取向膜、取向膜材料和具有取向膜的液晶显示装置及其制造方法

专利名称：取向膜、取向膜材料和具有取向膜的液晶显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及取向膜、取向膜材料和具有上述取向膜的液晶显示装置及其制造方 法。
背景技术：
液晶显示装置不仅被用作手机的显示部等小型的显示装置，也被用作大型电视。 一直以来经常使用的TNCTwisted Nematic，扭曲向列)模式的液晶显示装置具有比较狭窄 的视野角，但近年制造了称为IPSan-Plane-Switching，内面开关)模式和VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式的宽视野角的液晶显示装置。在这样的宽视野角的模式中，由 于VA模式能够实现高对比度比，所以被大量的液晶显示装置所采用。在通常的VA模式的 液晶显示装置中，取向膜由在耐热性、耐溶剂性和吸湿性等方面具有优势的聚酰亚胺形成。作为VA模式的一种，已知在1个像素区域形成多个液晶畴的MVA(Mutli-domain Vertical Alignment，多畴垂直取向)模式。在MVA模式的液晶显示装置中，在夹着垂直取 向型液晶层相对向的一对基板中的至少一方的液晶层侧设置有取向限制结构。取向限制结 构例如为在电极上设置的线状的狭缝(开口部)或肋(突起结构)。通过取向限制结构，从 液晶层的一侧或两侧施加取向限制力，形成取向方向不同的多个液晶畴(典型的是4个液 晶畴)，从而实现视野角特性的改善。另夕卜，作为VA模式的另一种，也已知CPA (Continuous Pinwheel Alignment，连续 焰火状排列)模式。通常的CPA模式的液晶显示装置中，设置有具有高对称性形状的像素 电极，并且对应于液晶畴的中心在相对电极上设置有突起物。该突起物也称为铆钉。施加电 压时，随着由相对电极和高对称性像素电极形成的斜向电场，液晶分子呈放射状倾斜取向。 另外，通过铆钉的倾斜侧面的取向限制力，液晶分子的倾斜取向稳定化。这样，通过1个像 素内的液晶分子呈放射状取向，实现了视野角特性的改善。与通过取向膜规定液晶分子的预倾斜方向的TN模式的液晶显示装置不同，在MVA 模式的液晶显示装置中，通过线状的狭缝或肋给予液晶分子以取向限制力，所以对于像素 区域内的液晶分子的取向限制力对应于距狭缝或肋的距离而有所不同，像素内的液晶分子 的响应速度产生差别。同样，即使在CPA模式中，像素内的液晶分子的响应速度也产生差 别，并且，像素电极的尺寸越大，响应速度的差别越显著。另外，在VA模式的液晶显示装置 中，由于设置有狭缝、肋或铆钉的区域的光的透射率低，所以难以实现高的亮度。为了避免上述问题，已知关于VA模式的液晶显示装置，也使用给予液晶分子以取 向限制力的取向膜，使得在不施加电压时从取向膜的主面的法线方向倾斜(例如，参考专 利文献1、2)。在专利文献1中，对取向膜进行摩擦等取向处理，利用取向膜规定液晶分子，使得 即使在不施加电压时液晶分子也从其主面的法线方向倾斜取向，由此，实现了响应速度的 提高。并且，取向膜规定液晶分子的预倾斜方位，使得1个像素内的液晶分子呈对称取向，由此，能够实现视野角特性的改善。在专利文献1所公开的液晶显示装置中，在液晶层中， 与第一取向膜的两个取向区域和第二取向膜的两个取向区域的组合对应地形成4个液晶 畴，由此，实现宽的视野角。另外，在专利文献2中，通过对侧链具有光反应性官能团的取向膜斜向照射光，赋 予预倾斜，使得在不施加电压的状态下液晶分子从取向膜的主面的法线方向倾斜。通过这 样的光取向处理赋予预倾斜的取向膜也称为光取向膜。专利文献2所公开的光取向膜，通 过使用含有感光性基团的结合结构的取向膜材料，将预倾斜角的不均勻性控制在1°以下。在先技术文献专利文献专利文献1 日本特开平11-35M86号公报专利文献2 国际公开第2006/121220号小册子

发明内容
