专利名称：Tft基板及其形成方法、显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示装置领域，特别涉及TFT开关及其形成方法、显示装置及其形成方法。
背景技术：
近年来，随着信息通讯领域的迅速发展，对各种类型的显示设备的需求越来越大。 目前主流的显示装置主要有阴极射线管显示器(CRT)，液晶显示器(LCD)，等离子体显示器(PDP)，电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)等。由于液晶显示装置具有轻、 薄、占地小、耗电小、辐射小等优点，被广泛应用于各种数据处理设备中，例如电视、笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等。液晶显示装置中，使用的背光源为白光，而且只有偏振光才可以通过液晶层，这将会损失50%的光，使光的利用率仅有50%，当光通过彩色滤光板上，光的效率最多只有 33%，因此液晶显示装置中光的利用率比较低。此外，液晶显示装置还具有其他方面的缺陷例如视角范围小，结构复杂、成本高等。在液晶显示装置中TFT开关使用最为普遍。现有技术中，TFT开关的形成方法为 第一步，在基底上形成栅极薄膜层；然后经掩膜、曝光、显影、干法蚀刻栅极薄膜层后形成栅极、以及扫描线(图中未示)；第二步，形成介质层、低掺杂硅层，高掺杂硅层；然后再干法蚀刻低掺杂硅层，高掺杂硅层形成导电沟道、源区、漏区，导电沟道与栅极之间的介质层为栅介质层；第三步，形成上下透明电极(ΙΤ0膜)，作为电容；第四步，形成导电薄膜层，用掩膜曝光、蚀刻工艺刻蚀导电薄膜层形成TFT开关的源电极、漏电极以及数据线；第五步，用 PECVD法形成钝化层，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行钝化层的蚀刻成形，该钝化层作为保护膜用于对TFT开关进行保护。然而，以上所述的TFT开关形成方法复杂。现有技术中有许多关于TFT基板的专利文献，例如申请号为“200680052^3. 0”的中国专利申请中公开的“TFT基板及TFT基板的制造方法”，然而均没有解决以上所述的技术问题。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术的形成TFT开关的方法复杂。为解决上述问题，本发明提供一种TFT基板，包括基底，位于基底上的TFT开关；所述TFT开关包括栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层，与所述源区电连接的源电极，与所述漏区电连接的漏电极，电容，所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；所述第一极板与所述栅极位于同一层，所述第一极板与所述栅极的材料相同，为透光率小于50%的导电材料；
所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层，所述第二极板与所述源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50 %的导电材料，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金属。可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、 铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者它们的任意组合。可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、 铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。可选的，所述TFT开关还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT开关的表面。可选的，所述钝化层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者他们的任
思组合。可选的，所述导电沟道为低掺杂硅层，所述低掺杂硅层和栅介质层之间为高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层。本发明还提供一种显示装置，包括以上所述的TFT基板。可选的，还包括固定光栅和MEMS光阀；所述固定光栅位于所述基底与所述TFT开关之间；所述MEMS光阀位于所述TFT开关之上。本发明还提供一种形成TFT基板的方法，包括 提供基底，形成第一导电层，覆盖所述基底，所述第一导电层的材料为透光率小于 50%的导电材料；图形化所述第一导电层，形成栅极、第一极板；形成介质层，覆盖所述栅极、第一极板；在所栅极上的介质层上依次形成低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层，所述低掺杂硅层为导电沟道；形成第二导电层，覆盖所述介质层和低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述第二导电层的材料为透光率小于50%的导电材料；图形化所述第二导电层，形成与源区电连接的源电极、与漏区电连接的漏电极和第二极板，所述第二极板、第一极板和第一极板上的介质层组成电容，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。