空穴传输层
[0040] 302 第一发光层
[0041] 303 第一电子传输层
[004引 40 电荷生成层
[004引 401 第一金属层
[0044] 402 第一半导体氧化物层
[0045] 403 第二半导体氧化物层
[0046] 404 第H半导体氧化物层
[0047] 405 第二金属层
[0048] 50 第二有机电致发光单元
[0049] 501 第二空穴传输层
[0050] 502 第二发光层
[0051] 503 第二电子传输层
[0052] 60 阴极层
【具体实施方式】
[0053] W下参考附图1~2,对本发明的一种有机电致发光器件及其制备方法予W进一 步地详尽阐述。
[0054] 如图1所示，该有机电致发光器件1包括；基板10、依次层叠设于基板10的一个 表面上的阳极层20、第一有机电致发光单元30、电荷生成层40、第二有机电致发光单元50 及阴极层60。
[00巧]其中，第一有机电致发光单元30包括依次层叠设于阳极层20表面上的第一空穴 传输层301、第一发光层302及第一电子传输层303 ;
[0056] 电荷生成层40包括依次层叠设于第一电子传输层303表面上的第一金属层401、 第一半导体氧化物层402、第二半导体氧化物层403、第H半导体氧化物层404及第二金属 层 405 ;
[0057] 第二有机电致发光单元50包括依次层叠设于第二金属层405表面上的第二空穴 传输层501、第二发光层502及第二电子传输层503。
[0058] W下结合实施例1~3对本发明的有机电致发光器件1及其制备方法作具体说 明：
[0059] 实施例1
[0060] 如图1所示，本实施例1的有机电致发光器件1包括基板10、阳极层20、由第一 空穴传输层301、第一发光层302及第一电子传输层303组成的第一有机电致发光单元30、 由第一金属层401、第一半导体氧化物层402、第二半导体氧化物层403及第二金属层404 组成的电荷生成层40、由第二空穴传输层501、第二发光层502及第二电子传输层503组成 的第二有机电致发光单元50、W及阴极层60。
[0061] 上述有机电致发光器件1的制备方法包括W下步骤：
[0062] 提供一玻璃作为基板10,洗净干燥后备用；
[0063] 在基板10的一个表面上制备一层IT0导电薄膜，即阳极层20,完成后并清洗干净， 该阳极层20的方块电阻为5 Q / 0。
[0064] 采用真空蒸锻技术在阳极层20表面上制备一层第一有机电致发光单元30 :
[0065] 在真空度为IX 1(T中a的真空锻膜系统中，在阳极层20表面上制备一层厚度为 20皿的第一空穴传输层301，所用材质为NPB，NPB的蒸发速度为0.1 nm/s ;
[0066] 在真空度为1X10^化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第一空穴传输层 301表面上制备一层厚度为30nm的第一发光层302,所用材质为TPBi W及惨杂在TPBi中的 Ir(ppy)3, Ir(ppy)3与TPBi的重量百分比为10 ;100,其中，Ir(ppy)3的蒸发速度为0.1 nm/ S，TPBi的蒸发速度为Inm/s ;
[0067] 在真空度为1 X icrsi^a的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第一发光层302表 面上制备一层厚度为20nm的第一电子传输层303,所用材质为化hen,化hen的蒸发速度为 0.Inm/s。
[006引采用真空蒸发技术在第一电子传输层303表面上制备一层电荷生成层40 :
[0069] 首先采用真空蒸发技术，在第一电子传输层303表面上制备一层厚度为5nm的第 一金属层401，所用材质为金属孔，蒸发速度为0.0 lnm/s ;
[0070] 然后采用电子束蒸发技术，在第一金属层401表面上制备一层厚度为3nm的第一 半导体氧化物层402,所用材质为Sb2〇3,蒸发速度为0.0 lnm/s ;
[0071] 然后采用电子束蒸发技术，在第一半导体氧化物层402表面上制备一层厚度为 lOnm的第二半导体氧化物层403,所用材质为Co化，蒸发速度为0.0 lnm/s ;
[0072] 然后采用电子束蒸发技术，在第二半导体氧化物层403表面上制备一层厚度为 3nm的第H半导体氧化物层404,所用材质为Ti化，蒸发速度为0.0 lnm/s ;
