一种气敏半导体器件的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种气敏半导体器件的制备方法，其具体制备步骤为：（1）将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，后置入丙酮溶液中超声，再置入异丙醇溶液中超声，然后置入真空烘箱中烘干；（2）将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，并附着导线作电极引脚，自然放置后置入烘箱内烘干，再置入烧结窑中烧结；（3）将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚上，焊接完毕后再将器件接入电路中，工作一段时间；本发明的有益效果是：制备过程较简单，参数控制容易，但是制备出的气敏半导体器件稳定性好、灵敏度高，符合实际应用的需求。
【专利说明】
一种气敏半导体器件的制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体元件制备技术领域，特别是一种气敏半导体器件的制备方法。 【背景技术】
[0002]气敏半导体元件可根据接触气体后自身物理性质变化的情况发挥不同的作用，通常用于有害气体的检测、实验气体的监控等方面。气敏半导体制备方法多种多样，包括气相沉淀等物理方法和溶胶凝胶等化学方法，但是这些制备方法通常制备过程较复杂，参数控制叫难，大部分方法不能满足批量生产的要求，或者使用方法所造成的污染较大并且成本较高。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是为解决现有技术中的问题，公开了一种气敏半导体器件的制备方法。
[0004]为实现上述目的，本发明公开了一种气敏半导体器件的制备方法，其具体制备步骤为:(1)将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，超声时间设定为10-12分钟，后置入丙酮溶液中超声10-12分钟，再置入异丙醇溶液中超声12-15分钟，然后置入真空烘箱中烘干20-30 分钟，烘干温度设定为100-120 °C ;(2)将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，并附着4-6根导线作电极引脚，自然放置20-30分钟后，置入烘箱内烘干15-20分钟，烘干温度为200-220°C，再置入烧结窑中烧结2-3小时，烧结温度设定为800-1000°C;(3)将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚上，焊接完毕后再将器件接入电路中，在4-6伏的电压下工作72-120小时。
[0005]其中所述气敏半导体浆料包括氧化物半导体、玻璃粉和有机辅料。
[0006]本发明的优点和积极效果是:本发明方法制备过程较简单，参数控制容易，但是制备出的气敏半导体器件稳定性好、 灵敏度高，符合实际应用的需求。【具体实施方式】
[0007]具体实施例一:一种气敏半导体器件的制备方法，其具体制备步骤为:(1)将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，超声时间设定为10分钟，后置入丙酮溶液中超声10分钟，再置入异丙醇溶液中超声12分钟，然后置入真空烘箱中烘干20分钟，烘干温度设定为100°c;(2)将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，其中气敏半导体浆料包括氧化物半导体、玻璃粉和有机辅料，并附着4根导线作电极引脚，自然放置20分钟后，置入烘箱内烘干15分钟，烘干温度为200°C，再置入烧结窑中烧结2小时，烧结温度设定为800°C ;(3)将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚上，焊接完毕后再将器件接入电路中，在4伏的电压下工作72小时。
[0008]具体实施例二:一种气敏半导体器件的制备方法，其具体制备步骤为:(1)将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，超声时间设定为12分钟，后置入丙酮溶液中超声12分钟，再置入异丙醇溶液中超声15分钟，然后置入真空烘箱中烘干30分钟，烘干温度设定为120°C;(2)将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，其中气敏半导体浆料包括氧化物半导体、玻璃粉和有机辅料，并附着6根导线作电极引脚，自然放置30分钟后，置入烘箱内烘干20分钟，烘干温度为220°C，再置入烧结窑中烧结3小时，烧结温度设定为1000°C ;(3)将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚上，焊接完毕后再将器件接入电路中，在6伏的电压下工作120小时。
[0009]具体实施例三:一种气敏半导体器件的制备方法，其具体制备步骤为:(1)将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，超声时间设定为11分钟，后置入丙酮溶液中超声11分钟，再置入异丙醇溶液中超声13分钟，然后置入真空烘箱中烘干25分钟，烘干温度设定为110°c;(2)将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，其中气敏半导体浆料包括氧化物半导体、玻璃粉和有机辅料，并附着5根导线作电极引脚，自然放置25分钟后，置入烘箱内烘干18分钟，烘干温度为210°C，再置入烧结窑中烧结2.5小时，烧结温度设定为900°C ;(3)将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚上，焊接完毕后再将器件接入电路中，在5伏的电压下工作96小时。
[0010]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种气敏半导体器件的制备方法，其特征在于其具体制备步骤为:(1)将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，超声时间设定为10-12分钟，后置入丙酮溶 液中超声10-12分钟，再置入异丙醇溶液中超声12-15分钟，然后置入真空烘箱中烘干20-30 分钟，烘干温度设定为100-120 °C ;(2)将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，并附着4-6根导线作电极引 脚，自然放置20-30分钟后，置入烘箱内烘干15-20分钟，烘干温度为200-220°C，再置入烧结 窑中烧结2-3小时，烧结温度设定为800-1000°C;(3)将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚 上，焊接完毕后再将器件接入电路中，在4-6伏的电压下工作72-120小时。2.根据权利要求1所述的一种气敏半导体器件的制备方法，其特征在于:所述气敏半导 体浆料包括氧化物半导体、玻璃粉和有机辅料。
【文档编号】G01N27/12GK106053550SQ201610391580
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年6月6日
【发明人】姚坤, 姚望, 王传稳, 陈静, 高尚
【申请人】怀远县金浩电子科技有限公司