专利名称：用于俘获基板的系统和方法
技术领域：
本发明涉及一种在一电子处理环境中侦测与移除一分子物种的方法，以及用于施 行该方法的系统，用于在电子制造环境中实时侦测与移除污染物。
背景技术：
在电子制造期间与分子污染物是否存在有关的实时信息已经越来越重要。随着装 置处理成本与耗时越来越高，在完成一中间步骤时和一被处理的基板的状态有关的精确信 息会相当有利。特别重要的是需要有分子物种信息，而非仅为一基板的一般型态信息，这是 因为此污染可能并不会在污染的初始点处便显现有其存在，而是直到实施数道后续步骤之 后才会显现。同样地，因为装置的形体尺寸不断地缩小，分子物种必须在越来越低的密度等 级被侦测出来。正在进行电子处理的装置特别容易在中间制程间输送该等装置期间受到污 染。输送容器(如前开式联合晶圆盒(front opening unified pod))时可能会不慎经由 该容器构造的泄漏或散发而将污染物引至其内正在输送的材料中。
发明内容
本发明的实施例是关于运用一俘获基板来纯化一环境及/或确认该环境中是否 有一分子物种存在的方法与系统，当该环境是位于电子制造中所运用的输送容器内时，此 等实施例会特别有利，其可纯化及/或确认分子物种，该分子物种为在实时装置制造期间 介于个别处理步骤之内及之间的污染物。与见证晶圆(witness wafer)所不同是(见证晶 圆是在模型实验中用于推知和一假定工作器具环境污染有关的一般信息)，本发明的一些 实施例允许正在实施一真实制程时来分析实时信息，以判断制程污染情形。本发明的其中一实施例是关于一种在一电子基板的电子处理环境中侦测一分子 物种的方法。一俘获基板会曝露在一具有该分子物种的电子处理环境中，该俘获基板具有 一不同于该电子基板的表面积。该分子物种会被输送至该俘获基板。接着便会确认该被输 送的分子物种的特征，从而侦测该分子物种。该俘获基板可能包括硅、低k介电质、铜、或是一仿真该正在进行电子处理的电 子基板的表面特征的表面。该分子物种可能为一污染物。该环境可能包括一流动流体或 是一大致静止的流体。该环境可能位于一输送容器内，较佳的是位于一前开式联合晶圆盒 (F0UP)内。该F0UP可被配置成用以固持至少26片晶圆形状的基板。该F0UP可能含有25 片正在进行电子处理的晶圆以及一片俘获基板。该电子基板较佳的为一硅晶圆，更佳的为 一未经处理的单晶硅晶圆。该俘获基板具有不同于该电子基板的表面积，举例来说，该俘获 基板的表面积可能至少约为该硅晶圆表面积的10倍。较佳而言，该俘获基板的表面积至少 约为该硅晶圆表面积的25倍。更佳而言，该俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆表面积的
5100倍。输送该分子物种至该俘获基板可能还会纯化该分子物种的环境。通过从该俘获基 板中脱附该物种便可部份确认该分子物种的特征。本发明的另一实施例是关于从一电子基板的电子处理环境中移除一分子物种。一 俘获基板会曝露在一具有该分子物种的电子处理环境中，该俘获基板具有一不同于该电子 基板的表面积。该分子物种会被输送至该俘获基板，从而自该环境中移除该分子物种。于本发明的另一实施例中提供一种诊断系统，用以诊断在一电子基板的电子处理 环境中是否有一物种存在。该系统包含一包围一环境的输送容器，以及一被包含于该输送 容器中的俘获基板。该俘获基板具有一不同于该电子基板的表面积。该系统可能还进一步 包含一位于一迷你环境中的热脱附装置，该迷你环境被配置成当该基板被安置在该热脱附 装置中时用以从该俘获基板中移除一分子物种。于本发明的另一实施例中提供一种判断方法，用以判断一运作于两个迷你环境之 间的输送容器中是否有一分子物种存在。一俘获基板会从一第一迷你环境中被加载一输送 容器之中，该容器还会固持至少一来自该第一迷你环境的电子基板。该输送容器会从该第 一迷你环境中被输送至一第二迷你环境中。该俘获基板会被移除并且分析以判断至少一分 子物种是否存在。视情况，该分子物种会接着从该俘获基板中被移除并且在后续输送至另 一迷你环境期间重新用在一输送容器之中。本发明的另一实施例是关于一种判断方法，用以判断一运作于一电子制程中的输送容器中是否有一分子物种存在。于一运用多道步骤的电子制程中会完成至少一处理步 骤。一输送容器会装载一俘获基板，并且会至少固持一片于一先前处理步骤中被处理的电 子基板。该输送容器会被输送至一位置以实施一后续处理步骤。该俘获基板会被移除并且 分析该分子物种是否存在。于实施后续的制程步骤时可反复施行本方法。