可选的，所述第一导电层、第二导电层的材料选自金属。与现有技术相比，本发明具有以下优点本技术方案的TFT基板，其电容的第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层组成了电容，由于第一极板与栅极位于同一层，第一极板与栅极的材料相同，为透光率小于50%的导电材料；第二极板与源电极和漏电极位于同一层，第二极板与源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50 %的导电材料。在应用于具有MEMS光阀的显示装置中时，由于MEMS光阀显示装置不需要 大的开口率，因此可以将TFT开关形成在显示装置中不用来进行透光的部位上，而且第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极为透光率小于50 %导电材料，优选为金属，这样TFT开关与MEMS光阀的兼容性更好，可以提高显示装置的性能。本技术方案的TFT基板的形成方法，栅极和第一极板在同一刻蚀工艺中形成，源电极、漏电极和第二极板在同一工艺中形成，栅介质层和电容介质层在同一工艺中形成，因此TFT基板的形成方法简单，并且与形成MEMS光阀的显示装置的工艺兼容性好。
图1为本发明具体实施方式
的形成TFT基板的方法的流程图；图2a、图3a、图4a为形成TFT基板的平面示意图；图2b、图3b、图4b为图2a、图3a、图4a相应的沿c-c'的剖面结构示意图；图5为底栅TFT基板的剖面结构示意图；图6为顶栅TFT开关的剖面结构示意图；图7为本发明实施例的显示装置的电路结构示意图。
具体实施例方式为了使本领域的技术人员可以更好的理解本发明，下面结合具体实施例详细说明本发明具体实施方式
的TFT基板。图1为本发明具体实施方式
的形成TFT基板的方法的流程图，参考图1，本发明具体实施方式
的形成TFT基板的方法包括步骤S10，提供基底，形成第一导电层，覆盖所述基底，所述第一导电层的材料为透光率小于50%的导电材料；步骤S20，图形化所述第一导电层，形成栅极、第一极板；步骤S30，形成介质层，覆盖所述栅极、第一极板；步骤S40，在所述栅极上的介质层上依次形成低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧的高掺杂硅层分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层，所述低掺杂硅层为导电沟道；步骤S50，形成第二导电层，覆盖所述介质层和低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述第二导电层的材料为透光率小于50%的导电材料；步骤S60，图形化所述第二导电层，形成与源区电连接的源电极、与漏区电连接的漏电极和第二极板，所述第二极板、第一极板和第一极板上的介质层组成电容，所述第二极板与漏电极或源电极电连接。图2a、图3a、图4a为形成TFT基板的方法的平面结构示意图，图2b、图3b、图4b 为图2a、图3a、图4a相应的沿c-c'的剖面结构示意图，图5为形成的底栅TFT基板沿图 2a、图3a、图4a相应的沿c-c'方向的剖面结构示意图，结合参考图1、图2a、图3a、图4a、 图2b、图3b、图4b、图5详细说明本发明具体实施例的形成TFT基板的方法。结合参考图1和图2a、图2b，图2b为图2a中沿c_c'方向的剖面结构示意图，执行步骤S10，提供基底40，形成第一导电层，覆盖所述基底40，所述第一导电层的材料为透光率小于50%的导电材料；步骤S20，图形化所述第一导电层，形成栅极41、第一极板45。本发明具体实施例中，基底40为玻璃基底，所述基底40内有背光源，且背光源包括蓝光光源、红光光源和绿光光源，所述的蓝光光源、红光光源和绿光光源可以分别由蓝光 LED、红光LED和绿光LED提供，也可以通过激光提供，且提供红绿蓝三色激光。在本发明的具体实施例中，基底40上形成有固定光栅(图中未示)。所述栅极41、 第一极板45形成在所述固定光栅上。所述固定光栅面向背光源的一面具有大于60%的反射率。本发明具体实施例中，在图形化所述第一导电层，形成栅极和第一极板的工艺中， 也形成扫描线48，所述扫描线48与所述栅极41电连接。本发明中，利用溅射的方法形成第一导电层，第一导电层为透光率小于50%的导电材料，优选金属，该金属选自金、银、铜、铝、 钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者他们的任意组合。第一导电层的材料也可以选自金、银、 铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者他们的任意的组合。本发明具体实施例中，第一导电层优选为钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的叠层结构，也可为铝层、钼层(Al/Mo)的叠层结构，铬(Cr)层，钼(Mo)层，钽层。然后利用光刻、刻蚀工艺(即经掩膜、曝光、显影、干法蚀刻)图形化所述第一导电层形成栅极41、第一极板 45以及扫描线48，其中扫描线48与栅极41电连接。