专利名称：基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料及其应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机半导体光电材料领域，尤其涉及一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，及其在OLED器件的空穴注入层中的应用。
背景技术：
如图I所示，OLED器件主要由阴极I、发光层2、空穴注入层(HIL)3、阳极4、衬底5顺次层叠构成，电源6连接阴极I与阳极4。所述发光层2为有机材料。制备OLED器件时，通常是在衬底5上先设置氧化铟锡(ITO)作为阳极4，然后在ITO阳极4上设置空穴注入层(HIL) 3，接着在空穴注入层3上设置发光层2，最后在发光层2上再蒸镀金属阴极1，例如依次真空蒸镀一层CsF和一层金属Al共同作为阴极I。设置发光层2的方法通常利用旋涂法，具体做法是将有机发光材料溶解在甲苯等溶剂中制得有机发光材料溶液，然后将有机发光材料溶液旋转涂覆在空穴注入层3上，为了避免有机发光材料溶液中的甲苯等溶剂将空穴注入层3溶解或侵蚀，从而影响OLED器件的工作效果，所以只能选用不溶或难溶于甲苯等溶剂的有机材料作为空穴注入层3的材料。目前，可选择的空穴注入层有机材料很少，常用的空穴注入层材料主要有两种，一种是聚(3，4-乙撑二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸盐的混合物水溶液(PED0T:PSS)，另一种是聚乙烯基咔唑(PVK)。其中又以PEDOT: PSS最为常用，但是PEDOT: PSS其实是一种酸性溶液，对ITO阳极有一定的腐蚀作用，所以采用PED0T:PSS作为空穴注入层会降低OLED器件的寿命和稳定性。而由于PVK是一种主链非共轭的聚合物，其电导率并不高，所以PVK的空穴注入/传输性能并不太好，这也是影响OLED器件性能的不利因素之一。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种能够作为OLED器件的空穴注入层材料的共轭聚电解质光电材料。本发明的技术解决方案是一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，其结构式为
权利要求
1. 一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，其特征在于结构式为其中，0〈1〈1，0〈7〈1，計7=1;11为所述共轭聚电解质光电材料的聚合度，η为f 10000的自然数；R1、R2、R3、R4为C1 C4的烷基，R5为Cl C20的烷基。
2.根据权利要求I所述基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，其特征在于，所述R1、 R2、R3、R4为乙基。
3.根据权利要求I所述基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，其特征在于，所述R5为-
4.权利要求f3任一项所述基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料在OLED器件的空穴注入层中的应用。
全文摘要
本发明公开了一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，及其在OLED器件中的应用。本发明所述基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料的聚合物主链是共轭的，聚合物主链由具有良好空穴注入/传输性能的咔唑基团组成，具有较高的电导率，有利于OLED器件中空穴的注入与传输。
文档编号C07D209/86GK102977342SQ201210538548
公开日2013年3月20日 申请日期2012年12月14日 优先权日2012年12月14日
发明者不公告发明人 申请人:东莞市后博科技服务有限公司