一种ITO薄膜的制备方法与流程

文档序号:11669777阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法,其包括:将ITO前驱体液涂覆在基体上,并经干燥处理而形成薄膜;将所述薄膜空气氛围退火,之后进行闪灯强脉冲光烧结处理。与空气退火后不进行闪灯烧结和不进行空气退火直接闪灯烧结的ITO薄膜相比,藉由本发明的方法可以显著提升ITO薄膜的电导,特别是使ITO薄膜在低温下有高的电导,同时还可显著改善ITO薄膜的形貌,并且本发明的方法无需真空、无需高温、简单易行,适用于低温下的应用。

技术研发人员:谢美兰;吴馨洲;邵霜霜;陈征;崔铮
受保护的技术使用者:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日:2016.01.18
技术公布日:2017.07.25
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