发明要解决的课题通常，在液晶显示装置中，如果长时间持续显示同一图案，即使切换显示，有时也 会出现前面的图案的残留。这种现象也称为影像残留。例如，在画面的一部分区域长时间显 示白色、在其他区域长时间显示黑色之后，如果在整体液晶面板显示同样的中间灰度等级， 有时可以看到之前显示白色的区域比之前显示黑色的区域稍亮。这种影像残留的原因之一是由于电荷的积蓄。在显示黑色的区域积蓄的电荷量 与在显示白色的区域积蓄的电荷量不同，液晶中的杂质离子在取向膜和液晶层的界面上积 蓄，导致产生电场。因此，在将整体切换为相同灰度等级时，在显示白色和黑色的区域的各 液晶层上施加了不同的电压，可以观察到影像残留。另外，这种由于电荷的积蓄而引起的影像残留，通过对各像素施加极性相反的电 压，可以在某种程度上得到抑制。因此，由于电荷的积蓄而引起的影像残留也被称为DC影 像残留。另外，为了抑制DC影像残留而施加极性相反的电压的驱动也被称为极性反转驱 动。另外，实际上，即使进行极性反转驱动，施加极性完全对称的电压也很困难，有时以闪烁 的状态观察到发生的影像残留。另外，预倾斜角微小的变化也会产生影像残留。由于预倾斜角变化时会对V-T特 性产生影响，所以即使施加相同电压，透射率也会发生变化。由于白显示时的施加电压与黑 显示时的施加电压不同，对应于施加电压，预倾斜角的变化量有所不同，之后，在整体都切 换到相同灰度等级时，有时会观察到由于预倾斜角的变化引起的影像残留。这样的影像残 留即使进行极性反转驱动也不能得到抑制，也称为AC影像残留。本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种抑制由于预倾斜角的变化 而引起的影像残留的取向膜、用于形成上述取向膜的取向膜材料以及具有上述取向膜的液 晶显示装置及其制造方法。解决问题的手段本发明的取向膜是含有聚酰亚胺和聚乙烯基化合物的取向膜，上述聚乙烯基化合 物包含具有多个乙烯基的多官能单体的聚合物，上述多官能单体由通式(1)Pl-Al-(Z1-A2) n_P2表示(在通式(1)中，Pl和P2独立地为丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺或甲基丙烯
6酰胺，Al和A2独立地表示1，4-亚苯基、1，4-环己烷或2，5-噻吩、或者萘_2，6- 二基、蒽-2， 7-二基、蒽-1，8-二基、蒽-2，6-二基或蒽-1，5-二基，Zl 为-COO-、-0C0-、_0_、-CONH-基 或单键，η为0或1)。在某实施方式中，上述多官能单体的上述多个乙烯基分别为甲基丙烯酸酯基或丙 烯酸酯基的一部分。在某实施方式中，上述多官能单体，在上述多个乙烯基之间，具有2个以上直接结 合的环结构或1个以上的缩环结构。在某实施方式中，上述聚酰亚胺和上述聚乙烯基化合物两者存在于表面和内部。在某实施方式中，上述表面中的上述聚乙烯基化合物的浓度比上述内部中的上述 聚乙烯基化合物的浓度高。在某实施方式中，上述取向膜是光取向膜。在某实施方式中，上述聚酰亚胺具有含有光反应性官能团的侧链。在某实施方式中，上述光反应性官能团含有肉桂酸酯基。本发明的液晶显示装置是具备有源矩阵基板、相对基板和在上述有源矩阵基板与 上述相对基板之间设置的液晶层的液晶显示装置，上述有源矩阵基板和上述相对基板的至 少一方具有上述取向膜。在某实施方式中，上述取向膜规定上述液晶分子，使得在不施加电压时上述液晶 层的液晶分子从上述取向膜的主面的法线方向倾斜。在某实施方式中，上述液晶显示装置具有多个像素，上述液晶层具有相对于上述 多个像素的各个基准取向方位彼此不同的多个液晶畴。在某实施方式中，上述多个液晶畴为4个液晶畴。本发明的取向膜的制造方法包括准备取向膜材料的工序，该取向膜材料含有聚 酰亚胺前体与具有多个乙烯基的多官能单体的混合物；和由上述聚酰亚胺前体形成聚酰亚 胺，由上述多官能单体形成聚乙烯基化合物的工序。在某实施方式中，形成上述聚乙烯基化合物的工序包括进行上述多官能单体的聚 合的工序。在某实施方式中，在准备上述取向膜材料的工序中，上述多官能单体，在上述多个 乙烯基之间具有2个以上的直接结合的环结构或1个以上的缩环结构，上述多官能单体相 对于上述取向膜材料的浓度在以上、50wt%以下的范围内。