用电子束蒸发技术，在第一半导体氧化物层402表面上制备一层厚度为 5皿的第二半导体氧化物层403,所用材质为V20；5,蒸发速度为0. 5nm/s ;
[0093] 然后采用电子束蒸发技术，在第二半导体氧化物层403表面上制备一层厚度为 5nm的第H半导体氧化物层404,所用材质为NiO,蒸发速度为0.0 lnm/s ;
[0094] 最后采用电子束蒸发技术，在第二半导体氧化物层403表面上制备一层厚度为 10皿的第二金属层405,所用材质为Pt，蒸发速度为0. 5nm/s。
[0095] 采用真空蒸锻技术在第二金属层405表面上制备一层第二有机电致发光单元50 :
[0096] 在真空度为1 X 的真空锻膜系统中，在第二金属层405表面上制备一层厚度 为60皿的第二空穴传输层501，所用材料为MeO-TPD，MeO-TPD的蒸发速度为Inm/s ;
[0097] 在真空度为1X10^3化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二空穴传输层 501表面上制备一层厚度为5nm的第二发光层502,所用材质为BCzVBi，BCzVBi的蒸发速度 为 0. 05nm/s ;
[0098] 在真空度为1 X 的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二发光层502表 面上制备一层厚度为60nm的第二电子传输层503,所用材质为TPBi，TPBi的蒸发速度为 Inm/s。
[0099] 在真空度为1X1(T中a的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二电子传输层 503上制备一层厚度为200nm的阴极层60,所用材质为金属A1，金属的蒸发速度为0. 2nm/ So
[0100] 待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件1。
[0101] 实施例3
[0102] 如图1所示，本实施例3的有机电致发光器件1包括；基板10、阳极层20、由第一 空穴传输层301、第一发光层302及第一电子传输层303组成的第一有机电致发光单兀30、 由第一金属层401、第一半导体氧化物层402、第二半导体氧化物层403及第二金属层404 组成的电荷生成层40、由第二空穴传输层501、第二发光层502及第二电子传输层503组成 的第二有机电致发光单元50、W及阴极层60。
[0103] 上述有机电致发光器件1的制备方法包括W下步骤：
[0104] 提供一玻璃作为基板10,洗净干燥后备用；
[0105] 在基板10的一个表面上制备一层IT0导电薄膜，即阳极层20,完成后并清洗干净， 该阳极层20的方块电阻为50 Q / n。
[0106] 采用真空蒸锻技术在阳极层20表面上制备一层第一有机电致发光单元30 :
[0107] 在真空度为IX l(T4Pa的真空锻膜系统中，在阳极层20表面上制备一层厚度为 30皿的第一空穴传输层301，所用材质为TPD，TPD的蒸发速度为Inm/s ;
[0108] 在真空度为1X1(T4化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第一空穴传输层 301表面上制备一层厚度为15nm的第一发光层302,所用材质为CBP W及惨杂在CBP中的 FI巧ic，Fbpic与CBP的重量百分比为15 ;100,其中，FI巧ic的蒸发速度为0. 15nm/s，CBP 的蒸发速度为Inm/s ;
[0109] 在真空度为IX l(T4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第一发光层302 表面上制备一层厚度为30nm的第一电子传输层303,所用材质为BCP，BCP的蒸发速度为 0.5nm/s。
[0110] 采用真空蒸发技术在第一电子传输层303表面上制备一层电荷生成层40 :
[0111] 首先采用真空蒸发技术，在第一有机电致发光单元30表面上制备一层厚度为8nm 的第一金属层401，所用材质为金属Li,蒸发速度为0. 2nm/s ;
[0112] 然后采用电子束蒸发技术，在第一金属层401表面上制备一层厚度为4nm的第一 半导体氧化物层402,所用材质为In2〇3,蒸发速度为0. 2nm/s ;
[0113] 然后采用电子束蒸发技术，在第一半导体氧化物层402表面上制备一层厚度为 8nm的第二半导体氧化物层403,所用材质为Co化，蒸发速度为0. 2nm/s ;
