有机电致发光器件及其制备方法

文档序号:8307210阅读:180来源:国知局
有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有 机物的最低未占有分子轨道(LUM0),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。 电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材 料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过福射失活,产生光子,释放光能。然 而,目前有机电致发光器件的发光效率较低。

【发明内容】

[0003] 基于此,有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
[0004] -种有机电致发光器件,包括导电阳极基底、阴极、层叠设置于所述导电阳极基底 的阳极层及所述阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发 光单元之间的电荷生成层,所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极 层的方向依次层叠的低功函数金属层、半导体氧化物层及高功函数金属层,所述低功函数 金属层的材料为功函数为3. 0~5. OeV的金属,所述高功函数金属层的材料为功函数为 5. 4eV~7. 0的金属,所述半导体氧化物层的材料为功函数为5. OeV~5. 4eV的金属氧化 物。
[0005] 在其中一个实施例中,所述低功函数金属层的材料为铜、银或铅,所述高功函数金 属层的材料为笛,所述半导体氧化物层的材料为二氧化铁、H氧化钢、一氧化媒或氧化银。
[0006] 在其中一个实施例中,所述低功函数金属层的厚度为5nm~lOnm,所述高功函数 金属层的厚度为5nm~lOnm,所述半导体氧化物层的厚度为3nm~8nm。
[0007] 在其中一个实施例中,每一个有机电致发光单元包括自靠近所述阳极层的方向至 远离所述阳极层的方向依次层叠的空穴传输层、发光层及电子传输层,所述低功函数金属 层形成于所述电子传输层的表面。
[0008] 在其中一个实施例中,表面形成有所述低功函数金属层的所述电子传输层的 材料包括主体材料及惨杂在所述主体材料中的惨杂材料,所述主体材料为8-羟基唾晰 铅、4, 7-二苯基-邻菲咯晰、1,3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基)苯或2, 9-二甲 基-4, 7-联苯-1,10-邻二氮杂菲,所述惨杂材料为碳酸裡、叠氮化裡、叠氮化飽或碳酸飽, 所述惨杂材料与所述主体材料的质量比为5:100~30:100。
[0009] 一种有机电致发光器件的制备方法,包括W下步骤:
[0010] 采用蒸锻技术,在导电阳极基底的阳极层表面制备至少两个有机电致发光单元及 设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层,所述电荷生成层包括自靠近所述 阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、半导体氧化物层及高 功函数金属层,所述低功函数金属层的材料为功函数为3. 0~5. OeV的金属,所述高功函 数金属层的材料为功函数为5. 4eV~7. 0的金属,所述半导体氧化物层的材料为功函数为 5. OeV~5. 4eV的金属氧化物;及
[0011] 在远离所述阳极层表面的有机电致发光单元表面制备阴极。
[0012] 在其中一个实施例中,所述低功函数金属层的材料为铜、银或铅,所述高功函数金 属层的材料为笛,所述半导体氧化物层的材料为二氧化铁、H氧化钢、一氧化媒或氧化银。
[0013] 在其中一个实施例中,所述低功函数金属层的厚度为5nm~lOnm,所述高功函数 金属层的厚度为5皿~10皿,所述半导体氧化物层的厚度为3nm~8皿。
[0014] 在其中一个实施例中,每一个有机电致发光单元包括自靠近所述阳极层的方向至 远离所述阳极层的方向依次层叠的空穴传输层、发光层及电子传输层,所述低功函数金属 层形成于所述电子传输层的表面。
[0015] 在其中一个实施例中,表面形成有所述低功函数金属层的所述电子传输层的 材料包括主体材料及惨杂在所述主体材料中的惨杂材料,所述主体材料为8-羟基唾晰 铅、4, 7-二苯基-邻菲咯晰、1,3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基)苯或2, 9-二甲 基-4, 7-联苯-1,10-邻二氮杂菲,所述惨杂材料为碳酸裡、叠氮化裡、叠氮化飽或碳酸飽, 所述惨杂材料与所述主体材料的质量比为5:100~30:100。