在某实施方式中，形成上述聚酰亚胺和聚乙烯基化合物的工序包括进行加热处理 的工序。在某实施方式中，进行上述加热处理的工序包括进行第一加热处理的工序；和 在进行上述第一加热处理后，进行比上述第一加热处理的温度高的第二加热处理的工序。本发明的液晶显示装置的制造方法，包括形成有源矩阵基板和相对基板的工序； 和在上述有源矩阵基板和上述相对基板之间形成液晶层的工序。其中，形成上述有源矩阵 基板和上述相对基板的工序包括准备设置有像素电极的第一透明基板和设置有相对电极 的第二透明基板的工序；和在上述像素电极和上述相对电极的至少一方之上，按照上述制 造方法制造取向膜的工序。在某实施方式中，在形成上述液晶层的工序中，上述取向膜规定上述液晶分子，使得在不施加电压时上述液晶层的液晶分子从上述取向膜的主面的法线方向倾斜。在某实施方式中，形成上述有源矩阵基板和上述相对基板的工序还包括对上述取 向膜进行取向处理的工序。在某实施方式中，进行上述取向处理的工序包括向上述取向膜照射光的工序。在某实施方式中，上述光的波长在250nm以上、400nm以下的范围内。在某实施方式中，进行上述取向处理的工序包括从相对于上述取向膜的主面的法 线方向倾斜5°以上、85°以下的方向照射上述光的工序。在某实施方式中，上述光是非偏振光。在某实施方式中，上述光是直线偏振光、椭圆偏振光或圆偏振光。在某实施方式中，进行上述取向处理的工序包括对上述取向膜进行摩擦处理的工序。本发明的取向膜材料含有聚酰亚胺前体和具有多个乙烯基的多官能单体。发明效果根据本发明，提供一种抑制由于预倾斜角的变化而引起的影像残留的取向膜、取 向膜材料以及具有上述取向膜的液晶显示装置及其制造方法。


图1是本发明的取向膜的实施方式的平面示意图。图2(a)是本发明的液晶显示装置的实施方式的示意图，图2(b)是本实施方式的 液晶显示装置中的液晶面板的示意图。图3(a) (c)分别是用于说明本实施方式的液晶显示装置的制造方法的示意图。图4(a)是本实施方式的液晶显示装置中的取向膜的示意图，图4(b)是取向膜的 示意图，图4(c)是表示液晶畴的中央的液晶分子的取向方向的示意图。图5(a)是表示实施例1-1的液晶显示装置中的液晶分子的取向状态的示意图，图 5(b)是表示从观察者一侧观察到的第一、第二取向膜的取向处理方向的示意图。图6是表示在实施例3的液晶显示装置中，从观察者一侧观察到的第一、第二取向 膜的取向处理方向的示意图。图7是表示在实施例4的液晶显示装置中，从观察者一侧观察到的第一、第二取向 膜的取向处理方向的示意图。
具体实施例方式下面，参考图面，说明本发明的取向膜、取向膜材料和具有取向膜的液晶显示装置 的实施方式。图1表示本实施方式的取向膜100的示意图。取向膜100含有聚酰亚胺102和聚 乙烯基化合物104。在取向膜100的至少一部分的表面区域，聚酰亚胺102的主链基本在一 个方向排列。聚酰亚胺102通过使聚酰亚胺前体酰亚胺化而形成。本实施方式的取向膜100不仅含有聚酰亚胺102，还含有聚乙烯基化合物104，该 聚乙烯基化合物104含有多官能单体的聚合物。聚乙烯基化合物104通过具有多个乙烯基 的多官能单体的聚合而形成，多官能单体例如为二甲基丙烯酸联苯酯或二丙烯酸联苯酯。这样，多官能单体的乙烯基例如为二甲基丙烯酸联苯酯或二丙烯酸联苯酯的一部分。多官能单体由通式(1)Pl-Al-(Zl-A2)n_P2表示(在通式(1)中，Pl和P2独立地 为丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺，Al和A2独立地表示1，4_亚苯基、 1,4-环己烷或2，5-噻吩、或者萘-2，6- 二基、蒽-2，7- 二基、蒽_1，8_ 二基、蒽-2，6- 二基 或蒽-1,5- 二基，Zl 为-COO-、-0C0-、-0-、-CONH-基或单键，η 为 0 或 1)。另外，Al 和 Α2 的至少一个可以被至少一个氟基取代。由于多官能单体具有多个乙烯基，通过多官能单体的聚合而形成的聚乙烯基化合 物104具有三维的网状结构。