一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件具有倒置结构，依次包括玻璃基底、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，电子传输层的材质为聚3,4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液掺杂炭气凝胶形成的混合材料，在电子传输层的材质中，炭气凝胶的掺杂质量分数为0.1~1%。另，本发明实施例还公开了一种有机电致发光器件的制备方法。本发明提供的有机电致发光器件，通过将炭气凝胶悬浮液设置在倒置的阴极上，提高了出光效率，同时由于炭气凝胶不易与空气发生反应，有效提高了器件稳定性。本发明提供的有机电致发光器件制备方法，工艺简单，适合大规模工业化生产。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。【背景技术】
[0002]1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)。在该双层结构的器件中，IOV下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。
[0003]OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0004]在传统的发光器件中，一般都是以阳极玻璃基底为出光面，这种结构中，光的出射会先经过阳极导电材料的吸收反射，再进行一次玻璃的吸收和反射，最后才能出射到空气中，而由于玻璃表面比较平整，且玻璃厚度较大，使光程加大，从而使更多的光往玻璃两侧折射出去，造成玻璃中出射到器件的光的几率下降，最终影响发光效率。因此，光出射到空气中的出射率很低的，大部分的光都损失在器件内部，使这类发光器件的发光效率都偏低。
【发明内容】
[0005]本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过将炭气凝胶悬浮液设置在倒置的阴极上，提高了出光效率，同时由于炭气凝胶不易与空气发生反应，有效提高了器件稳定性。
[0006]本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件具有倒置结构，依次包括玻璃基底、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述电子传输层的材质为聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液掺杂炭气凝胶形成的混合材料，在所述电子传输层的材质中，所述炭气凝胶的掺杂质量分数为0.f 1%。
[0007]优选地，玻璃基底为市售普通玻璃。
[0008]优选地，阴极为银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)或金(Au);更优选地，阴极为银(Ag)。
[0009]优选地，阴极的厚度为5?20nm ;更优选地，阴极的厚度为10nm。
[0010]优选地，电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)或氟化锂(LiF);更优选地，电子注入层的材料为氟化铯(CsF)。
[0011]优选地，电子注入层的厚度为f20nm ;更优选地，电子注入层的厚度为10nm。
[0012]电子传输层的材质为聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液掺杂炭气凝胶形成的混合材料，在电子传输层的材质中，炭气凝胶的掺杂质量分数为0.f 1%。
[0013]优选地，炭气凝胶为中孔结构，孔径为2(T200nm。
[0014]炭气凝胶为中孔结构，孔径较大，作为有机电致发光器件的电子传输层设置在倒置的阴极上，有利于电子的传输，导电性良好，米用倒置结构时，电子传输层在玻璃基底一侦1J,光从这一方向出射，经过电子传输层后，由于炭气凝胶孔径较大，可对光进行散射，将部分大于临界角的光散射回去其他颗粒界面，使这部分的光入射角在临界角范围之内，从而可以出射到空气中，有效提高出光效率。同时，由于炭气凝胶是单质材料，纯度高，合成成本低，性质稳定，不易与空气发生反应，可有效提高发光器件稳定性。
[0015]优选地，聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PED0T/PSS)的质量分数为I?10%。
[0016]优选地，电子传输层的厚度为200?400nm。
[0017]在电子传输层的材质中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PED0T/PSS)为主体，炭气凝胶为客体。
[0018]优选地，聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)/聚苯磺酸盐(PSS)水溶液中所述聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)与所述聚苯磺酸盐(PSS)的质量比为2:1。
[0019]优选地,发光层的材质为电子传输材料掺杂发光材料形成的混合材料。
[0020]优选地，电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)0·[0021]优选地，发光材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合铱(IHppy)3)。
[0022]优选地，发光层的材质为N-芳基苯并咪唑(TPBI)掺杂三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)形成的混合材料。
[0023]优选地，在发光层的材质中，发光材料的掺杂质量分数为1%_20% ;更优选地，在发光层的材质中，发光材料的掺杂质量分数为10%。
[0024]优选地，发光层的厚度为5?30nm ;更优选地，发光层的厚度为20nm。
[0025]优选地，空穴传输层的空穴传输材料为1，1_ 二 [4_[N，K - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB);更优选地，空穴传输层的空穴传输材料为1，1- 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)。
