]在前述的图1(a)以及(b)的碳纳米管片I中，在碳纳米管集合体10的整个中央区域A上统一形成了热塑性树脂部20。
[0120]而在图14所示的碳纳米管Ib内，热塑性树脂部20被分割为两个以上并配置在碳纳米管集合体10的中央区域A内。并且，热固性树脂部22以从碳纳米管集合体10的外周区域B延伸至中央区域A的方式形成，并以包围两个以上的热塑性树脂部20的方式形成。
[0121]按照半导体元件的容易发热的部位来分割配置两个以上热塑性树脂部20，由此能够将半导体元件所产生的热量高效地传导至外部。另外，由于在碳纳米管片Ib的中央区域A的一部分上也形成有接合性较强的热固性树脂部22，因此在要增强接合强度时比较方便。
[0122]两个以上热塑性树脂部20除圆形以外可以采用四边形等各种形状，并且也可以任意地设置分割数量。
[0123]为了制造图14的碳纳米管lb，只要在前述的图5(a)以及(b)的工序中，在碳纳米管集合体10上配置设置有两个以上开口部的热固性树脂材料，并在该开口部分别配置热塑性树脂材料并同样浸渗树脂即可。
[0124]另外，如图15的(a)和(b)所示的碳纳米管片Ic那样，也可以是如下结构:仅在中央区域A的热塑性树脂部20内设置碳纳米管10a，外周区域B的热固性树脂部22中不存在碳纳米管10a。
[0125]这种情况下，碳纳米管片Ic通过配置在整个外周区域B的热固性树脂部22与半导体元件以及散热件更牢固地接合。在该方式中，由于热固性树脂部22中不存在碳纳米管，因此，与图1(a)以及(b)的碳纳米管片I相比，散热性方面较为不利。
[0126]标号说明
[0127]1、la、lb、Ic:碳纳米管片；
[0128]2、2a、2b:半导体装置；
[0129]10:碳纳米管集合体；
[0130]10a:碳纳米管；
[0131]20:热塑性树脂部；
[0132]20a:热塑性树脂片；
[0133]22:热固性树脂部；
[0134]22a:热固性树脂片；
[0135]22x:开口部；
[0136]30:硅基板；
[0137]32:催化剂金属膜；
[0138]32a:催化剂金属微粒；
[0139]40:配线基板；
[0140]50:半导体元件；
[0141]52:凸点电极;
[0142]54:底部填充树脂；
[0143]60:散热件；
[0144]62:平板部；
[0145]64:突出部；
[0146]70:热沉；
[0147]72:平板部；
[0148]74 ?.散热翅片；
[0149]80:热管；
[0150]A:中央区域；
[0151]B:外周区域；
[0152]P:连接焊盘；
[0153]T:外部连接端子。
【主权项】
1.一种碳纳米管片，其特征在于，该碳纳米管片具有： 排列有两根以上碳纳米管的碳纳米管集合体； 热塑性树脂部，其形成于所述碳纳米管集合体的中央区域；以及未固化的热固性树脂部，其按照包围所述热塑性树脂部的方式形成于所述碳纳米管集合体的外周区域。
2.如权利要求I所述的碳纳米管片，其特征在于， 所述热塑性树脂部以及所述热固性树脂部覆盖在所述碳纳米管集合体的上端。
3.如权利要求I所述的碳纳米管片，其特征在于， 所述热塑性树脂部被分割为两个以上并配置在所述碳纳米管集合体的中央区域。
4.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有： 配线基板； 半导体元件，其与所述配线基板的连接焊盘连接； 碳纳米管片，其配置在所述半导体元件上；以及 散热部件，其配置在所述碳纳米管片上， 所述碳纳米管片包含：排列有两个以上碳纳米管的碳纳米管集合体；热塑性树脂部，其形成于所述碳纳米管集合体的中央区域；以及热固性树脂部，其按照包围上述热塑性树脂部的方式形成于所述碳纳米管集合体的外周区域。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述散热部件在下表面侧具有凹部并在周边设置有突出部，所述散热部件的突出部与所述配线基板接合，所述碳纳米管片的上表面与所述散热部件的凹部的底面接触。
6.一种碳纳米管片的制造方法，其特征在于，该方法包括如下工序： 在基板上形成两个以上碳纳米管而得到碳纳米管集合体的工序； 在所述碳纳米管集合体上的中央区域配置热塑性树脂材料，并且按照包围所述热塑性树脂材料的方式在所述碳纳米管集合体上的外周区域配置未固化的热固性树脂材料的工序; 浸渗所述热固性树脂材料以及所述热塑性树脂材料的工序，通过进行加热处理，使所述热塑性树脂材料以及所述热固性树脂材料流动而浸渗入所述碳纳米管集合体的间隙；以及 去除所述基板的工序。
7.如权利要求6所述的碳纳米管片的制造方法，其特征在于，在浸渗所述热固性树脂材料以及所述热塑性树脂材料的工序中，利用所述热固性树脂材料以及所述热塑性树脂材料来覆盖所述碳纳米管集合体的上端，并且所述热固性树脂材料是以未固化的状态浸渗的。
8.如权利要求7所述的碳纳米管片的制造方法，其特征在于，在浸渗所述热塑性树脂材料以及所述热固性树脂材料的工序之后，具有使所述碳纳米管的上端露出的工序，其中，对覆盖所述碳纳米管集合体上端的所述热塑性树脂材料以及所述热固性树脂材料进行研磨，使所述碳纳米管的上端露出。
9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法具有如下工序： 将半导体元件连接至配线基板的连接焊盘的工序； 准备碳纳米管片的工序； 将所述碳纳米管片配置在所述半导体元件上的工序；以及 使所述碳纳米管的上端与所述散热部件接触的工序，其中，将散热部件配置在所述碳纳米管片上，通过向下侧按压所述散热部件并同时进行加热处理，从而沿着横向挤出所述碳纳米管集合体上的所述热塑性树脂以及所述热固性树脂，使所述碳纳米管的上端与所述散热部件接触， 所述碳纳米管片包含:排列有两个以上碳纳米管的碳纳米管集合体；浸渗入所述碳纳米管集合体中央区域中的热塑性树脂部；以及按照包围所述热塑性树脂部的方式浸渗入所述碳纳米管集合体外周区域中的未固化的热固性树脂部，所述碳纳米管的上端被所述热固性树脂部以及所述热塑性树脂部覆盖。
10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在使所述碳纳米管的上端与所述散热部件接触的工序中，所述散热部件在下表面侧具有凹部并在周边设置有突出部，所述散热部件的突出部与所述配线基板接合，所述碳纳米管片的上表面与所述散热部件的凹部的底面接触。
【专利摘要】本发明提供一种能够吸收半导体元件的翘曲等的、新颖结构的碳纳米管片以及半导体装置、碳纳米管片的制造方法以及半导体装置的制造方法。该碳纳米管片包含碳纳米管集合体(10)，其排列有两根以上碳纳米管(10a)；热塑性树脂部(20)，其形成于碳纳米管集合体(10)的中央区域(A)；以及未固化的热固性树脂部(22)，其按照包围热塑性树脂部(20)的方式形成于碳纳米管集合体(10)的外周区域(B)。
【IPC分类】H01L23-367, H01L21-50, H01L21-48, H01L23-373, B82Y40-00, B82Y30-00
【公开号】CN104810335
【申请号】CN201410643282
【发明人】织田卓哉
【申请人】新光电气工业株式会社
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年11月6日
【公告号】US20150206822