光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、光半导体装 ...的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体、光半导体元件 封装片、光半导体装置及封装光半导体元件，具体设及光半导体元件封装组合物、光半导体 元件封装成型体、光半导体元件封装片、具备它们的光半导体装置及封装光半导体元件。
【背景技术】
[0002] 迄今，作为能发出高能量的光的发光装置，已知有白色光半导体装置。
[0003] 作为运种白色光半导体装置，例如提出了具备分散有二氧化娃颗粒的封装材料和 通过封装材料被覆的光半导体元件的光半导体装置(例如参见专利文献1。）。
[0004] 在专利文献1中，向5g有机娃弹性体中加入5g二氧化娃颗粒，将它们分散，制备液 态树脂组合物，由此制备第1封装材料，通过其对光半导体元件进行封装。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1:日本特开2011-228525号公报
【发明内容】
[000引发明要解决的问题
[0009] 然而，专利文献1记载的光半导体装置存在无法充分提高光的输出效率的不利情 况。
[0010] 本发明的目的在于提供能够提高光的输出效率的光半导体元件封装组合物、光半 导体元件封装成型体、光半导体元件封装片、具备它们的光半导体装置及封装光半导体元 件。
[00"]用于解决问题的方案
[0012] 本发明的光半导体元件封装组合物的特征在于，其为含有封装树脂和光扩散性有 机颗粒的光半导体元件封装组合物，前述封装树脂的折射率与前述光扩散性有机颗粒的折 射率之差的绝对值为0.020 W上且0.135 W下，前述光扩散性有机颗粒相对于前述光半导体 元件封装组合物的含有比率为1质量％ W上且10质量％ ^下，所述光半导体元件封装组合 物用于光半导体元件的封装。
[0013] 根据该光半导体元件封装组合物，封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射 率之差的绝对值在特定范围内，并且，光扩散性有机颗粒的含有比率在特定范围内，光半导 体元件封装组合物用于光半导体元件的封装，因此能够提高自光半导体元件发出的光的输 出效率。
[0014] 此外，根据该光半导体元件封装组合物，能够使光扩散性有机颗粒的比重接近封 装树脂的比重。因此，在光半导体元件封装组合物中，能够使光扩散性有机颗粒均匀地分散 于封装树脂。
[0015] 此外，在本发明的光半导体元件封装组合物中，优选的是，前述光扩散性有机颗粒 的平均粒径大于如m且为15皿W下。
[0016] 根据该光半导体元件封装组合物，光扩散性有机颗粒的平均粒径在特定范围内， 因此能够更进一步提高光的输出效率。
[0017] 此外，在本发明的光半导体元件封装组合物中，优选的是，前述光扩散性有机颗粒 相对于前述光半导体元件封装组合物的含有比率为5质量％ W上。
[0018] 根据该光半导体元件封装组合物，光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组 合物的含有比率为特定的下限W上，因此能够更进一步提高光的输出效率。
[0019] 此外，在本发明的光半导体元件封装组合物中，优选的是，前述封装树脂的折射率 与前述光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.025W上且0.1 OOW下。
[0020] 根据该光半导体元件封装组合物，封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射 率之差的绝对值在特定范围内，因此能够更进一步提高光的输出效率。
[0021] 此外，本发明的光半导体元件封装组合物优选含有巧光体。
[0022] 根据该光半导体元件封装组合物，能够通过巧光体对自光半导体元件发出的光进 行波长转换。因此，能够照射高能量的光。