结合参考图1和图3a、图3b，图北为图3a中沿c_c'方向的剖面结构示意图，执行步骤S30，形成介质层441，覆盖所述栅极41、第一极板45，步骤S40，在所述栅极41上的介质层441上依次形成低掺杂硅层442、高掺杂硅层443 ；所述高掺杂硅层443具有开口 (图中未标号)，开口两侧的高掺杂硅层分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层442，所述低掺杂硅层442为导电沟道。所述栅极41上的介质层441作为栅介质层，位于所述第一极板45上的介质层441作为电容介质层。本发明中，介质层441的材料可以为氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅 (SiON)或者碳氧化硅(SiOC)等，也可以为他们的任意组合。利用PECVD法(增强等离子体化学气相沉积)进行连续成膜，形成介质层441、低掺杂硅442，高掺杂硅层443，也就是首先利用PECVD法形成介质层441，覆盖第一极板45、栅极41以及扫描线48，接着在介质层441 上形成低掺杂硅层442，之后在低掺杂硅层442上形成高掺杂硅层443。然后，利用光刻(掩膜、曝光)和干法蚀刻图形化低掺杂硅层442、高掺杂硅层443，保留位于所述栅极41上的介质层441上的低掺杂硅层442、高掺杂硅层443 ；之后，图形化所述高掺杂硅层443，形成开口(图中未标号)，开口两侧的高掺杂硅层443分别为源区、漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层442，该低掺杂硅层442作为导电沟道。结合参考图1和图4a、图4b，图4b为图如中沿c_c'方向的剖面结构示意图，执行步骤S50，形成第二导电层，覆盖所述介质层441和低掺杂硅层442、高掺杂硅层443，所述第二导电层的材料为透光率小于50%的导电材料；步骤S60，图形化所述第二导电层，形成与源区电连接的源电极、与漏区电连接的漏电极和第二极板46，所述第二极板46、第一极板45和第一极板45上的介质层组成电容，所述第二极板46与源电极或漏电极电连接。在本发明具体实施例中，第二极板46与源电极42电连接，数据线49与漏电极电连接，在其他实施例中，第二极板46也可以与漏电极43电连接，数据线49与源电极电连接，根据源区和漏区的类型确定。本发明中，第二导电层的材料选自金属，该金属可以为金、银、铜、铝、钛、铬、钼、 镉、镍、钴其中之一或者他们的任意组合。第二导电层的材料也可以选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者他们的任意的组合。利用物理气相沉积例如溅射，沉积第二导电层，然后用光刻(掩膜、曝光)、蚀刻工艺刻蚀第二导电层形成TFT开关的源电极42、漏电极43、第二极板46。本发明具体实施例中，在图形化所述第二导电层，形成源电极42和漏电极43时，也形成数据线49，所述数据线49与所述源电极42电连接，根据源区和漏区的类型不同，数据线49也可以与漏电极43电连接。本发明具体实施例中，第二导电层优选为钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的叠层结构，也可为铝层、 钼层(Al/Mo)的叠层结构，铬(Cr)层，钼(Mo)层，钽层。参考图5，本发明具有实施例中，在形成TFT开关之后，还形成钝化层47，钝化层47 覆盖所述TFT开关。用PECVD法形成钝化层47，钝化层47的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者他们的任意组合。之后再用掩膜曝光及干法蚀刻进行钝化层的蚀刻成形，该钝化层作为保护膜用于对TFT开关进行保护。本发明的TFT基板上的TFT开关中的电容，其第一极板与 栅极一起形成，第二极板与源电极、漏电极一起形成，电容介质层在形成栅介质层的过程中形成，与栅介质层中的介质层属于同一层，这样在形成栅极、源电极、漏电极、以及栅介质层的过程中，就可以一起形成电容，从而可以简化工艺，提高生产效率，节约成本。图5为底栅TFT基板的剖面结构示意图，参考图5，本发明中的TFT基板包括基底 40，位于基底上的TFT开关；所述TFT开关包括栅极41，源区、漏区、用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述导电沟道和栅极41之间的栅介质层441，与源区电连接的源电极 42、与漏区电连接的漏电极43，电容；所述电容包括第一极板45、第二极板46以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层(图中未标号)；所述第一极板45与所述栅极41位于同一层，所述第一极板与所述栅极的材料相同，为透光率小于50%的导电材料；所述第二极板46与所述源电极42和漏电极43位于同一层，所述第二极板与所述源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50 %的导电材料，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。本发明具体实施例中，所述导电沟道为低掺杂硅层442，所述低掺杂硅层442和栅介质层之间为高掺杂硅层443，所述高掺杂硅层443具有开口(图中未标号)，开口两侧的高掺杂硅层443分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层442。