一个有机电致发光单元30的电子传输层表面 形成有电荷生成层50,另一个有机电致发光单元30的电子传输层与阴极70相邻。
[0034] 表面形成有电荷生成层30的电子传输层的材料包括主体材料及惨杂在主体材 料中的惨杂材料。主体材料为8-羟基唾晰铅（A1q3)、4,7-二苯基-邻菲咯晰炬地en)、 1，3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻 二氮杂菲炬CP)。惨杂材料为碳酸裡（LisCOs)、叠氮化裡（LiNs)、叠氮化飽（CsNs)或碳酸 飽（CS2CO3)。惨杂材料与主体材料的质量比为5:100~30:100。该电子传输层的厚度为 20nm ~40nm。
[00巧]与阴极70相邻的电子传输层的材料为8-羟基唾晰铅（Alq3)、4, 7-二苯基-邻菲 咯晰炬地en)、1，3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二甲基-4, 7-联 苯-1，10-邻二氮杂菲炬CP)。该电子传输层的厚度为20皿~60皿。
[0036] 电荷生成层50包括自靠近阳极层14的方向至远离阳极层14的方向依次层叠的 低功函数金属层52、半导体氧化物层54及高功函数金属层56。
[0037] 低功函数金属层52的材料为功函数为3. 0~5. OeV的金属。优选的，低功函数金 属层52的材料为铜（化）、银（Ag)或铅（A1)。低功函数金属层52的厚度为5皿~10皿。
[0038] 半导体氧化物层54的材料为功函数为5. OeV~5. 4eV的金属氧化物。优选的， 半导体氧化物层54的材料为二氧化铁（Ti〇2)、H氧化钢（Mo〇3)、一氧化媒（NiO)或氧化银 (AgO)。半导体氧化物层54的厚度为3皿~8皿。
[0039] 高功函数金属层56的材料为功函数为5. 4eV~7. 0的金属。优选的，高功函数金 属层56的材料为笛（Pt)。高功函数金属层56的厚度为5皿~10皿。
[0040] 阴极70的材料为银（Ag)、铅（A1)、镇-铅（Mg-Al)合金或镇-银（Mg-Ag)合金。
[0041] 优选的，阴极70的厚度为70nm~200nm。
[0042] 上述有机电致发光器件100,在两个有机电致发光单元30之间设置电荷生成层 50,能够提高电荷分离和传输的效率，从而降低整个有机电致发光器件的驱动电流，在同等 驱动电流作用下，发光效率更高；采用半导体氧化物作为电荷分离的载体，当空穴和电子在 其费米能级出发生分离后，通过位于半导体氧化物层两边的低功函数金属层及高功函数金 属层传输到相邻的两个有机电致发光单元中，由于低功函数金属层及高功函数金属层的能 级各不相同，低功函数金属的功函低于半导体氧化物的功函，因此有利于电子的传输，高功 函数金属的功函高于半导体氧化物的功函，因此有利于空穴的传输，通过该样设置，使电子 和空穴分离的效果较高，因此往相邻的两个有机电致发光单元的电子和空穴注入较多，进 一步提高有机电致发光器件的发光效率。
[0043] 在与电荷生成层50相邻的电子传输层中，在电子传输材料中惨杂了惨杂材料，提 高了电子的注入能力。
[0044] 需要说明的是，有机电致发光器件100中，有机电致发光单元30的数量不限于为 两个，也可为多个，此时，多个有机电致发光单元依次层叠设置于导电阳极基底10的阳极 层14及阴极70之间，对应的在相邻的两个有机电致发光单元30之间设置一个电荷生成层 50即可。同时，需要强调的是，两个或多个有机电致发光单元中的各层的材料可W相同也可 W不同。
[0045] 当然，有机电致发光单元30不限于仅仅包括空穴传输层、发光层及电子传输层， 还可根据需要设置其他功能层。
[0046] 请同时参阅图2, 一实施方式的有机电致发光器件100的制备方法，其包括W下步 骤：
[0047] 步骤S110、采用蒸锻技术，在导电阳极基底10的阳极层14表面制备两个有机电致 发光单元30及设置于两个有机电致发光单元30之间的电荷生成层50。
[0048] 导电阳极基底10包括透光基板12及制备在透光基板12上的阳极层14。优选的， 透光基板12为玻璃。阳极层14的材料为钢锡氧化物（IT0)。阳极层14的方块电阻为5~ 100 Q/sq。
[0049] 优选的，在导电阳极基底10使用之前，还包括对导电阳极基底10进行清洗的步 骤。清洗的步骤为；将导电阳极基底依次采用洗洁精、去离子水、丙丽、己醇及异丙醇超声清 洗，然后干燥，去除阳极层表面的有机污染物。
[0050] 每一个有机电致发光单元30包括自靠近阳极层14的方向至远离阳极层14的方 向依次层叠的空穴传输层、发光层及电子传输层。
