半导体封装件及其制法
【技术领域】
[0001]本发明提供一种半导体封装件及其制法，尤指一种具有导电通孔的半导体封装件及其制法。
【背景技术】
[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturizat1n)的封装需求,遂发展出许多封装技术。
[0003]于制作一般半导体封装件时，为了阻挡脏污落入电镀孔(PTH)中，进而减少脏污造成后续工艺(如焊接时)的热膨胀问题，或者，为了避免回焊(reflow)时，焊球(solderball)流入电镀孔中而产生水气蒸散，进而对半导体封装件造成破坏，因此通常会在半导体封装件的电镀孔上镀上一供电性导通的电性连接垫(pad)来遮盖电镀孔，以解决上述的物质掉入电镀孔的问题，业界一般称前述结构为塞孔(via in pad或via on pad)。
[0004]但形成塞孔的电性连接垫时，由于该电性连接垫下方并非有完整的支撑，所以并不容易形成一个完全平整的电性连接垫，故电性连接垫通常都会形成有凹陷部位，而具有凹陷部位的电性连接垫在接置焊料时会产生两个问题，第一个问题是，电性连接垫因不平整而容易有不易焊接的问题；第二个更为严重的问题是，即便是想尽办法完成焊接动作，但因该电性连接垫不平整，所以还是会有部分该电性连接垫无法接触焊球，这种焊接不良的现象，容易在后续加热或落摔等信赖性实验时产生焊接点断裂的问题。
[0005]虽然，有厂商使用树脂填孔的方式，例如先将树脂材料填入电镀孔的孔洞中，再于该电镀孔上形成电性连接垫，以得到平整度较佳的电性连接垫，再继续进行其他工艺；然而，这种树脂填孔技术仅能适用在线宽线距较大的产品，例如塑性球格阵列(plastic ballgrid array, PBGA),而线宽线距较小的产品便无法使用，例如晶片尺寸封装件(chip scalepackage, CSP);但是，具有较细与较高密度的线路的产品本就是业界积极研发的目标，因此，必须有更新的技术来克服塞孔的焊接不良的问题。
【发明内容】
[0006]有鉴于上述现有技术的缺失，本发明的目的为提供一种半导体封装件及其制法，以提升焊接效果与信赖性。
[0007]本发明的半导体封装件的制法包括:于一基板本体中形成贯穿其相对两表面的导电通孔，且其中一该表面为置晶侧；于该基板本体的置晶侧的导电通孔的端面上形成电性连接凸块，并于该基板本体的两表面上形成线路层；以及于该基板本体上接置晶片，该晶片通过该电性连接凸块电性连接该基板本体。
[0008]于本发明的制法中，该晶片的一表面上具有铜柱，于该铜柱上形成有焊料，该晶片与该基板本体之间进一步通过铜柱、焊料与电性连接凸块电性连接，该铜柱的底部具有一与焊料电性连接的铜柱端面，该电性连接凸块立体地突出于导电通孔的端面，其顶部为一承接面，该承接面的面积小于该铜柱端面的面积，该电性连接凸块的最窄宽度小于该铜柱端面的直径，以令该焊料熔融时得以包覆该电性连接凸块，以提高焊接信赖性。
[0009]此外，前述承接面的图案为矩形、十字形、圆形或其他外形，但不以此为限。
[0010]而前述电性连接凸块与线路层的形成步骤包括:于该基板本体的两表面与该基板本体的导电通孔的端面上形成导电层；于该导电层上电镀形成该电性连接凸块与线路层；以及移除外露的该导电层。
[0011]另外，增加说明本发明的制法中，前述导电通孔的形成步骤包括:提供一该两表面均形成有第一金属层的该基板本体；形成贯穿该两表面与两第一金属层的通孔；于各该第一金属层上形成第二金属层，该第二金属层并填入该通孔中而构成该导电通孔，形成该第一金属层与第二金属层的材质为铜；以及移除高于各该表面的第一金属层与第二金属层。
[0012]于本发明的制法中，形成该通孔的方式为机械钻孔或激光钻孔。
[0013]所述的半导体封装件的制法中，形成该基板本体的材质为双马来醢亚胺-三氮杂苯树脂。
[0014]本发明还提供一种半导体封装件，包括:基板本体，其具有相对的两表面，且其中一该表面为置晶侧；导电通孔，其形成于该基板本体中，且贯穿该相对两表面；电性连接凸块，其形成于该基板本体的置晶侧的导电通孔的端面上；线路层，其形成于该基板本体的置晶侧的表面上；以及晶片，其接置于该基板本体上，该晶片与该基板本体之间通过该电性连接凸块电性连接。
[0015]所述的半导体封装件中，该晶片的一表面上具有铜柱，该铜柱上设置有焊料，该晶片与该基板本体之间进一步通过铜柱、焊料与电性连接凸块电性连接；或者，该电性连接凸块上设置有焊料，该焊料上设置有铜柱，该晶片与该基板本体之间进一步通过铜柱、焊料与电性连接凸块电性连接。
[0016]于前所述的半导体封装件，该线路层电性连接该电性连接凸块该铜柱的底部具有一与焊料电性连接的铜柱端面，该电性连接凸块立体地突出于导电通孔的端面，其电性连接凸块的顶部为一承接面，该铜柱的底部具有一与焊料电性连接的铜柱端面，该承接面的面积小于该铜柱端面的面积，该电性连接凸块的最窄宽度小于该铜柱端面的直径，以令该焊料熔融时得以包覆该电性连接凸块，进而提高焊接信赖性。
[0017]此外，前述承接面的图案为矩形、十字形、圆形或其他外形，但不以此为限。而形成该基板本体的材质为双马来醢亚胺-三氮杂苯树脂，也不以此为限。
[0018]依上所述，本发明通过于基板的置晶侧的导电通孔的端面上形成电性连接凸块，且该电性连接凸块立体地突出于导电通孔的端面，使得后续覆晶接置用的焊料能包覆围绕该电性连接凸块，进而能提高晶片与基板间的焊接效果与焊接信赖性。
【附图说明】
[0019]图1A至图1F为本发明的半导体封装件及其制法的剖视图。
[0020]图2A至图2C为图1F的俯视图的不同实施例。
[0021]主要组件符号说明
[0022]10 基板本体
[0023]101 表面
[0024]100 通孔
[0025]11第一金属层
[0026]12第二金属层
[0027]121导电通孔
[0028]13导电层
[0029]141线路层
[0030]142电性连接凸块
[0031]1421承接面
[0032]20晶片
[0033]21铜柱
[0034]211铜柱端面
[0035]30焊料。
【具体实施方式】
[0036]以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
[0037]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的用语也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0038]请参阅图1A至图1F，其为本发明的半导体封装件及其制法的剖视图。
[0039]首先，请参照图1A，提供一两表面101均形成有第一金属层11的基板本体10，并通过机械钻孔或激光钻孔方式形成贯穿该两表面101与两第一金属层11的通孔100，形成该第一金属层11的材质为铜，且形成该基板本体10的材质为双马来醢亚胺-三氮杂苯树月旨(Bismaleimide—Triazine resin, BT 申对月旨)。
[0040]接着，请参照图1B，于各该第一金属层11上形成第二金属层12，该第二金属层12并填入该通孔100中而构成导电通孔121，形成该第二金属层12的材质为铜。
[0041]请参照图1C,移除高于各该表面101的第一金属层11与第二金属层12。
[0042]请参照图1D，于该基板本体10的两表面101与该基板本体10的导电通孔121的端面上形成导电层13，并于该导电层1