1.一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的a靶和b靶，a靶和b靶分别连接第一电源，其特征在于：b靶的等离子体的方向朝向a靶的表面，用于将b靶的材料沉积在a靶的表面上，a靶的等离子体的方向朝向基板，用于将a靶和b靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板，第一导电板设置在基板的远离a靶的另一侧，第一导电板连接第二电源的一输出端。
2.一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的a靶和b靶，a靶和b靶分别连接第一电源，其特征在于：b靶的等离子体的方向朝向a靶的表面，用于将b靶的材料沉积在a靶的表面上，a靶的等离子体的方向朝向基板，用于将a靶和b靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板、第二导电板和第三导电板，第一导电板设置在基板的远离a靶的另一侧，第一导电板连接第二电源的一输出端，第二导电板位于a靶的远离b靶的一侧，第三导电板位于b靶的远离a靶的一侧，第二导电板和第三导电板分别连接第三电源的两输出端。
3.根据权利要求2所述的真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述第二导电板和第三导电板均为金属板。
4.根据权利要求1或2所述的真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述第一导电板为金属板。
5.根据权利要求1或2所述的真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述a靶和b靶之间的距离可调节。
6.根据权利要求1或2所述的真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述a靶和b靶都为旋转圆柱靶；或a靶为旋转圆柱靶而b靶为平面靶。
7.根据权利要求1或2所述的真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述a靶表面的磁场强度与b靶表面的磁场强度不相等。
8.根据权利要求1或2所述的真空溅射镀膜装置，其特征在于：还包括一挡板，所述挡板阻挡在b靶与基板之间。
9.根据权利要求8所述的真空溅射镀膜装置，其特征在于：所述挡板与第二电源或第四电源的一输出端连接。
10.根据权利要求1或2所述的真空溅射镀膜装置，其特征在于：该真空溅射镀膜装置为水平构造或立式构造。