图1所示的为根据本发明各实施例，运用于一电子处理厂中的复数项制程示意 图，该电子处理厂包含器具环境、配有一自动装置与脱附单元的迷你环境、以及一用以于两 项制程之间输送已处理基板的前开式联合晶圆盒；图2所示的为根据本发明一实施例的一前开式联合晶圆盒示意图，用以固持26片 晶圆形状的基板；图3所示的为配合本发明各实施例来使用的脱附单元，用以分析/确认被输送至 一俘获基板的一分子物种。主要元部件符号说明101制造厂中的制程102制造厂中的制程110制造厂中的制程111 迷你环境112脱附单元113自动装置114连接埠115器具环境
120制造厂中的制程
121迷你环境
122脱附单元
123自动装置
124连接埠
125器具环境
130输送容器
140输送
201固定配件
202固定配件
225固定配件
226固定配件
230壳体
240出入口
300脱附单元
310壳体
320卡密纳电子鼻
330计算机
340进入气体
350氮气入口
360基板加热器
具体实施例方式从下文附图所示的本发明较佳实施例中，希望能够更明确说明本发明的目的、特 点、以及优点，其中，在所有不同图式中相同的元件符号代表相同的部件。该些附图并未依 比例缩放，其重点仅在阐述本发明的原理。本发明的实施例是关于运用一俘获基板来纯化一环境及/或确认该环境中是否 有一分子物种存在的方法与系统。当该环境是位于电子制造制作处理内时，该实施例会特 别有利。该实施例的特征可能为一或多种特殊分子物种的浓度会低于一指定位准(举例来 说，就体积百分比来说，一或多个分子物种的每一百万个中不大于100个)。在本发明的一实施例中提供一种用以于一环境中侦测一分子物种的方法。一俘获 基板会曝露在一用于制造或处理一电子基板的环境中。该环境包含该要被侦测的分子物 种。该环境可为包含于制造或处理该电子基板中的一种环境。在该环境中可能存在或不存 在该电子基板。举例来说，一俘获基板可用在一器具环境中，用以在该电子基板存在或不存 在时侦测或移除一分子物种(例如一污染物)。根据本发明，该电子基板可为一电子装置。在本发明一较佳实施例中，该电子基板 为一硅晶圆。更佳地，该电子基板为一未经处理的单晶硅晶圆。该分子物种从该环境中被 输送至该俘获基板。而后，便可确认被输送至该俘获基板的分子物种的特征，从而侦测该分 子物种。
7
此一实施例有助于在一多步骤处理环境中确认污染源，从而防止进一步发生下游 污染。于一器具环境中处理一批遭到污染的基板可能会导致该器具环境的污染，接着还会 污染后面要处理的数批基板。运用一俘获基板且确认该污染的特征便可在污染该器具环境 之前先行处置该输送容器中的材料。另外，还可在进行可能非常昂贵的下游处理步骤之前， 先行处置受到污染的基板。在此情况中，对该基板进行分析之前，污染会发生在任何制程区 域中。将该俘获基板曝露在一环境中通常涉及到让该俘获基板的一表面中的至少一部 份接触到该环境。不过，该俘获基板也可能完全被该环境包围，或以任何其它方式来曝露。 该曝露不必有任何特定时间限制，虽然在本发明的一些实施例中，该时间足以输送至少一 分子物种。在本发明一实施例中，该俘获基板的表面积大于正在被处理或制造的电子基板。 较佳而言，该电子基板为一硅晶圆。更佳而言，该电子基板为一未经处理的单晶硅晶圆。在 一实施例中，该俘获基板的表面积大于正在被处理或制造的硅晶圆。较佳地，该俘获基板的 表面积至少约为该硅晶圆表面积的10倍。更佳地，该俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆 表面积的25倍。再更佳地，该俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆表面积的100倍。在另 一特定实施例中，该俘获基板的表面积大于正在被处理或制造的一未经处理单晶硅晶圆。 较佳地，该俘获基板的表面积至少约为该未经处理单晶硅晶圆的表面积的10倍。更佳地， 该俘获基板的表面积至少约为该未经处理单晶硅晶圆的表面积的25倍。再更佳地，该俘获 基板的表面积至少约为该未经处理单晶硅晶圆的表面积的100倍。