本发明具体实施例中，电容介质层和栅介质层在同一层，且材料相同，在制作工艺中，在栅极41和第一极板45上形成介质层，位于栅极41上的介质层作为栅介质层，位于第一极板45上的介质层作为电容介质层。本技术方案的TFT基板，其电容的第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层组成了电容，由于第一极板与栅极位于同一层，第一极板与栅极的材料相同，为透光率小于50%的导电材料；第二极板与源电极和漏电极位于同一层，第二极板与源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50 %的导电材料。在应用于具有MEMS光阀的显示装置中时，由于MEMS光阀显示装置不需要大的开口率，因此可以将TFT开关形成在显示装置中不用来进行透光的部位上，与现有技术中形成ITO透明电极作为电容的TFT 开关相比，本发明的TFT开关与MEMS光阀的兼容性更好，可以提高显示装置的性能。本发明具体实施例中，TFT基板还包括扫描线48和数据线49，所述栅极41与所述扫描线48电连接，所述源电极42与所述数据线49电连接。本发明中，TFT基板还包括固定光栅(图中未示)，所述固定光栅位于所述基底40和所述TFT开关之间。
本发明具体实施例中，所述第一极板45、第二极板46、栅极41、源电极42、漏电极 43的材料为金属，该金属选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者他们的任意组合。也可以选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者他们的任意的组合。该具体实施例中，第一极板45、第二极板46优选为，钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的叠层结构，也可为铝层、钼层(Al/Mo)的叠层结构，铬(Cr) 层，钼(Mo)层，钽层。源电极42、漏电极43优选铝。所述电容介质层和栅介质层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者他们的任意组合。本发明具体实施例中，所述TFT基板还包括钝化层47，所述钝化层47覆盖所述 TFT开关的表面。所述钝化层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者他们的任
思组合。以上所述的TFT开关为底栅TFT开关，即栅极41位于基板与源电极、漏电极之间。 在其他实施例中，TFT开关也可以为顶栅TFT开关，图6为顶栅TFT开关的剖面结构示意图， 其剖切的位置与图5中的剖切位置相同。参考图6，在该具体实施例中，栅极51位于TFT开关的顶部，也就是说栅极51位于栅介质层541上，栅介质层541位于导电沟道542上，还包括源区544和漏区M3，导电沟道542用于电导通源区544和漏区M3，源电极52与源区 544电连接，漏电极53与漏区M3电连接。还包括电容，该电容包括第一极板55、第二极板56以及位于第一极板56和第二极板55之间的电容介质层(图中未标号)，其中第二极板阳与漏电极53、源电极52位于同一层，其材料均为透光率小于50%的导电材料，第一极板56栅极51位于同一层，其材料均为透光率小于50%的导电材料，电容介质层和栅介质层 541位于同一层，其材料相同。在TFT开关上也形成有钝化层，第一极板56、第二极板55、栅极51、漏电极53、源电极52、栅介质层、电容介质层的材料均与底栅的TFT开关相同。第二极板阳与源电极或漏电极电连接。在本发明具体实施例中，第二极板阳与漏电极53电连接，在其他实施例中，第二极板阳也可以与源电极52电连接，根据源区和漏区的类型确定。基于以上所述的TFT基板，本发明还提供了显示装置。图7为本发明实施例的显示装置的电路结构示意图，参考图7，本发明的显示装
置包括基底，位于基底上的多条扫描线G1、G2.......Gm，位于基底上的多条数据线D1、
D2.......Dn,位于基底上的多个TFT开关(薄膜晶体管开关)、TFT开关中包括的电容C以
及MEMS光阀30 ；多条扫描线相互平行，多条数据线相互平行，且数据线与扫描线相互垂直； 数据线与TFT开关的源极电连接，扫描线与TFT开关的栅极电连接，通过扫描线控制TFT开关的开启、关闭，通过数据线控制施加给TFT开关的电压，TFT开关与MEMS光阀电连接，控制施加给MEMS光阀的电压；TFT开关也与电容C电连接，电容C与MEMS光阀电连接。本发明的显示装置中还包括与MEMS光阀30配合的固定光栅(图6中未示)。其中，基底、位于基底上的扫描线、数据线以及TFT开关、TFT开关中包括的电容C 即为以上所述的TFT基板中包括的基底、扫描线、数据线以及TFT开关、TFT开关中包括的电电容。也就是说，本发明的显示装置，包括以上所述的TFT基板。本发明中，显示装置还包括固定光栅(图中未示)和MEMS光阀30 ；所述固定光栅位于所述基底与所述TFT开关之间(结合参考图6和图5)；所述MEMS光阀30位于所述 TFT开关之上。相应的TFT开关与MEMS光阀电连接，通过数据线控制施加给MEMS光阀的电压，从而可以使MEMS光阀在静电力的作用下移动，以控制背光源发出的光透过固定光栅的透光率。并且，TFT开关中的电容也与MEMS光阀电连接，在与MEMS光阀的TFT开关处于断开状态时持续给MEMS光阀供电。