[0016] 上述有机电致发光器件及其制备方法,通过设置多个有机电致发光单元,并且在 相邻的有机电致发光单元之间设置电荷生成层,能够提高电荷分离和传输的效率,从而降 低整个有机电致发光器件的驱动电流,在同等驱动电流作用下,发光效率更高;采用半导 体氧化物作为电荷分离的载体,当空穴和电子在其费米能级出发生分离后,通过位于半导 体氧化物层两边的低功函数金属层及高功函数金属层传输到相邻的两个有机电致发光单 元中,由于低功函数金属层及高功函数金属层的能级各不相同,低功函数金属的功函低于 半导体氧化物的功函,因此有利于电子的传输,高功函数金属的功函高于半导体氧化物的 功函,因此有利于空穴的传输,通过该样设置,使电子和空穴分离的效果较高,因此往相邻 的两个有机电致发光单元的电子和空穴注入较多,进一步提高有机电致发光器件的发光效 率。
【附图说明】
[0017] 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;
[001引图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图;
[0019] 图3为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与电流密度的关系图。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0021] 请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的导电阳极基底 10、两个有机电致发光单元30、一个电荷生成层50及一个阴极70。
[0022] 导电阳极基底10包括透光基板12及制备在透光基板12上的阳极层14。优选的, 透光基板12为玻璃。阳极层14的材料为钢锡氧化物(IT0)。阳极层14的方块电阻为5~ lOOQ/sq。
[0023] 两个有机电致发光单元30层叠设置于导电阳极基底10的阳极层12及阴极70之 间,且电荷生成层50设于两个有机电致发光单元30之间。
[0024] 每一个有机电致发光单元30包括自靠近阳极层14的方向至远离阳极层14的方 向依次层叠的空穴传输层、发光层及电子传输层。
[00巧]空穴传输层的材料为N,N' -二苯基-N,N' -二(1-蔡基)-1,1' -联苯-4, 4' -二 胺(NPB)、4, 4',4 " - H (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)H苯胺(m-MTDATA)、N,N' -二苯 基-N,N'-二(3-甲基苯基)-l,r-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N,N',N' -四甲氧基苯 基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)。空穴传输层的厚度为20皿~60皿。
[0026] 发光层形成于空穴传输层的表面。发光层的材料为磯光材料与发光主体的混合物 或英光材料。
[0027] 英光材料为4-(二膳甲基)-2-下基-6- (1,1,7, 7-四甲基久洛呢巧-9-己帰 基)-4H-化喃(DCJTB)、二甲基唾吓巧丽(DMQA)、5,6, 11,12-四苯基蔡并蔡(Rubrene)、 2, 3, 6, 7-四氨-1,1,7, 7-四甲基-1H,5H,llH-10-(2-苯并喔哇基)-唾嗦并化9A,1細] 香豆素(C545T)、4, 4'-二化 2-二苯己帰基)-1,1'-联苯(DPVBi )、4, 4'-双[4-(二对甲 苯基氨基)苯己帰基]联苯值PAVBi)或4, 4'-双巧-己基-3-巧哇己帰基)-1,1'-联苯 炬CzVBi)。
[0028] 磯光材料选自双(4, 6-二氣苯基化巧-N,C2)化巧甲醜合镶(FI巧ic)、双(4, 6-二 氣苯基化巧)-四(1-化哇基)测酸合镶(Fire)、双(4, 6-二氣-5-氯基苯基化巧-N,C2)化 巧甲酸合镶(FCNIrpic)、二(2',4'-二氣苯基)化巧](四哇化巧)合镶(FIrN4)、二 (2-甲基-二苯基[f, h]唾喔晰)(己醜丙丽)合镶(Ir(MDQ)2(acac))、二(1-苯基异唾晰) (己醜丙丽)合镶(Ir(piq)2(acac))、己醜丙丽酸二(2-苯基化巧)镶(Ir(卵y)2(acac) )、H (1-苯基-异唾晰)合镶(Ir(piq)3)及H(2-苯基化巧)合镶(Ir(ppy)3)中的至少一种。
[0029] 发光主体为4,4'-二巧-巧哇)联苯(CBP)、8-羟基唾晰铅(Alq3)、l,3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-蔡基)-1,1'-联 苯-4,4'-二胺)(NPB)。
[0030] 优选地,磯光材料与发光主体的质量比为5 ; 100~30:100。
[0031] 优选地,发光层的厚度为5皿~30皿。
[0032] 电子传输层形成于发光层的表面。
[0033] 两个有机电致发光单元30中,其中
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