熟悉本技术的技术人员 可依据存在的分子物种种类以及应用来调整该俘获基板的表面积。举例来说，当该俘获基 板用于存在x片未经过处理的单晶硅晶圆中时，一表面积为该未经处理单晶硅晶圆的表面 积的x倍的硅晶圆便可作为俘获基板。该俘获基板的俘获容量将和该些x片未经处理的单 晶硅晶圆组合之后的俘获容量相同，且将充当与硅表面黏附的一分子污染物的吸收槽。即使该俘获基板的表面积不同于该电子基板的表面积，但是为方便起见，对该制 程中所使用的(多个)设备及(多个)容器的大小来说，较佳地为该俘获基板的尺寸和该 电子基板相同。大表面积的俘获基板可利用标准方法来产生。举例来说，一有孔的硅晶圆可加以 蚀刻以达到高表面积的目的且用作为一俘获基板。该等蚀刻程序及必要的设备均为本技术 中的熟知技术。所产生的表面积可利用一标准的表面积决定技术(举例来说，兰牟尔等温法或是 布鲁诺儿，埃梅特，特勒(BET)法)来决定。该俘获基板相对于该电子基板(例如一硅晶 圆、一未经处理的硅表面)的大表面积可提供多个额外部位来让分子物种(例如污染物) 驻留，从而提高该俘获基板吸附、黏附、或是结合该分子物种的能力。高表面积俘获基板有利于提供一高输送面积，用以固持分子物种。举例来说，倘若 一未经处理的单晶硅晶圆在一硅表面积为该未经处理单晶硅晶圆表面积的25倍的俘获基 板面前，相较于未经处理的晶圆，该俘获基板的总俘获容量基本上如同25片未经处理的硅 晶圆。因此，该俘获晶圆可用作为与硅表面黏附的一分子污染物的吸收槽。根据本发明，该俘获基板的表面积还可小于正在被处理的电子基板的表面积。可 针对该环境中的特定分子物种(例如污染物)来设计该俘获基板。该俘获基板可被设计成包括具有该等分子物种的高俘获容量的材料，从而可比正在进行电子处理的电子基板还更 有效地俘获该分子物种。所以该俘获基板的表面积便可小于该电子基板，同时又可维持该 等分子物种的高俘获容量。举例来说，含有一金属或金属氧化物涂布的俘获基板可用于侦 测或移除氨气或是碱性气体(base gas)以及酸性气体。涂布碳质媒介或奈米碳管则可用 来侦测或俘获碳氢化合物以及耐火气体。熟悉本技术的人员可依据该分子物种的性质以及 选用的俘获基板来轻易地决定该俘获基板所需的表面积。俘获基板较佳的为搭配有利于其使用的至少一项表面特征来使用。根据本发 明，表面特征可代表该表面的材料成分，表面特征还可代表该表面与该环境中分子物种互 相作用的方式。在一特殊实施例中，该俘获基板的表面会仿真正在进行电子处理的基板 的表面特征。举例来说，在一硅晶圆处理环境中，硅表面的质量控制会要求确认该表面上 是否有一特殊分子物种存在。因此，本发明中一合宜的俘获基板为一硅晶圆，或某种含硅 基板，以便可在某一程度上模拟一硅晶圆的表面特征。于另一实施例中，该俘获基板具有 一含铜的表面。明确地说，一俘获基板的硅表面上有铜存在时便能够促使形成依时烟雾 (time-dependent haze)，其可作为酸性或其它污染物种的污染标记(请参见Milnter，N.等 人于本发明的其中一实施例中，Solid State Phenomena刊物，第92册(2003年)，第109 至 112 页中所发表的「Formation of Time-DependentHaze on Silicon Wafers」)。另夕卜， 也可设计出俘获基板的其它类型表面特征(举例来说，低k介电材料表面特征)。—俘获基板上其它类型的表面包含被设计为不论相同环境中正在被处理的任何其它基板的特征为何，均可用来吸引一特殊类型分子物种或污染物(或是一组分子物种) 的表面。于此一实施例中，该俘获基板有助于确认一或多个特殊分子物种是否存在及/或 充当该分子物种的吸收槽。俘获基板可用于在一电子制程的各种环境中。该等环境的范例包含内封于各项制 程的特殊反应室内的环境或是用以于各项制程间输送正在被加工的装置与基板的输送容 器。该特殊环境可具有一流过该环境的气体(举例来说，一前开式联合晶圆盒便具有一流 过该容器的净化气体)，或者该环境实质上可能为静止的。为阐述该特定的示范环境，一电子制造厂通常包含一连串制程以实施各项功能 (举例来说，蚀刻基板、涂敷光罩、成长薄膜、移除膜层、形成形体等)。