有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0003]在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射)，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
[0005]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层由金属材料层和三兀掺杂层组成，所述金属材料功函数为-4.0eV?-5.5eV，所述三元掺杂层包括锂盐材料，发光材料和空穴客体材料，所述发光材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述锂盐材料选自氧化锂、氟化锂、氯化锂及溴化锂中至少一种，所述空穴客体材料选自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺及二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺中至少一种。
[0006]所述金属材料层的厚度为20nm?50nm,所述三兀掺杂层的厚度为20nm?80nm。
[0007]所述三元掺杂层中所述锂盐材料，发光材料和空穴客体材料的质量比为(3?10): (2 ?10):0.1。
[0008]所述金属材料选自银、铝、钼及金中至少一种。
[0009]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0010]在玻璃基底表面蒸镀制备散射层，所述散射层由金属材料层和三兀掺杂层组成，在所述玻璃基底表面采用热阻蒸镀制备金属材料层，所述金属材料功函数为-4.0eV?-5.5eV,在所述金属材料层表面通过热阻蒸镀制备三元掺杂层，所述三元掺杂层包括锂盐材料，发光材料和空穴客体材料，所述发光材料选自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, 1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述锂盐材料选自氧化锂、氟化锂、氯化锂及溴化锂中至少一种，所述空穴客体材料选自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烧、4，4，4- 二 (萘基-1-苯基-铵)二苯胺及二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯二胺中至少一种；
[0011]在所述散射层表面磁控溅射制备阳极，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物 '及
[0012]在所述阳极的表面依次蒸镀制备穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
[0013]所述金属材料选自银、铝、钼及金中至少一种。
[0014]所述金属材料层的厚度为20nm?50nm,所述三元掺杂层的厚度为20nm?80nm。
[0015]所述三元掺杂层中所述锂盐材料，发光材料和空穴客体材料的质量比为(3?10): (2 ?10):0.1。
[0016]所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，工作电流为IA?5A,有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?1nm/sο
[0017]上述有机电致发光器件及其制备方法，在阳极与玻璃基底之间制备散射层，散射层由金属材料层和三元掺杂层组成，金属材料层的金属材料的功函数较高，可提高空穴的注入能力，金属材料中的自由电子浓度高，可提高有机电致发光器件的导电性，三元掺杂层由锂盐材料，发光材料和空穴客体材料组成，锂盐材料的功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免电子到达阳极发生淬灭现象。发光材料为荧光发光材料与发光层的材料一致，可对发光光色进行补充，提高光色纯度，提高发光效率使发光颜色稳定，衰减速度降低，空穴客体材料可提高空穴的注入能力以及传输速率，从而有机电致发光器件的寿命较长。
【附图说明】
[0018]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0019]图2为一实施方式的有机电致发光器件的结构中散射层结构不意图；
[0020]图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0022]请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的玻璃基底10、散射层20、阳极30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
[0023]玻璃基底10为折射率为1.8?2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10 优选为牌号为 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0024]参考图2所不散射层20形成于玻璃基底10的一侧表面。散射层20由金属材料层201和三元掺杂层202组成，所述金属材料功函数为-4.0eV?-5.5eV，所述三元掺杂层202包括锂盐材料，发光材料和空穴客体材料，所述发光材料选自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, 1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中至少一种，所述锂盐材料选自氧化锂(Li20)、氟化锂(LiF)、氯化锂(LiCl)及溴化锂(LiBr)中至少一种，所述空穴客体材料选自2，3，5,6-四氟_7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷F4-TCNQ、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(IT-NATA)和二萘基-N，N' -二苯基-4，4'-联苯二胺(2T-NATA)中至少一种。
[0025]所述金属材料层201的厚度为20nm?50nm，所述三元掺杂层202的厚度为20nm?80nm。
[0026]所述三元掺杂层202中所述锂盐材料，发光材料和空穴客体材料的质量比为(3?10): (2 ?10):0.1。
[0027]所述金属材料选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)及金(Au)中至少一种。
[0028]阳极30形成于散射层20的表面。阳极30的材料为铟锡氧化物(ΙΤ0)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(ΙΖ0)，优选为ΙΤ0。阳极30的厚度为80nm?300nm，厚度优选为10nm0
[0029]空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为Mo03。空穴注入层40的厚度为20nm ?80nm,优选为 30nm。
[0030]空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm?60nm，优选为50nm。
[0031]发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi )及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm?40nm,优选为20nm。
[0032]电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm?250nm,优选为60nm。
[0033]电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)及氟化锂(LiF)中的至少一种，优选为CsF。电子注入层80的厚度为0.5nm?1nm,优选为lnm。
[0034]阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)及金(Au)中的至少一种，优选为Au。阴极90的厚度为80nm?250nm,优选为200nm。
[0035]上述有机电致发光器件100，采用折射率在1.8以上，可见光透过率为90%以上的玻璃作为有机电致发光器件的玻璃基底10，消除玻璃基底10与阳极30之间的全反射，使更多的光入射到玻璃基底10中；在阳极30与玻璃基底10之间制备散射层20，散射层由金属材料层和三元掺杂层组成，金属材料层的金属材料的功函数较高，可提高空穴的注入能力，金属材料中的自由电子浓度高，可提高有机电致发光器件的导电性，三元掺杂层由锂盐材料，发光材