60皿。
[006引该电子传输层采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 1(T中a下进行， 蒸发速度为0.1 nm/s~Inm/so
[0066] 电荷生成层50包括自靠近阳极层14的方向至远离阳极层14的方向依次层叠的 低功函数金属层52、半导体氧化物层54及高功函数金属层56。
[0067] 低功函数金属层52的材料为功函数为3. 0~5. OeV的金属。优选的，低功函数金 属层52的材料为铜（化）、银（Ag)或铅（A1)。低功函数金属层52的厚度为5皿~10皿。 [006引低功函数金属层52采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 1(T中a下 进行，蒸发速度为0.0 lnm/s~0. 5nm/s0
[0069] 半导体氧化物层54的材料为功函数为5. OeV~5. 4eV的金属氧化物。优选的， 半导体氧化物层54的材料为二氧化铁（Ti〇2)、H氧化钢（Mo〇3)、一氧化媒（NiO)或氧化银 (Ago)。半导体氧化物层54的厚度为3皿~8皿。
[0070] 半导体氧化物层54采用电子束蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 1(T中a 下进行，蒸发速度为0.0 lnm/s~0. 5nm/s〇
[0071] 高功函数金属层56的材料为功函数为5. 4eV~7. 0的金属。优选的，高功函数金 属层56的材料为笛（Pt)。高功函数金属层56的厚度为5皿~10皿。
[0072] 高功函数金属层56采用电子束蒸锻制备，蒸锻在真空压力为IX 1(T5~IX 1(T中a 下进行，蒸发速度为0.0 lnm/s~0. 5nm/s〇
[0073] 步骤S120、在远离阳极层14表面的有机电致发光单元30表面制备阴极70。
[0074] 阴极70形成于远离阳极层14表面的有机电致发光单元30的电子传输层的表面。 阴极70的材料为银（Ag)、铅（A1)、镇-铅（Mg-Al)合金或镇-银（Mg-Ag)合金。
[007引优选的，阴极70的厚度为70nm~200nm。
[0076] 阴极70采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为IX 1(T5~IX 1(T中a下进行，蒸发 速度为 〇? Inm/s ~Inm/s。
[0077] 上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单，制备的有机电致发光器件的发光效 率较高。
[007引需要说明的是，有机电致发光器件100中，有机电致发光单元30的数量不限于为 两个，也可为多个，此时，多个有机电致发光单元依次层叠设置于导电阳极基底10的阳极 层14及阴极70之间，对应的在相邻的两个有机电致发光单元30之间设置一个电荷生成层 50即可。
[0079] 当然，有机电致发光单元30不限于仅仅包括空穴传输层、发光层及电子传输层， 还可根据需要设置其他功能层。
[0080] W下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说 明。
[0081] 本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空锻膜系统(沈阳科 学仪器研制中也有限公司），美国海洋光学Ocean化tics的USB4000光纤光谱仪测试电 致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的 CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0082] 实施例1
[0083] 本实施例制备的结构为 IT0 玻璃 /NPB/Ir(ppy)3 ;TPBi/Li2C〇3 ;B地en/Ag/Ti〇2/ Pt/m-MTDATA/lr(ppy)3 ;TPBi/B地en/Mg-Al的有机电致发光器件。其中，斜杆"/"表示层 状结构，冒号"："表示惨杂，下同。
[0084] 本实施例的有机电致发光器件的制备包括W下步骤：
[0085] 提供导电基板作为阳极，并清洗干净，为IT0导电玻璃，方块电阻为5Q/ 0。
[0086] 在真空度为1 X 10-中a的真空锻膜系统中，在IT0导电薄膜表面制备空穴传输层， 材质为NPB，厚度为20皿，NPB的蒸发速度为0.1 nm/so
[0087] 在真空度为1X10^化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，材质包括TPBi W及惨杂在TPBi中的Ir(ppy)3，Ir(ppy)3与TPBi的质量比为 10:100，发光层的厚度为30皿。其中11'(口口7)3的蒸发速度为0.111111/3，1?81的蒸发速度为 Inm/s。
