1.一种共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）清洗衬底，以丙酮，酒精，去离子水分别对衬底材料进行超声波清洗，除去表面的油脂和污物，并用热风吹干；
（2）溅射腔室中，钨靶与石墨靶成45°溅射交角；
（3）将清洗吹干的衬底置于载物台上，衬底对准两个靶材溅射的焦点；
（4）Ar+离子轰击靶材3-5分钟，清洗和活化靶材；
（5）溅射腔室真空度抽至10-5Pa时，通入溅射气体氩气，使其起辉，进行预溅射3-5分钟，除去两靶材表面的杂质、污物；
（6）进行溅射镀膜时，钨靶、石墨靶功率为50~200W；工作气压保持在0.2~2.0Pa、溅射时间10~60min、偏压-80~-200V，钨靶、石墨靶同时进行磁控溅射镀膜，镀膜后直接获得W掺杂DLC薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于步骤1所用衬底是单晶Si片、玻璃、金属中的任一种基材。
3.根据权利要求1所述的一种共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于钨靶材与石墨靶材的工艺参数可进行单独调整。