如图1的示意图，一假 定制造厂的各项功能实施于多项制程110、120中，图中的椭圆点101、102则表示本图仅显 示整个制造厂中的两项相邻中间制程。每项制程110、120均包含一器具环境115、125以及 一对应的迷你环境111、121。迷你环境(又称为微环境)通常会包围建构在制程设备周围 的地方。迷你环境通常为生产设备中的整合、受控环境，基板会驻留在该环境中且会与工作 人员及一般的制造厂环境隔离。一或多个输送容器130可经由一连接埠114、124连接至该 迷你环境111、121。因此，便可于器具环境115、125、迷你环境111、121、以及输送容器130 中运用俘获基板，用以侦测或移除对应环境中的一或多个分子物种。在本发明的一特殊实施例中，一俘获基板会曝露在一输送容器内的环境中。电子 处理中所运用的输送容器包含，但不限于标准机械接口晶圆盒(SMIF晶圆盒)、前开式联合 晶圆盒(FOUP)、前开式运送盒(FOSB)、物料仓库(stocker)、隔离晶圆盒、以及用于输送晶 圆及/或电子基板的其它容器。输送容器通常是用于输送基板、装置、或是其在各制程步骤 间的中间产物。输送容器还可用于将成品输送至远程位置，或是将原料(如未经处理的硅晶圆)输送至一制造厂的起始制程处。特殊的输送容器(如F0UP)为可能会受到污染的未密封容器，因为分子物种可渗 入该容器的壳体内。再者，输送容器还可包含使用会漏气的塑料或弹性体，而让潜在的污染 物进入该容器的壳体内。于一同样固持正在进行处理的电子基板或装置(举例来说，硅晶 圆)的输送容器内运用一俘获基板便可确认一分子物种是否存在，如前面所述，其可能会 造成在下游处理期间出现已损毁的装置。举例来说，如图1的示意图，一 F0UP 130装载着于器具环境115中被处理的多个 硅晶圆，该些晶圆会通过一在迷你环境111中工作的自动装置113而被加载于F0UP 130之 中。一俘获基板也会被载入F0UP 130之中。F0UP130会封闭且输送140至下一项制程120， 以便作进一步处理。于输送期间，该F0UP可固持该俘获基板与多个晶圆达数个小时，直到 下一项制程与迷你环境准备好接受该等F0UP的内容物为止。因此，该F0UP中的晶圆所曝 露面对的污染便可在将晶圆固持于该F0UP或是迷你环境121之中时而在将该等晶圆曝露 于下一器具环境125中之前，通过检查该俘获基板而被侦测出来。本发明的特殊实施例运用一 F0UP，其配置成用以固持26片或更多片晶圆形状的 基板。典型的F0UP会固持25片要输送的硅晶圆。如图2中所示，一 F0UP 200包括一壳体 230与一出入口 240。该F0UP壳体230含有固定配件201、202、225、226，用于固持26片晶 圆形状的基板。一般来说，会有25片正在进行电子处理的硅晶圆被固持在该F0UP的25个 固持部位处。第26个固持部位则保留供一俘获基板来使用。紧密的晶圆包装显示出为一 额外晶圆形状的基板(如俘获基板)新增一个位置实质上并不会改变一典型F0UP的尺寸。 该26片晶圆的F0UP可于该F0UP中置入一俘获基板以达诊断/纯化的目的，其并不必改变 依照固持25片晶圆的F0UP所作的典型制造厂处理规划。从一环境中输送至少一分子物种至一俘获基板并不限于任何输送机制。举例来 说，该环境基本上可为静止的，因此从该环境中将该分子物种输送至该俘获基板主要是通 过扩散来进行(当一基板的尺寸等级等同于或小于该环境中的气体分子的平均自由径时 所出现的费金现象或非费金现象)。或者，该环境也可以浓度梯度以外的其它驱动作用力来 输送一分子物种(举例来说，一净化气体可流过一含有一俘获基板的F0UP壳体)。再者，分 子物种的输送并未限制该被输送的分子物种与该俘获基板之间的相互作用。因此，于进行 输送时，该分子物种可被黏附至、被吸附至、或是以其它物理方式结合该俘获基板。于一些 实施例中，该被输送的分子物种会被吸附至该俘获基板，且较佳而言会被吸附至该基板表 面。在一相关的实施例中，该俘获基板可与该被输送的分子物种产生相互作用，以与该分子 物种中至少一部份发生反应(例如若该基板充当催化剂时)。确认从该环境被输送至该俘获基板的分子物种的特征可利用熟悉本技术所熟知 的任何技术来实施。举例来说，可利用一热源从该俘获基板中脱附该分子物种，接着便分析 该等被脱附的材料。如图3中所示，可利用一脱附单元300来确认一俘获基板上的一分子 物种。