[0088] 在真空度为IX 10-5pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材料包括叫哪惨杂的化hen,叫哪与化hen的质量比为5:100，厚度为20皿， 其中LigCA的蒸发速度为0. 05nm/s，化hen的蒸发速度为Inm/s。
[0089] 采用真空蒸发工艺在第一有机电致发光单元上制备电荷生成层，首先制备的是低 功函金属层，采用真空蒸发制备，材料为Ag，厚度为5nm，蒸发速度为0.0 lnm/s，然后用电子 束蒸发制备半导体氧化物层，材质为Ti化，厚度为3nm，蒸发速度为0.0 lnm/s，最后电子束蒸 发制备高功函金属层，材质为Pt，厚度为5皿，蒸发速度为0.0 lnm/s。
[0090] 在真空度为IX10-5化的真空锻膜系统中，在高功函金属层表面制备空穴传输层， 材料为m-MTDATA，厚度为40皿，其中m-MTDATA的蒸发速度为0. 5nm/s。
[0091] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，材质包括1?81^及惨杂在1?81中的11'(口口7)3，11'(口口7)3与1?81的质量比为 10:100，发光层的厚度为30皿。其中11'(口口7)3的蒸发速度为0.111111/3，1?81的蒸发速度为 Inm/s。
[0092] 在真空度为IX 10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为化hen,厚度为20皿，蒸发速度为0. 5nm/s。
[0093] 在真空度为IX 10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在电子传输层上制 备阴极，阴极材料为Mg-Al合金，厚度为lOOnm，蒸发速度为Inm/s。
[0094] 实施例2
[0095] 本实施例制备的结构为口0 玻璃 /Me〇-TPD/BCzVBi/Cs2C〇3 ;TPBi/Al/AgO/Pt/ MeO-TPD/BCzVBi/TPBi/Al的有机电致发光器件。
[0096] 本实施例的有机电致发光器件的制备包括W下步骤：
[0097] 提供导电基板作为阳极，并清洗干净，为IT0导电玻璃，方块电阻为100Q/ 0。 [009引在真空度为1X10-中a的真空锻膜系统中，在IT0薄膜表面制备空穴传输层，材料 为MeO-TPD，厚度为80nm，MeO-TPD的蒸发速度为Inm/s。
[0099] 在真空度为1X10^3化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，发光层材质为BCzVBi，BCzVBi的蒸锻速率为0. 05nm/s，蒸锻厚度为5nm ;
[0100] 在真空度为1X10-3化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制 备电子传输层，材质包括TPBi W及惨杂在TPBi中的CS2CO3, CS2CO3与TPBi的质量比为 30:100，厚度为40皿，其中〔82〇)3的蒸发速度为0.311111/3，化11611的蒸发速度为111111/3。
[0101] 采用真空蒸发工艺在第一有机电致发光单元上制备电荷生成层，首先制备的是低 功函金属层，采用真空蒸发制备，材料为A1，厚度为lOnm，蒸发速度为0. 5nm/s，然后用电子 束蒸发制备半导体氧化物层，材质为Ago,厚度为8nm，蒸发速度为0. 5nm/s，最后电子束蒸 发制备高功函金属层，材质为Pt，厚度为lOnm，蒸发速度为0. 5nm/s。
[0102] 在真空度为IX 10-中a的真空锻膜系统中，在高功函金属层表面制备空穴传输层， 材料为MeO-TPD，厚度为60nm，MeO-TPD的蒸发速度为Inm/s。
[0103] 在真空度为1X10^3化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，发光层材质为BCzVBi, BCzVBi的蒸锻速率为0. 05nm/s，蒸锻厚度为5nm ;
[0104] 在真空度为lX10-3pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为TPBi，厚度为60nm，蒸发速度为Inm/s。
[0105] 在真空度为1X1(T中a的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层上制备阴 极，材质为A1，厚度为200皿，蒸发速度为0. 2nm/s〇
[0106] 实施例3
[0107] 本实施例制备的结构为 IT0 玻璃 /TPD/CBP ;Fbpic/LiN3 ;BCP/Cu/NiO/Pt/NPB/ DCJTB: Alq3/B地en/Ag的有机电致发光器件。
[010引本实施例的有机电致发光