[0073] 最后采用电子束蒸发技术，在第二半导体氧化物层403表面上制备一层厚度为 5皿的第二金属层405,所用材质为Pt，蒸发速度为0.0 lnm/s。
[0074] 采用真空蒸锻技术在第二金属层405表面上制备一层第二有机电致发光单元50 : [00巧]在真空度为1 X 1(T中a的真空锻膜系统中，在第二金属层405表面上制备一层厚度 为40nm的第二空穴传输层501，所用材料为m-MTDATA，m-MTDATA的蒸发速度为0. 5nm/s ;
[0076] 在真空度为1X10^化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二空穴传输层 501表面上制备一层厚度为30nm的第二发光层502,所用材质为TPBi W及惨杂在TPBi中的 Ir(ppy)3, Ir(ppy)3与TPBi的重量百分比为10 ;100,其中，Ir(ppy)3的蒸发速度为0.1 nm/ S，TPBi的蒸发速度为Inm/s ;
[0077] 在真空度为1 X 1(T中a的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二发光层502表 面上制备一层厚度为30nm的第二电子传输层503,所用材质为化hen,化hen的蒸发速度为 0.5nm/s。
[0078] 在真空度为1X1(T4化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二电子传输层 503表面上制备一层厚度为lOOnm的阴极层60,所用材质为金属Mg-Al合金，金属的蒸发速 度均为Inm/so
[0079] 待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件1。
[0080] 实施例2
[0081] 如图1所示，本实施例2的有机电致发光器件1包括；基板10、阳极层20、由第一 空穴传输层301、第一发光层302及第一电子传输层303组成的第一有机电致发光单元30、 由第一金属层401、第一半导体氧化物层402、第二半导体氧化物层403及第二金属层404 组成的电荷生成层40、由第二空穴传输层501、第二发光层502及第二电子传输层503组成 的第二有机电致发光单元50、W及阴极层60。
[0082] 上述有机电致发光器件1的制备方法包括W下步骤：
[0083] 提供一玻璃作为基板10,洗净干燥后备用；
[0084] 在基板10的一个表面上制备一层IZ0导电薄膜，即阳极层20,完成后并清洗干净， 该阳极层20的方块电阻为100 Q/□。
[0085] 采用真空蒸锻技术在阳极层20表面上制备一层第一有机电致发光单元30 :
[0086] 在真空度为IX 1(T中a的真空锻膜系统中，在阳极层20表面上制备一层厚度为 80皿的第一空穴传输层301，所用材料为MeO-TPD，MeO-TPD的蒸发速度为Inm/s ;
[0087] 在真空度为1X10^3化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第一空穴传输层 301表面上制备一层厚度为5皿的第一发光层302,所用材质为A1q3 W及惨杂在A1q3中的 DCJTB，DCJTB与A1q3的重量百分比为5 ;100,其中，DCJTB的蒸发速度为0. 05nm/s，A1q3的 蒸发速度为0. 2nm/s ;
[0088] 在真空度为1 X 的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第一发光层302表 面上制备一层厚度为60nm的第一电子传输层303,所用材质为TPBi，TPBi的蒸发速度为 Inm/s。
[0089] 采用真空蒸发技术在第一电子传输层303表面上制备一层电荷生成层40 :
[0090] 首先采用真空蒸发技术，在第一电子传输层303表面上制备一层厚度为lOnm的第 一金属层401，所用材质为金属Sm，蒸发速度为0. 5nm/s ;
[0091] 然后采用电子束蒸发技术，在第一金属层401表面上制备一层厚度为6nm的第一 半导体氧化物层402,所用材质为In2〇3,蒸发速度为0. 5nm/s ;
[0092] 然后采