单元300具有一空气或氮气入口 350以及一进入气体340的扩散器。单元300包 含一基板加热器360，其加热该基板以脱附分子物种。分子物种确认可利用钩接至一计算 机330的卡密纳电子鼻(Kamina e-nose) 320 (参见全球信息网www. specs, com/products/ Kamina/Kamina. htm)来实施，利用一用于气体分析的梯度微芯片数组来分析该些脱附物 种。也可使用其它的确认技术(如光谱法)来找出该物种的分子特性。另外，脱附并非为该确认步骤的必需部份。在本发明的其它实施例中，如本文所述曝露于一电子制造环境中的俘获基板，还 可从该环境中移除一分子物种，从而纯化该环境。明确地说，从该环境中输送一或多个分子 物种至该俘获基板可从该环境中移除该分子物种，因此也可纯化该环境。该环境可针对一 或多个分子物种被纯化至具有一特殊的浓度等级。另外，本发明的实施例还可关于从一电 子处理环境中移除一分子物种，而不论是否确认该分子物种。于一示范的实施例中，一环境 会曝露于一俘获基板。一分子物种从该环境中输送至该俘获基板，从而自该环境中移除该 分子物种。因此，在特定范例中，俘获基板可充当一纯化器。前述实施例可运用任何的环境 以及本文所述的任何俘获基板。本发明的相关实施例是用以于一环境(例如一电子制造环境)中诊断一分子物种 是否存在及/或纯化一分子物种的系统。该系统包含一包围一环境的输送容器以及一内含 于该输送容器中的俘获基板。明确地说，该输送容器可具有一大于一未经处理单晶硅晶圆 的表面积。不过，该俘获基板与该输送容器可使用本发明中对俘获基板或输送容器所讨论 的任何特点。本发明的其它实施例还关于判断一运作于至少两个迷你环境之间的输送容器中 是否有一分子物种存在。图1中所示的便为一实施例但非局限的实施例示意图。一假定制 造厂的各项功能是在多项制程110、120中来实施，图中的椭圆点101、102则表示本图仅显 示整个制造厂中的两项相邻中间制程。每项制程110、120均包含一器具环境115、125以及 一迷你环境111、121。每一个迷你环境111、121均包含一自动装置113、123，用以操控正在 被处理的装置。举例来说，一自动装置可将晶圆从一 F0UP中载出，并加载一迷你环境与一 器具之中，以便进行处理。在完成该项制程之后，该等晶圆便可从该器具中被取出并且置入 一输送容器(如一F0UP)之中，用以输送至下一个制程器具。在该输送容器中包含一俘获基 板。对图1中所示的制程110、120来说，每一个迷你环境111、121均包含一脱附单元112、 122 (如为图3中所示的单元)。因此，当于两项制程110、120之间输送材料时，便可分析一 位于该F0UP130(其用来输送正在进行处理的基板)之中的俘获基板，以便判断可能会于该 F0UP 130的输送140期间污染该F0UP环境的分子物种(例如污染物)是否存在。所以，本发明可获得与一输送容器中真正被处理材料的潜在污染有关的实时信 息，以防止对一器具造成下游污染，或防止对已经出现瑕疵的晶圆或装置实施付出昂贵处 理的代价。本发明所述的任何俘获基板或输送容器均可用于该些实施例中。在一相关的实施例中，该经过分析的俘获基板可在该俘获基板曝露于该F0UP环 境之中后实质移除该分子物种。接着，可在另外两项制程之间的后续输送中再次使用该俘 获基板。如此可在各制程间的多次输送期间反复使用相同的俘获基板。虽然本文已经参考本发明的较佳实施例来特别显示与说明本发明，不过，熟悉本 技术的人士将会了解，仍可对本发明作各种形式与细节方面的变更，其并不会脱离权利要 求所涵盖的本发明的保护范围。
权利要求
一种从一用于电子处理一电子基板的环境中移除与侦测一分子物种的方法，所述环境是位于一运作于电子制程的输送容器内，其特征在于，所述方法包括提供一俘获基板，其中该俘获基板的表面积不同于该电子基板，并且该俘获基板会从该输送容器内的环境移除分子物种；将该俘获基板曝露于该环境中，所述环境是位于一运作于电子制程的输送容器内，以用于电子处理该电子基板；将该分子物种从该环境中输送至该俘获基板；确认输送至该俘获基板的分子物种的特征，以便侦测该分子物种。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确认该分子物种的特征包括从该俘获 基板中脱附该物种。