由于具有MEMS光阀的显示装置不需要大的开口率，因此可以利用本发明的TFT开关，将其形成在不透光的位置。在本发明的其他实施例中，也可以为所述MEMS光阀位于所述TFT开关之上，所述固定光栅位于所述MEMS光阀开关之上。也就是说，将MEMS光阀和固定光栅的上下位置交换。本发明中，所述基底内具有背光源，所述固定光栅面向背光源的一面具有大于60%的反射率。需要说明的是，图示中 没有示意出于每一个MEMS光阀电连接的所有的TFT开关。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种TFT基板，包括基底，位于基底上的TFT开关；所述TFT开关包括栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层，与所述源区电连接的源电极，与所述漏区电连接的漏电极，电容，所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；其特征在于，所述第一极板与所述栅极位于同一层，所述第一极板与所述栅极的材料相同，为透光率小于50%的导电材料；所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层，所述第二极板与所述源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50 %的导电材料，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。
2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金属。
3.如权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者它们的任意组合。
4.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。
5.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT开关还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT开关的表面。
6.如权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，所述钝化层的材料选自氧化硅、氮化硅、 碳化硅或氮氧化硅或者他们的任意组合。
7.如权利要求1 6任一项所述的TFT基板，其特征在于，所述导电沟道为低掺杂硅层，所述低掺杂硅层和栅介质层之间为高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1 7任一项所述的TFT基板。
9.如权利要求8所述的显示装置，还包括固定光栅和MEMS光阀；所述固定光栅位于所述基底与所述TFT开关之间；所述MEMS光阀位于所述TFT开关之上。
10.一种形成TFT基板的方法，其特征在于，包括提供基底，形成第一导电层，覆盖所述基底，所述第一导电层的材料为透光率小于50% 的导电材料；图形化所述第一导电层，形成栅极、第一极板；形成介质层，覆盖所述栅极、第一极板；在所栅极上的介质层上依次形成低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口， 开口两侧的高掺杂硅层分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层，所述低掺杂硅层为导电沟道；形成第二导电层，覆盖所述介质层和低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述第二导电层的材料为透光率小于50%的导电材料；图形化所述第二导电层，形成与源区电连接的源电极、与漏区电连接的漏电极和第二极板，所述第二极板、第一极板和第一极板上的介质层组成电容，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。
11.如权利要求10所述的形成TFT基板的方法，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层的材 料选自金属。
全文摘要
一种TFT基板及其形成方法、显示装置，TFT基板包括基底，位于基底上的TFT开关；TFT开关包括栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于栅极和导电沟道之间的栅介质层，与源区电连接的源电极，与漏区电连接的漏电极，电容，电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；第一极板与栅极位于同一层，第一极板与栅极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料；第二极板与源电极和漏电极位于同一层，第二极板与源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料，第二极板与源电极或漏电极电连接。本发明可以提高TFT开关与具有MEMS光阀显示装置的兼容性以及性能。
文档编号G02F1/1368GK102237370SQ201110097150
公开日2011年11月9日 申请日期2011年4月18日 优先权日2011年4月18日
发明者唐德明, 毛剑宏 申请人:上海丽恒光微电子科技有限公司