并且，该多官能单体，在多个乙烯基之间具有2个以上的直接 结合的环结构或1个以上的缩环结构，对于变形的自由度低，聚乙烯基化合物104对于应力 不易发生变形。这样，通过含有聚乙烯基化合物104，取向膜100在结构上稳定化，取向特性 的变动得到抑制。下面，参照图2，说明具有本实施方式的取向膜110、120的液晶显示装置200。图 2(a)表示液晶显示装置200的示意图。液晶显示装置200具备液晶面板210、驱动液晶面 板210的驱动回路212以及控制驱动回路212的控制回路214。另外，虽然图中没有表示， 但液晶显示装置200可以根据需要具有背光源。如图2(b)所示，液晶面板210具备具有第一取向膜110的有源矩阵基板220、具 有第二取向膜120的相对基板240和在有源矩阵基板220与相对基板240之间设置的液晶 层沈0。有源矩阵基板220还具有第一透明基板222和像素电极226，第一取向膜110覆盖 像素电极226。另外，相对基板240还具有第二透明基板242和相对电极Μ6，第二取向膜 120覆盖相对电极Μ6。液晶层260被夹持在有源矩阵基板220和相对基板240之间。液晶显示装置200中设置有沿多行和多列的矩阵状的像素。在有源矩阵基板220 中，相对于各像素设置有至少1个开关元件(例如，薄膜晶体管(Thin Film Transistor TFT))(这里未图示)，有源矩阵基板220也称为TFT基板。本说明书中的“像素”是指在显 示中表现特定灰度等级的最小单位，在彩色显示中，例如与表现R、G和B各灰度等级的单位 相对应，也称为点。R像素、G像素和B像素的组合构成一个彩色显示像素。“像素区域”是 指与显示的“像素”相对应的液晶面板210的区域。另外，虽然没有图示，在有源矩阵基板220和相对基板240上分别设置有偏光板。 因此，2个偏光板以夹持液晶层260且互相对向的方式设置。以2个偏光板的透射轴(偏 光轴)彼此正交的方式配置，以一个沿着水平方向(行方向)、另一个沿着垂直方向(列方 向)的方式设置。第一取向膜110含有聚酰亚胺112和聚乙烯基化合物114，聚乙烯基化合物114包 含具有多个乙烯基的多官能单体的聚合物。第二取向膜120含有聚酰亚胺122和聚乙烯基 化合物124，聚乙烯基化合物IM包含具有多个乙烯基的多官能单体的聚合物。这样的第一 取向膜110、第二取向膜120由聚酰亚胺前体和具有多个乙烯基的多官能单体的取向膜材 料形成。聚酰亚胺112、122通过将聚酰亚胺前体酰亚胺化而形成。聚乙烯基化合物114、124 通过多官能单体的聚合而形成。聚合通过对多官能单体施加热或光而进行。例如，将含有 聚酰亚胺前体与多官能单体的混合物的取向膜材料供给到像素电极226、相对电极246上， 之后，进行加热处理，使溶剂蒸发，从而形成含有聚酰亚胺112、122和聚乙烯基化合物114、 124的第一、第二取向膜110、120。加热处理例如在不同温度下进行2次。
液晶层260含有具有负的介电常数各向异性的向列型液晶材料(液晶分子沈2)。 第一取向膜110和第二取向膜120分别是经过处理的膜，使得液晶分子262相对于垂直取 向膜表面的预倾斜角小于90°。液晶分子262的预倾斜角是第一取向膜110和第二取向膜 120的主面与规定在预倾斜方向的液晶分子沈2的长轴所成的角度。液晶层沈0为垂直取向型，但通过聚酰亚胺112、122，其附近的液晶分子262从第 一、第二取向膜110、120的主面的法线方向稍微倾斜。预倾斜角例如在85°到89.7°的范 围内。由聚酰亚胺112、122的侧链规定液晶分子262的预倾斜方向。在以下的说明中，也将 该成分称为预倾斜角表现成分。通过对第一、第二取向膜110、120从其主面的法线方向的 斜向照射光，给予聚酰亚胺112、122以取向限制力，使得在不施加电压时液晶分子262从第 一、第二取向膜110、120的主面的法线方向倾斜取向。这样的处理也称为光取向处理。由 于光取向处理以非接触的方式进行，所以不会像摩擦处理那样由于摩擦而产生静电，能够 提高生产率。