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子基板为一硅晶圆。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硅晶圆为一正在进行电子处理的未经 处理单晶硅晶圆。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述俘获基板的表面积大于该硅晶圆。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆 的表面积的10倍。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆 的表面积的25倍。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆 的表面积的100倍。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获基板包含硅。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获基板包含一低k介电质。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获基板包含铜，而曝露该俘获基板 则包含将该铜曝露于该环境之中。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获基板具有一仿真该电子基板表面 特征的表面。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环境位于一前开式联合晶圆盒内。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述前开式联合晶圆盒被配置成用以固 持至少26片晶圆形状的基板。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分子物种为一污染物。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述输送该分子物种会因而纯化该污染 物的环境。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环境包括一流动流体。
18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环境大体上为静止。
19.一种诊断系统，用以诊断一用于电子制造一电子基板的环境中是否有一分子物种 存在，所述环境是位于一运作于电子制程的输送容器内，其特征在于，所述系统包括一包围一环境的输送容器，所述环境是位于运作于电子制程的该输送容器内，以用于 电子制造该电子基板；一内含于该输送容器中的俘获基板，其中该俘获基板的表面积不同于该电子基板，并且该俘获基板会从该输送容器内的环境移除分子物种。
20.如权利要求19所述的系统，特征在于，进一步包括一热脱附装置，其设置在一迷你环境之中，其中该热脱附装置被配置成于该俘获基板 被安置在该热脱附装置之中时用来从该俘获基板中移除至少一分子物种。
21.如权利要求19所述的系统，其特征在于，所述电子基板为一硅晶圆。
22.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述硅晶圆为一正在进行电子处理的未 经处理单晶硅晶圆。
23.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述俘获基板的表面积大于该硅晶圆。
24.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶 圆的表面积的10倍。
25.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶 圆的表面积的25倍。
26.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶 圆的表面积的100倍。
