厚度为5~10皿，所述第H半导体氧化物层的材质为Ti〇2、Mo〇3、NiO或Ago中的任意一种， 厚度为3~5皿。
[0012] 在本发明一实施例中，所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材质相同或不同 地选自N，N'-二苯基-N，N'-二a-蔡基）-l，l'-联苯-4,4'-二胺、4,4'，4''-H(N-3-甲基 苯基-N-苯基氨基）H苯胺、N，N' -二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -联苯-4, 4' -二 胺或N，N，N'，N'-四甲氧基苯基）-对二氨基联苯；所述第一空穴传输层和第二空穴传输层 的厚度均为20~80皿。
[0013] 在本发明一实施例中，所述第一电子传输层和第二电子传输层的材质相同或不同 地选自4, 7-二苯基-邻菲咯晰、1，3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯或2, 9-二 甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲；所述第一电子传输层和第二电子传输层的厚度均为 20 ~60nm。
[0014] 在本发明一实施例中，所述第一发光层和第二发光层的材质为发光材料、或者由 主体材料惨杂相同或不同的所述发光材料组成的惨杂混合材料；在所述惨杂混合材料中， 所述发光材料占所述主体材料的重量百分比为5wt%~30wt% ;所述发光材料为英光材料或 磯光材料；
[0015] 其中，所述英光材料选自4-(二膳甲基）-2-了基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛 呢巧-9-己帰基）-4H-化喃、二甲基唾吓巧丽、5, 6, 11，12-四苯基蔡并蔡、2, 3, 6, 7-四 氨-1，1，7,7-四甲基-化5&11护10-(2-苯并喔哇基）-唾嗦并[9,94，1細]香豆素、 4, 4'-二（2, 2-二苯己帰基）-l，r-联苯、4, 4'-双[4-(二对甲苯基氨基）苯己帰基]联 苯或4, 4' -双巧-己基-3-巧哇己帰基）-1，1' -联苯中的任意一种或几种；
[0016] 所述磯光材料选自双（4, 6-二氣苯基化巧-N，C2)化巧甲醜合镶、双（4, 6-二氣苯 基化巧）-四（1-化哇基）测酸合镶、双（4, 6-二氣-5-氯基苯基化巧-N，C2)化巧甲酸合 镶、二（2'，4'-二氣苯基）化巧](四哇化巧）合镶、二（2-甲基-二苯基比h]唾喔晰） (己醜丙丽）合镶、二（1-苯基异唾晰）（己醜丙丽）合镶、己醜丙丽酸二（2-苯基化巧）镶、H (1-苯基-异唾晰）合镶及H (2-苯基化巧）合镶中的任意一种或几种；
[0017] 所述主体材料选自4, 4'-二巧-巧哇）联苯、8-羟基唾晰铅、1，3,5-H (1-苯 基-1H-苯并咪哇-2-基）苯或N，N' -二苯基-N，N' -二（1-蔡基）-1，1' -联苯-4, 4' -二 胺中的任意一种；
[0018] 所述第一发光层和第二发光层的厚度均为5~30nm。
[0019] 在本发明一实施例中，所述阴极层的材质选自金属Ag、Al、Mg-Al合金或Mg-Ag合 金中的任意一种；所述阴极层的厚度为70~200nm。
[0020] 在本发明一实施例中，所述阳极层的材质为方块电阻为5~100 Q/ □的氧化钢锡 (IT0)或钢惨杂氧化锋（IZ0)。
[0021] 本发明的一种有机电致发光器件的制备方法，包括W下步骤：
[0022] 提供基板，洗净、干燥，备用；
[0023] 在基板的一个表面上制备阳极层，完成后并清洗干净；
[0024] 采用真空蒸锻技术，在所述阳极层表面上依次层叠蒸锻第一空穴传输层、第一发 光层及第一电子传输层，完成后获得第一有机电致发光单兀；
[00巧]采用真空蒸发技术，在所述第一电子传输层表面上依次层叠蒸锻第一金属层、第 一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层、第H半导体氧化物层及第二金属层，完成后获得 电荷生成层；
[0026] 采用真空蒸锻技术，在所述第二金属层表面上依次层叠蒸锻第二空穴传输层、第 二发光层及第二电子传输层，完成后获得第二有机电致发光单元；及
[0027] 采用真空蒸锻技术，在所述第二电子传输层表面上制备阴极层；
[002引待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件。
[0029] 在本发明一实施例中，所述真空蒸锻和真空蒸发技术的蒸发速度均为0. 01~ Inm/s。
[0030] 在本发明一实施例中，所述真空蒸锻和真空蒸发技术的真空度均为1X10^5~ IX 10-中 a。
[0031] 综上所述，本发明的一种有机电致发光器件具有W下优点：设置有多个有机电致 发光单元，在相邻的两个有机电致发光单元之间包含一电荷生成层，该电荷生成层中又包 含第一金属层、第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层、第H半导体氧化物层及第二金 属层。该第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层和第H半导体氧化物层分别适应低、 中、高H种功函的要求，且低功函的半导体氧化物有利于电子的注入过程，高功函的半导体 氧化物有利于空穴的注入过程，而中间价态的半导体氧化物则能起到主要的电荷分离的作 用；同时，第一金属层靠近第一电子传输层，第二金属层靠近第二空穴传输层，且第一金属 层为一低功函金属层，其功函低于第一半导体氧化物层的功函，第一半导体氧化物层的功 函又低于第二半导体氧化物层的功函，第二半导体氧化物层的功函又低于第H半导体氧化 物层的功函，第H半导体氧化物层的功函又低于第二金属层的功函，即一高功函金属层，因 此形成了电子传输的势垒的逐步降低。本发明通过上述设置不仅提高了电荷分离的效率， 而且提高了电子传输的效率，从而降低整个有机电致发光器件的驱动电流，有利于提高发 光效率，即使在同等驱动电流的作用下，发光效率也更高。
【附图说明】
[0032] 图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图。
[0033] 图2为本发明的实施例1和对比例1所制备的有机电致发光器件的亮度-电流密 度特性曲线。
[0034] 其中，附图标记说明如下：
[00巧]1 有机电致发光器件
[0036] 10 基板
[0037] 20 阳极层
[0038] 30 第一有机电致发光单元
[0039] 301 第一