另外，通过第一取向膜110的液晶分子沈2的预倾斜方位与通过第二取向膜120 的液晶分子262的预倾斜方位不同。例如，通过第一取向膜110的液晶分子沈2的预倾斜 方位与通过第二取向膜120的液晶分子沈2的预倾斜方位90°相交。另外，这里，液晶层 260不含手性剂，在液晶层260上施加电压时，液晶层沈0内的液晶分子262按照第一、第二 取向膜110、120的取向限制力形成扭曲取向。但是，可以根据需要在液晶层沈0中添加手 性剂。液晶层260与正交尼科尔配置的偏光板组合，进行常黑模式的显示。另外，第一、第二取向膜110、120可以分别在每个像素具有多个取向区域。例如， 掩蔽第一取向膜110的一部分，向第一取向膜110的规定区域从某方向照射光之后，向没 有光照射的其他区域从不同的方向照射光。并且，对于第二取向膜120也进行同样的光取 向处理。这样一来，能够在第一、第二取向膜110、120分别形成赋予不同的取向限制力的区 域。由于第一、第二取向膜110、120的聚乙烯基化合物114、124包含具有多个乙烯基 的多官能单体聚合的聚合物，第一、第二取向膜110、120在结构上稳定化，取向功能的变化 得到抑制，并且能够维持液晶层260的液晶分子沈2的预倾斜角。另外，假使在取向膜所含 有的聚乙烯基化合物是将单官能单体聚合而得到的聚合物时，就不能充分抑制取向功能的 变化。这是因为此时作为聚合物所形成的细长直链状的聚合物容易发生变形。另外，由于 取向膜110、120含有聚酰亚胺112、122和具有多官能单体的聚合物的聚乙烯基化合物114、 124，与由聚酰亚胺形成的通常的取向膜相比，取向膜110、120的耐热性、耐溶剂性和吸湿 性等特性实际上没有降低。第一取向膜110的内部区域IlOr和表面区域IlOs分别存在着聚酰亚胺112和聚 乙烯基化合物114两者。并且，第二取向膜120的内部区域1201 和表面区域120s分别存 在着聚酰亚胺122和聚乙烯基化合物IM两者。但是，第一、第二取向膜110、120的表面 区域110s、120s中的聚乙烯基化合物114、124的浓度比第一、第二取向膜110、120的内部 区域110r、120r高。聚乙烯基化合物114、124的浓度例如通过飞行时间型二次离子质谱法 (Time Of Flight-Secondary Ion Mass Spectrometry =TOF-SIMS)或 X-射线光电子能谱 法(X-ray Photoelectron Spectroscopy =XPS)进行测定。其中，在XPS中，例如可以使用 ULVAC-PHI公司生产的装置，边以C60进行蚀刻边对深度方向的原子进行分析。
另外，作为用于抑制由于预倾斜角的变化而引起的影像残留的技术，已知Polymer Sustained Alignment Technology (聚合物稳定取向技术)(以下，称为“PSA技术”)。在 PSA技术中，在对混合有少量聚合性化合物(例如光聚合性单体)的液晶层施加电压的状态 下，通过向聚合性化合物照射活性能量射线(例如紫外线)而生成的聚合物来控制液晶分 子的预倾斜方向。这里，说明在通常的PSA技术中所形成的取向维持层与本实施方式的液晶显示装 置200的取向膜110、120中的聚乙烯基化合物114、124的差异。在PSA技术中，取向维持层存在于取向膜上，如果将液晶面板分解，利用TOF-SIMS 或XPS对有源矩阵基板或相对基板表面进行分析，就会从基板的最表面检测出来自聚合物 成分的离子或原子。相对于此，在本实施方式的显示装置200中，聚乙烯基化合物114、1M 包含在取向膜110、120中，如果将液晶面板分解，同样对有源矩阵基板220或相对基板240 的表面进行分析，不仅会检测出来自聚乙烯基化合物114、124的离子或原子，还可以检测 出来自聚酰亚胺112、122的成分的离子或原子，由此可知，在有源矩阵基板220的表面存 在着聚酰亚胺112和聚乙烯基化合物114，同样地，在相对基板240的表面存在着聚酰亚胺 122和聚乙烯基化合物124。