[0114] 然后采用电子束蒸发技术，在第二半导体氧化物层403表面上制备一层厚度为 4nm的第H半导体氧化物层404,所用材质为Mo化，蒸发速度为0. 2nm/s ;
[0115] 最后采用电子束蒸发技术，在第二半导体氧化物层403表面上制备一层厚度为 8皿的第二金属层405,所用材质为Pt，蒸发速度为0. 2nm/s。
[0116] 采用真空蒸锻技术在第二金属层405表面上制备一层第二有机电致发光单元50 :
[0117] 在真空度为1 X 1(T中a的真空锻膜系统中，在第二金属层405表面上制备一层厚度 为20皿的第二空穴传输层501，所用材质为NPB，NPB的蒸发速度为0.1 nm/s ;
[0118] 在真空度为1X1(T4化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二空穴传输层 501表面上制备一层厚度为30nm的第二发光层502,所用材质为CBP W及惨杂在CBP中的 11'曲0曲2(3〇3(3)，11'曲09)2(3〇3(3)与〔8口的重量百分比为10;100，其中，11'曲0曲2(3〇3(3)的 蒸发速度为0.1 nm/s，CBP的蒸发速度为Inm/s ;
[0119] 在真空度为1 X 10-4化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二发光层502 表面上制备一层厚度为30nm的第二电子传输层503,所用材质为化hen,化hen的蒸发速度 为 0.1 nm/s。
[0120] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在第二电子传输层 503上制备一层厚度为70nm的阴极层60,所用材质为金属Ag，金属的蒸发速度为Inm/s。
[0121] 待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件1。
[0122] 在本发明的另一实施例中，第一发光层302和第二发光层502的惨杂混合材料 中的发光材料还可W用英光材料中的二甲基唾吓巧丽（DMQAX5, 6, 11，12-四苯基蔡并蔡 (Rubrene)、2,3,6,7-四氨-1，1，7,7-四甲基-1H，5H，llH-10-(2-苯并喔哇基）-唾嗦并 [9,9A，1 細]香豆素（C545T)、4,4'-二化 2-二苯己帰基）-1，1'-联苯（DPVBi)、4,4'-双
[4-(二对甲苯基氨基）苯己帰基]联苯值PAVBi)、或者磯光材料中的双（4, 6-二氣苯 基化巧）-四（l-化哇基）测酸合镶（FIr6)、双（4,6-二氣-5-氯基苯基化巧-N，C2)化 巧甲酸合镶，（FCNIrpic)、二（2'，4'-二氣苯基）化巧](四哇化巧）合镶（FIrM)、 二（1-苯基异唾晰）（己醜丙丽）合镶（11"(91山2(3〇3(3))、己醜丙丽酸二（2-苯基化巧）镶 (Ir(ppy)2(acac) )、H(1-苯基-异唾晰）合镶（Ir(piq)3)中的一种或几种替代。
[0123] 在本发明的另一实施例中，阴极层60的材质还可W用金属Mg-Ag合金替代。
[0124] 在本发明的另一实施例中，第一金属层401的材质还可W用功函小于或者等于 4. OeV的任意一种金属替代；第一半导体氧化物层402的材质还可W用功函在4. OeV~ 4. 4eV之间的任意一种半导体氧化物替代；第二半导体氧化物层403的材质还可W用功函 在4. 4eV~5. OeV之间的任意一种半导体氧化物替化例如Ta2〇e、Ce〇2或Sn〇2 ;第；半导体 氧化物层404的材质还可W用功函在5. OeV~5. 4eV之间的任意一种半导体氧化物替代， 例如AgO ;第二金属层405的材质还可W用功函大于或者等于5. 4eV的任意一种金属替代。
[0125] 在本发明的另一实施例中，该有机电致发光器件1还可W在阳极层20表面上交替 制备第一有机电致发光单元30和电荷生成层40若干次，并不W上述为限。
[0126] 对比例1
[0127] 取消实施例1、2、3所制备的有机电致发光器件的电荷生成层40,将原有的两层发 光层紧密层叠制备，即本对比例1的有机电致发光器件1包括；基板10、阳极层20、第一空 穴传输层301、第一发光层302、第二发光层502、第一电子传输层303 W及阴极层60。
[012引上述有机电致发光器件1的制备