器件的制备包括W下步骤：
[010引提供导电基板作为阳极，并清洗干净，为IT0导电玻璃，方块电阻为50 Q /□。
[0110] 在真空度为1X10-中a的真空锻膜系统中，在IT0薄膜表面制备空穴传输层，材料 为TPD，厚度为30皿，TPD的蒸发速度为Inm/so
[0111] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，材质为CBP W及惨杂在CBP中的FI巧ic，发光层的厚度为15皿。其中Fbpic 与CBP的质量比为15:100, FI巧ic的蒸发速度为0. 15nm/s，CBP的蒸发速度为Inm/s。
[0112] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质包括BCP W及惨杂在BCP中的LiNs，其中LiNs与BCP的质量比为20:100， 厚度为30nm，其中LiNs的蒸发速度为0. 2nm/s，BCP的蒸发速度为Inm/s。
[0113] 采用真空蒸发工艺在第一有机电致发光单元上制备电荷生成层，首先制备的是低 功函金属层，采用真空蒸发制备，材料为化，厚度为8nm，蒸发速度为0. 2nm/s，然后用电子 束蒸发制备半导体氧化物层，材质为NiO,厚度为5nm，蒸发速度为0. 2nm/s，最后电子束蒸 发制备高功函金属层，材质为Pt，厚度为lOnm，蒸发速度为0. 2nm/s。
[0114] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用真空蒸锻在高功函金属层上制备 空穴传输层，材质为NPB，厚度为20皿，NPB的蒸发速度为0.1 nm/s。
[0115] 在真空度为1X10-中a的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，材质包括DCJTB W及惨杂在DCJTB中的Alq3, DCJTB与Alq3的质量比为5:100， 发光层的厚度为5皿。其中Alq3的蒸发速度为0. 2nm/s，DCJTB的蒸发速度为0. 05nm/s。
[0116] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为化hen,厚度为30皿，蒸发速度为0.1 nm/s。
[0117] 在真空度为IX 10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在电子传输层上制 备阴极，材质为Ag，厚度为70nm，蒸发速度为Inm/s。
[011引对比例1
[0119] 本实施例制备的结构为IT0玻璃/NPB/TPBi ;Ir(ppy)3/化hen/Mg-Al的有机电致 发光器件。
[0120] 本实施例的有机电致发光器件的制备包括W下步骤：
[0121] 提供导电基板作为阳极，并清洗干净，为IT0导电玻璃，方块电阻为5 Q /□。
[0122] 在真空度为1 X 10-5化的真空锻膜系统中，在IT0导电薄膜表面制备空穴传输层， 材质为NPB，厚度为20皿，NPB的蒸发速度为0.1 nm/so
[0123] 在真空度为1X1(T中a的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备红光发光层，材质包括1口81^及惨杂在1口81中的11'(口口7)3，11'(口口7)3与1口81的质量 比为10:100，发光层的厚度为3化111。其中11'(卵7)3的蒸发速度为0.1皿/3，1口81的蒸发速 度为Inm/so
[0124] 在真空度为lX10-5pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为化hen,厚度为20皿，蒸发速度为0.1 nm/s。
[0125] 在真空度为IXlO-Spa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在电子传输层上制 备阴极，所述阴极材料为Mg-Al合金，厚度为lOOnm，蒸发速度为Inm/s。
[0126] 测试实施例1~3和对比例1制备的有机电致发光器件在6V的驱动电压下的发 光亮度和电流效率，测试结果见表1。
[0127] 表 1 [012 引
[0129]
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，其特征在于，包括导电阳极基底、阴极、层叠设置于所述导 电阳极基底的阳极层及所述阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个 有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远 离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、半导体氧化物层及高功函数金属层，所 述低功函数金属层的材料为功函数为3. 0~5. OeV的金属，所述高功函数金属层的材料为 功函数为5. 4eV~7. 0的金属，所述半导体氧化物层的材料为功函数为5. OeV~5. 4eV的 金属氧化物。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述低功函数金属层的材 料为铜、银或铅，所述高功函数金属层的材料为笛，所述半导体氧化物层的材料为二氧化 铁、H氧化钢、一氧化媒或氧化银。
3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述低功函数金属层的厚 度为5nm~lOnm，所述高功函数金属层的厚度为5nm~lOnm，所述半导体氧化物层的厚度 为 3nm ~8nm。
4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，每一个有机电致发光单元 包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的空穴传输层、发光层及 电子传输层，所述低功函数金属层形成于所述电子传输层的表面。
5. 根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，表面形成有所述低功函数 金属层的所述电子传输层的材料包括主体材料及惨杂在所述主体材料中的惨杂材料，所 述主体材料为8-羟基唾晰铅、4, 7-二苯基-邻菲咯晰、1，3, 5- H (1-苯基-1H-苯并咪 哇-2-基）苯或2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲，所述惨杂材料为碳酸裡、叠氮 化裡、叠氮化飽或碳酸飽，所述惨杂材料与所述主体材料的质量比为5:100~30:100。
6. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括W下步骤： 采用蒸锻技术，在导电阳极基底的阳极层表面制备至少两个有机电致发光单元及设 置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括自靠近所述阳 极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、半导体氧化物层及高功 函数金属层，所述低功函数金属层的材料为功函数为3. 0~5. OeV的金属，所述高功函数 金属层的材料为功函数为5. 4eV~7. 0的金属，所述半导体氧化物层的材料为功函数为 5. OeV~5. 4eV的金属氧化物；及 在远离所述阳极层表面的有机电致发光单元表面制备阴极。
7. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于；所述低功函数 金属层的材料为铜、银或铅，所述高功函数金属层的材料为笛，所述半导体氧化物层的材料 为二氧化铁、H氧化钢、一氧化媒或氧化银。
8. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于；所述低功函数 金属层的厚度为5皿~10皿，所述高功函数金属层的厚度为5皿~10皿，所述半导体氧化 物层的厚度为3皿~8皿。
9. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于；每一个有机电 致发光单元包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的空穴传输 层、发光层及电子传输层，所述低功函数金属层形成于所述电子传输层的表面。
10. 根据权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：表面形成有 所述低功函数金属层的所述电子传输层的材料包括主体材料及惨杂在所述主体材料中 的惨杂材料，所述主体材料为8-羟基唾晰铅、4, 7-二苯基-邻菲咯晰、1，3, 5- H (1-苯 基-1H-苯并咪哇-2-基）苯或2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲，所述惨杂材料为 碳酸裡、叠氮化裡、叠氮化飽或碳酸飽，所述惨杂材料与所述主体材料的质量比为5:100~ 30:100。
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括导电阳极基底、阴极、层叠设置于所述导电阳极基底的阳极层及所述阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、半导体氧化物层及高功函数金属层，所述低功函数金属层的材料为功函数为3.0～5.0eV的金属，所述高功函数金属层的材料为功函数为5.4eV～7.0的金属，所述半导体氧化物层的材料为功函数为5.0eV～5.4eV的金属氧化物。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51-56, H01L51-52, H01L51-54
【公开号】CN104638191
【申请号】CN201310567359
【发明人】周明杰, 冯小明, 张娟娟, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月14日