[0023] 本发明的光半导体元件封装成型体的特征在于，其通过将上述光半导体元件封装 组合物成型而得到。
[0024] 该光半导体元件封装成型体由于通过将上述光半导体元件封装组合物成型而得 到，因此能够在对光半导体元件确实地进行封装的同时提高自光半导体元件发出的光的输 出效率。
[0025] 本发明的光半导体元件封装片的特征在于通过将上述光半导体元件封装组合物 成型为片状而得到。
[0026] 该半导体元件封装片由于通过将上述光半导体元件封装组合物成型为片状而得 到，因此在运输性优异的同时，能够提高自光半导体元件发出的光的输出效率。
[0027] 本发明的光半导体装置的特征在于，其具备:基板、安装于前述基板的光半导体元 件、W及对前述光半导体元件进行封装的上述光半导体元件封装成型体。
[0028] 该光半导体装置由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装成型体，因此发 光特性优异。
[0029] 此外，本发明的光半导体装置的特征在于，其具备:基板、安装于前述基板的光半 导体元件、W及对前述光半导体元件进行封装的上述光半导体元件封装片。
[0030] 该光半导体装置由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装片，因此发光特 性优异。
[0031] 本发明的封装光半导体元件的特征在于，其具备光半导体元件和对前述光半导体 元件进行封装的上述光半导体元件封装成型体。
[0032] 该封装光半导体元件由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装成型体，因 此发光特性优异。
[0033] 本发明的封装光半导体元件的特征在于，其具备光半导体元件和对前述光半导体 元件进行封装的上述光半导体元件封装片。
[0034] 该封装光半导体元件由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装片，因此发 光特性优异。
[00对发明的效果
[0036] 本发明的光半导体元件封装组合物、光半导体元件封装成型体和光半导体元件封 装片能够提高自光半导体元件发出的光的输出效率。
[0037] 本发明的光半导体装置和封装光半导体元件由于具有光的输出效率优异的光半 导体元件封装片和光半导体元件封装成型体，因此发光特性优异。
【附图说明】
[0038] 图1中的图IA和图IB是对制造本发明的光半导体装置的一个实施方式的方法进行 说明的工序图，图IA示出准备具备作为本发明的光半导体元件封装片的一个实施方式的光 半导体元件封装波长转换片和第1剥离片的封装构件的工序，图IB示出通过光半导体元件 封装波长转换片被覆光半导体元件进行封装的工序。
[0039] 图2中的图2A、图2B、图2C是对制造半导体装置的方法的变形例进行说明的工序 图，图2A示出分别准备封装构件、具备第2剥离片和光半导体元件的元件构件的工序，图2B 示出通过光半导体元件封装波长转换片被覆光半导体元件进行封装的工序，图2C示出将封 装光半导体元件安装于基板的工序。
[0040] 图3中的图3A和图3B是对制造半导体装置的方法的变形例进行说明的工序图，图 3A示出准备安装基板的工序、图3B示出将光半导体元件封装波长转换组合物涂布于安装基 板的工序。
[0041] 图4中的图4A和图4B是对制造半导体装置的方法的变形例进行说明的工序图，图 4A示出准备具备壳体的安装基板的工序，图4B示出将半导体元件封装波长转换组合物灌封 到壳体内的工序。
【具体实施方式】
[0042] [光半导体元件封装波长转换组合物]
[0043] 作为本发明的光半导体元件封装组合物的一个实施方式的光半导体元件封装波 长转换组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒作为必要成分，例如含有封装树脂、光扩 散性有机颗粒和巧光体。下面对各原料进行说明。
[0044] (封装树脂）