另外，在PSA技术中，在制造具备取向膜的液晶面板之后照射光形成聚合物，但在 本实施方式的液晶显示装置200中，第一、第二取向膜110、120含有聚乙烯基化合物114、 124，在将有源矩阵基板220和相对基板240贴合之前，形成聚乙烯基化合物114、124。因 此，即使在将有源矩阵基板220和相对基板240贴合的位置与制造有源矩阵基板220或相 对基板MO的位置不同的情况下，也可以不在贴合位置进行聚合物的形成，能够简便地制 造液晶显示装置200。在本实施方式的液晶显示装置200中，如上所述，取向膜110、120含有聚乙烯基化 合物114、124，由此，液晶分子沈2的预倾斜方向被固定化。可以认为这是因为由于聚乙烯 基化合物114、124，预倾斜角表现成分的变形被抑制，其结果，通过聚酰亚胺112、122的液 晶分子沈2的取向方向相对于取向膜110、120的主面基本维持在垂直的方向。另外，通过 聚乙烯基化合物114、124，由于取向处理时的损伤而产生的杂质等被固定，能够抑制杂质离 子的产生，且能够抑制影像残留的发生。聚酰亚胺112、122，例如，作为光反应性官能团，具有含有肉桂酸酯基的侧链，侧链 上设有通过光照射而形成的二聚化位点。另外，侧链也可以含有氟原子。通过聚酰亚胺112、 122的侧链含有氟原子，上述影像残留在一定程度上被抑制。例如，聚酰亚胺112、122的主链由以下的结构式表示。
权利要求
1.一种取向膜，含有聚酰亚胺和聚乙烯基化合物，其特征在于 所述聚乙烯基化合物包含具有多个乙烯基的多官能单体的聚合物， 所述多官能单体由通式(1)Pl-Al-(Zl-A2)n-P2表示，在通式(1)中，Pl和P2独立地为丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺， Al和A2独立地表示1，4-亚苯基、1，4-环己烷或2，5-噻吩、或者萘-2，6- 二基、蒽-2，7- 二 基、蒽-1，8- 二基、蒽-2，6- 二基或蒽-1，5- 二基，Zl 为-COO-、-0C0-, _0_、-CONH-基或单 键，η为0或1。
2.如权利要求1所述的取向膜，其特征在于所述多官能单体的所述多个乙烯基分别为甲基丙烯酸酯基或丙烯酸酯基的一部分。
3.如权利要求1或2所述的取向膜，其特征在于所述多官能单体，在所述多个乙烯基之间，具有2个以上直接结合的环结构或1个以上 的缩环结构。
4.如权利要求1 3中任一项所述的取向膜，其特征在于 所述聚酰亚胺和所述聚乙烯基化合物两者存在于表面和内部。
5.如权利要求4所述的取向膜，其特征在于所述表面中的所述聚乙烯基化合物的浓度比所述内部中的所述聚乙烯基化合物的浓度尚。
6.如权利要求1 5中任一项所述的取向膜，其特征在于 所述取向膜是光取向膜。
7.如权利要求6所述的取向膜，其特征在于 所述聚酰亚胺具有含有光反应性官能团的侧链。
8.如权利要求7所述的取向膜，其特征在于 所述光反应性官能团含有肉桂酸酯基。
9.一种液晶显示装置，具备有源矩阵基板、相对基板和在所述有源矩阵基板与所述相 对基板之间设置的液晶层，该液晶显示装置的特征在于所述有源矩阵基板和所述相对基板的至少一方具有权利要求1 8中任一项所述的取 向膜。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于所述取向膜规定所述液晶分子，使得在不施加电压时所述液晶层的液晶分子从所述取 向膜的主面的法线方向倾斜。
11.如权利要求9或10所述的液晶显示装置，其特征在于 所述液晶显示装置具有多个像素，所述液晶层具有多个液晶畴，该多个液晶畴，相对于所述多个像素的各个，基准取向方 位彼此不同。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于 所述多个液晶畴为4个液晶畴。
13.一种取向膜的制造方法，其特征在于，包括准备取向膜材料的工序，该取向膜材料含有聚酰亚胺前体与具有多个乙烯基的多官能 单体的混合物；和由所述聚酰亚胺前体形成聚酰亚胺，由所述多官能单体形成聚乙烯基化合物的工序。