27.如权利要求19所述的系统，其特征在于，所述俘获基板包含硅。
28.如权利要求19所述的系统，其特征在于，所述俘获基板包括一低k介电质。
29.如权利要求19所述的系统，其特征在于，所述俘获基板包含铜。
30.如权利要求19所述的系统，其特征在于，所述俘获基板具有一仿真该电子基板表 面特征的表面。
31.如权利要求19所述的系统，其特征在于，所述输送容器为一前开式联合晶圆盒。
32.如权利要求31所述的系统，其特征在于，所述前开式联合晶圆盒被配置成用以固 持至少26片晶圆形状的基板。
33.如权利要求31所述的系统，其特征在于，所述前开式联合晶圆盒固持1至25片正 在进行处理的晶圆。
34.一种判断方法，用以判断一运作于至少两个迷你环境中之间的输送容器中是否有 一分子物种存在，其特征在于，包括a)从一第一迷你环境中将一俘获基板加载一输送容器之中，其中该输送容器还固持 至少一个自该第一迷你环境中加载的电子基板，其中该俘获基板的表面积不同于该电子基 板，并且该俘获基板会从该输送容器移除分子物种；b)将该俘获基板曝露于该输送容器内的环境中；c)将该输送容器从该第一迷你环境输送至一第二迷你环境；d)从该输送容器中移除该俘获基板；e)分析该俘获基板，以便判断该分子物种是否存在于该输送容器中。
35.如权利要求34所述的方法，其特征在于，进一步包括f)从该俘获基板中实质移除至少一分子物种；g)从该第二迷你环境中将该俘获基板加载一输送容器之中，其中该输送容器还固持至 少一个自该第二迷你环境中加载的电子基板；h)将该俘获基板曝露于该输送容器内的环境中；i)将该输送容器从该第二迷你环境输送至一第三迷你环境；j)从该输送容器中移除该俘获基板；k)分析该俘获基板是否有至少一分子物种存在于该输送容器中。
36.如权利要求34所述的方法，其特征在于，所述电子基板为一硅晶圆，而该俘获基板 包含一表面积大于该硅晶圆的硅表面。
37.如权利要求34所述的方法，其特征在于，所述输送容器为一前开式联合晶圆盒。
38.如权利要求37所述的方法，其特征在于，所述前开式联合晶圆盒被配置成用以固 持至少26片晶圆形状的基板。
39.如权利要求34所述的方法，其中分析该俘获基板包含从该俘获基板中脱附至少一 分子物种。
40.一种判断方法，用以判断一运作于一电子制程的输送容器中是否有一分子物种存 在，其特征在于，包括a)于一具有多道步骤的电子制程中完成至少一处理步骤；b)将一俘获基板加载一输送容器中，其中该输送容器还固持至少一电子基板，该电子 基板至少于一处理步骤中被处理，其中该俘获基板的表面积不同于该电子基板，并且该俘 获基板会从该输送容器移除分子物种；c)将该俘获基板曝露于该输送容器内的环境中；d)将该输送容器输送至一位置，用以实施一后续的处理步骤；e)从该输送容器中移除该俘获基板与至少一电子基板；f)分析该俘获基板以判断该分子物种是否存在；g)视情况至少完成一额外处理步骤，并且重复施行步骤b)至f)。
41.如权利要求40所述的方法，其特征在于，所述电子基板为一硅晶圆，而该俘获基板 包含一表面积大于该硅晶圆的硅表面。
42.如权利要求40所述的方法，其特征在于，所述输送容器为一前开式联合晶圆盒。
43.如权利要求42所述的方法，其特征在于，所述前开式联合晶圆盒被配置成用以固 持至少26片晶圆形状的基板。
44.如权利要求40所述的方法，其特征在于，分析该俘获基板包含从该俘获基板中脱 附至少一分子物种。
全文摘要
本发明公开了一种用以于一电子处理环境中侦测一分子物种的方法。本方法将一俘获基板曝露在该处理环境中；该俘获基板的表面积不同于一正在进行电子处理的电子基板的表面积；该分子物种从该环境被输送至该俘获基板；接着便会确认该分子物种的特征，从而侦测该物种。本发明中所揭示的其它方法则运用一俘获基板从一电子处理环境中移除该分子物种，或是使用该俘获基板来判断一运作于两个制程环境间或是两道中间制程步骤间的输送容器中是否有一分子物种存在。本发明还公开了用于施行前述方法的系统。
文档编号B08B17/00GK101869903SQ20101016729
公开日2010年10月27日 申请日期2006年7月31日 优先权日2005年8月2日
发明者丹尼尔·小耶尔法瑞, 杰弗瑞·J·史派杰曼, 特洛伊·B·史考金斯 申请人:恩特格林斯公司