[0051] 空穴传输层的材料为N，N'-二苯基-N，N'-二a-蔡基）-l，l'-联苯-4,4'-二 胺（NPB)、4, 4'，4 " - H (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）H苯胺（m-MTDATA)、N，N' -二苯 基-N，N'-二（3-甲基苯基）-l，r-联苯-4,4'-二胺（TPD)或N，N，N'，N' -四甲氧基苯 基）-对二氨基联苯（MeO-TPD)。空穴传输层的厚度为20皿~60皿。
[005引空穴传输层采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 1(T中a下进行，蒸 发速度为0.1 nm/s~Inm/so
[0053] 发光层形成于空穴传输层的表面。发光层的材料为磯光材料与发光主体的混合物 或英光材料。
[0054] 英光材料为4-(二膳甲基）-2-下基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢巧-9-己帰 基）-4H-化喃（DCJTB)、二甲基唾吓巧丽（DMQA)、5,6, 11，12-四苯基蔡并蔡（Rubrene)、 2, 3, 6, 7-四氨-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，llH-10-(2-苯并喔哇基）-唾嗦并化9A，1細] 香豆素（C545T)、4, 4'-二化 2-二苯己帰基）-1，1'-联苯（DPVBi )、4, 4'-双[4-(二对甲 苯基氨基）苯己帰基]联苯值PAVBi)或4, 4'-双巧-己基-3-巧哇己帰基）-1，1'-联苯 炬CzVBi)。
[00巧]磯光材料选自双（4, 6-二氣苯基化巧-N，C2)化巧甲醜合镶（FI巧ic)、双（4, 6-二 氣苯基化巧）-四（1-化哇基）测酸合镶（Fire)、双（4, 6-二氣-5-氯基苯基化巧-N，C2)化 巧甲酸合镶（FCNIrpic)、二（2'，4'-二氣苯基）化巧](四哇化巧）合镶（FIrN4)、二 (2-甲基-二苯基[f, h]唾喔晰）（己醜丙丽）合镶（Ir(MDQ)2(acac))、二（1-苯基异唾晰） (己醜丙丽）合镶（Ir(piq)2(acac))、己醜丙丽酸二（2-苯基化巧）镶（Ir(卵y)2(acac) )、H (1-苯基-异唾晰）合镶（Ir(piq)3)及H(2-苯基化巧）合镶（Ir(ppy)3)中的至少一种。
[0056] 发光主体为4,4'-二巧-巧哇）联苯（〔8口）、8-羟基唾晰铅（4193)、1，3,5-立 (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或N，N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基）-1，1'-联 苯-4,4'-二胺）（NPB)。
[0057] 优选地，磯光材料与发光主体的质量比为5 ; 100~30:100。
[0058] 优选地，发光层的厚度为5皿~30皿。
[0059] 发光层采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 10^3化下进行，英光材 料的蒸发速度为0.1 nm/s~Inm/s，磯光材料的蒸发速度为0.0 lnm/s~0. 2nm/s，发光主体 的蒸发速度为0.1 nm/s~Inm/so
[0060] 电子传输层形成于发光层的表面。
[0061] 两个有机电致发光单元30中，其中一个有机电致发光单元30的电子传输层表面 形成有电荷生成层50,另一个有机电致发光单元30的电子传输层与阴极70相邻。
[0062] 表面形成有电荷生成层30的电子传输层的材料包括主体材料及惨杂在主体材 料中的惨杂材料。主体材料为8-羟基唾晰铅（A1q3)、4,7-二苯基-邻菲咯晰炬地en)、 1，3, 5- H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻 二氮杂菲炬CP)。惨杂材料为碳酸裡（LisCOs)、叠氮化裡（LiNs)、叠氮化飽（CsNs)或碳酸 飽（CS2CO3)。惨杂材料与主体材料的质量比为5:100~30:100。该电子传输层的厚度为 20nm ~40nm。
[006引该电子传输层采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 1(T中a下进行， 其蒸发速度为0.1 nm/s~Inm/So
[0064] 与阴极70相邻的电子传输层的材料为8-羟基唾晰铅（Alq3)、4, 7-二苯基-邻菲 咯晰炬地en)、1，3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二甲基-4, 7-联 苯-1，10-邻二氮杂菲炬CP)。该电子传输层的厚度为20皿~