14.如权利要求13所述的取向膜的制造方法，其特征在于形成所述聚乙烯基化合物的工序包括进行所述多官能单体的聚合的工序。
15.如权利要求13或14所述的取向膜的制造方法，其特征在于在准备所述取向膜材料的工序中，所述多官能单体，在所述多个乙烯基之间具有2个 以上的直接结合的环结构或1个以上的缩环结构，所述多官能单体相对于所述取向膜材料 的浓度在以上、50衬％以下的范围内。
16.如权利要求13 15中任一项所述的取向膜的制造方法，其特征在于 形成所述聚酰亚胺和聚乙烯基化合物的工序包括进行加热处理的工序。
17.如权利要求16所述的取向膜的制造方法，其特征在于 进行所述加热处理的工序包括进行第一加热处理的工序；和在进行所述第一加热处理后，进行比所述第一加热处理的温度高的第二加热处理的工序。
18.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括 形成有源矩阵基板和相对基板的工序；和在所述有源矩阵基板和所述相对基板之间形成液晶层的工序， 其中，形成所述有源矩阵基板和所述相对基板的工序包括 准备设置有像素电极的第一透明基板和设置有相对电极的第二透明基板的工序；和 在所述像素电极和所述相对电极的至少一方之上，按照权利要求13 17中任一项的 记载制造取向膜的工序。
19.如权利要求18所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于在形成所述液晶层的工序中，所述取向膜规定所述液晶分子，使得在不施加电压时所 述液晶层的液晶分子从所述取向膜的主面的法线方向倾斜。
20.如权利要求18或19所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于形成所述有源矩阵基板和所述相对基板的工序还包括对所述取向膜进行取向处理的 工序。
21.如权利要求20所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于 进行所述取向处理的工序包括向所述取向膜照射光的工序。
22.如权利要求21所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于 所述光的波长在250nm以上、400nm以下的范围内。
23.如权利要求21或22所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于进行所述取向处理的工序包括从相对于所述取向膜的主面的法线方向倾斜5°以上、 85°以下的方向照射所述光的工序。
24.如权利要求21 23中任一项所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于 所述光是非偏振光。
25.如权利要求21 23中任一项所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于 所述光是直线偏振光、椭圆偏振光或圆偏振光。
26.如权利要求20所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于进行所述取向处理的工序包括对所述取向膜进行摩擦处理的工序。
27. 一种取向膜材料，其特征在于含有聚酰亚胺前体和具有多个乙烯基的多官能单体。
全文摘要
本发明的取向膜(100)含有聚酰亚胺(102)和聚乙烯基化合物(104)，聚乙烯基化合物(104)包含具有多个乙烯基的多官能单体的聚合物。优选多官能单体的多个乙烯基分别是甲基丙烯酸酯基或丙烯酸酯基的一部分。另外，优选多官能单体在多个乙烯基之间具有2个以上的直接结合的环结构或1个以上的缩环结构。另外，优选聚酰亚胺(102)和聚乙烯基化合物(104)两者存在于表面和内部。
文档编号C08L33/24GK102138099SQ20098013394
公开日2011年7月27日 申请日期2009年8月28日 优先权日2008年9月3日
发明者仲西洋平, 水崎真伸 申请人:夏普株式会社