[0045] 对于封装树脂，例如可列举出作为用于封装光半导体元件的封装材料使用的透明 性的树脂。具体而言，作为封装树脂，例如可列举出热固性树脂、热塑性树脂，优选列举出热 固性树脂。
[0046] 作为热固性树脂，例如可列举出2阶段反应固化性树脂、1阶段反应固化性树脂。
[0047] 2阶段反应固化性树脂具有巧巾反应机理，能够在第1阶段段的反应中从A阶状态进 行郎介化(半固化），接着，在第2阶段段的反应中从郎介状态进行邱介化(完全固化）。即，2阶段 反应固化性树脂是能够通过适度的加热条件形成郎介状态的热固性树脂。但是，2阶段反应 固化性树脂也可W通过强度的加热从A阶状态开始不维持郎介状态而一次性形成C阶状态。 需要说明的是，B阶状态是热固性树脂处于液态的A阶状态与完全固化的C阶状态之间的状 态，是略微进行固化和凝胶化、压缩弹性模量小于C阶状态的弹性模量的半固体或固态状 态。
[0048] I阶段反应固化性树脂具有I个反应机理，能够在第I阶段的反应中从A阶状态进行 C阶化(完全固化）。另外，1阶段反应固化性树脂包括在第1阶段的反应途中停止其反应，能 够从A阶状态形成郎介状态，通过之后的进一步的加热，第1阶段的反应重新进行，能够从郎介 状态进行C阶化(完全固化）的热固性树脂。即，该热固性树脂是能够形成郎介状态的热固性 树脂。另一方面，1阶段反应固化性树脂包括无法控制在第1阶段反应的途中停止，即，无法 形成郎介状态，一次性地从A阶状态进行邱介化(完全固化)的热固性树脂。
[0049] 作为封装树脂，可列举出：有机娃树脂、环氧树脂、聚氨醋树脂、聚酷亚胺树脂、酪 醒树脂、尿素树脂、=聚氯胺树脂、不饱和聚醋树脂等。作为封装树脂，优选列举出有机娃树 脂。
[0050] 上述封装树脂可W是同一种类或多种类中的任一种。
[0051] 作为有机娃树脂，从透明性、耐久性、耐热性、耐光性的角度来看，例如可列举出： 加成反应固化型有机娃树脂组合物、缩合?加成反应固化型有机娃树脂组合物等有机娃树 脂组合物。有机娃树脂可W单独使用，或者也可W组合使用。
[0052] 加成反应固化型有机娃树脂组合物是1阶段反应固化性树脂，例如含有含链締基 聚硅氧烷、含娃氨基聚硅氧烷和娃氨化催化剂。
[0053] 含链締基聚硅氧烷在分子内含有2个W上链締基和/或环締基。含链締基聚硅氧烷 具体如下述平均组成式（1)所示。
[0化4] 平均组成式（1):
[005引 RlaR2bSi0(4-a-b)/2
[0056] (式中，Ri表示碳数2~10的链締基和/或碳数3~10的环締基。R2表示无取代或取代 的碳数1~10的1价控基(但链締基和环締基除外。）。曰为0.05^上且0.50^下，6为0.80^上 且 1.80W 下。）
[0057] 式（1)中，作为Ri所表示的链締基，例如可列举出：乙締基、締丙基、丙締基、下締 基、戊締基、己締基、庚締基、辛締基等碳数2~10的链締基。作为Ri所表示的环締基，例如可 列举出:环己締基、降冰片締基等碳数3~10的环締基。
[005引作为Ri,优选列举出链締基，更优选列举出碳数2~4的链締基，进一步优选列举出 乙締基。
[0059] Ri所表示的链締基可W是同一种类或多种类中的任一种。
[0060] R2所表示的1价控基是除链締基和环締基W外的无取代或取代的碳原子数1~10 的1价控基。
[0061] 作为无取代的1价控基，可列举出：例如甲基、乙基、丙基、异丙基、下基、异下基、仲 下基、叔下基、戊基、己基、戊基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等碳数1~10的烷基，例 如环丙基、环下基、环戊基、环己基等碳数3~6的环烷基，例如苯基、甲苯基、糞基等碳数6~ 10的芳基，例如苄基、苄基乙基等碳数7~8的芳烷基。优选列举出碳数1~3的烷基、碳数6~ 10的芳基，更优选列举出甲基和/或苯基。
[0062] 另一方面，对于取代的1价控基，可列举出上述无取代的1价控基中的氨原子被取 代基取代的基团。
[0063] 作为取代基，可列举出：例如氯原子等面素原子，例如缩水甘油酸基等。
[0064] 作为取代的I价控基，具体可列举出：3-氯丙基、环氧丙