[0026]优选地，空穴传输层的厚度为2(T60nm ;更优选地，空穴传输层的厚度为50nm。
[0027]优选地，空穴注入层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5);更优选地，空穴注入层的材质为三氧化钨(wo3)。
[0028]优选地，空穴注入层的厚度为2(T80nm ;更优选地，空穴注入层的厚度为40nm。
[0029]优选地，阳极为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au);更优选地，阳极为铝(Al)。
[0030]优选地，阳极的厚度为8(T300nm ;更优选地，阳极的厚度为150nm。
[0031]相应地，本发明实施例还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0032]提供清洁的玻璃基底，在经处理过的玻璃基底上依次蒸镀阴极和电子注入层；
[0033]在所述电子注入层上涂布制备电子传输层，所述电子传输层的材质为聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液掺杂炭气凝胶形成的混合材料，在所述电子传输层的材质中，所述炭气凝胶的掺杂质量分数为ο.Γι% ；[0034]在所述电子传输层上依次蒸镀发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极，得到有机电致发光器件。
[0035]优选地，玻璃基底为市售普通玻璃。
[0036]具体地，玻璃基底的清洁操作为:将玻璃基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物。
[0037]优选地，阴极为银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)或金(Au);更优选地，阴极为银(Ag)。
[0038]优选地，阴极的厚度为5?20nm ;更优选地，阴极的厚度为10nm。
[0039]优选地，阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为50(Tl00(rC，真空度为1X10—3?I X KT5Pa。
[0040]优选地，电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)或氟化锂(LiF);更优选地，电子注入层的材料为氟化铯(CsF)。
[0041]优选地，电子注入层的厚度为f 20nm ;更优选地，电子注入层的厚度为10nm。
[0042]优选地，电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为10(T500°C，真空度为IXlO-3 ?IXlO-5Pa0
[0043]电子传输层的材质为聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液掺杂炭气凝胶形成的混合材料，在电子传输层的材质中，炭气凝胶的掺杂质量分数为0.f 1%。
[0044]优选地，电子传输层采用旋涂或刮涂的方式设置在电子注入层上。
[0045]优选地，旋涂过程中，转速为500?6000转/分钟，时间为5?30s。
[0046]优选地，电子传输层制备完毕后，采用烘箱进行烘干。
[0047]优选地，炭气凝胶为中孔结构，孔径为2(T200nm。
[0048]优选地，聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PEDOT/PSS)的质量分数为I?10%。
[0049]优选地，电子传输层的厚度为200?400nm。
[0050]在电子传输层的材质中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PEDOT/PSS)为主体，炭气凝胶为客体。
[0051]优选地，聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)/聚苯磺酸盐(PSS)水溶液中所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)与所述聚苯磺酸盐(PSS)的质量比为2:1。
[0052]在电子传输层上依次蒸镀发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。
[0053]优选地,发光层的材质为电子传输材料掺杂发光材料形成的混合材料。
[0054]优选地，电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)0
[0055]优选地，发光材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合铱(IHppy)3)。
[0056]优选地，发光层的材质为N-芳基苯并咪唑(TPBI)掺杂三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)形成的混合材料。
[0057]优选地，在发光层的材质中，发光材料的掺杂质量分数为1%_20% ;更优选地，在发光层的材质中，发光材料的掺杂质量分数为10%。[0058]优选地，发光层的厚度为5?30nm ;更优选地，发光层的厚度为20nm。
[0059]优选地，空穴传输层的空穴传输材料为1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB);更优选地，空穴传输层的空穴传输材料为1，1- 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)。
[0060]优选地，空穴传输层的厚度为2(T60nm ;更优选地，空穴传输层的厚度为50nm。
[0061]优选地，空穴注入层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5);更优选地，空穴注入层的材质为三氧化钨(wo3)。
[0062]优选地，空穴注入层的厚度为2(T80nm ;更优选地，空穴注入层的厚度为40nm。
[0063]优选地，发光层、空穴传输层和空穴注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为100^5000C，真空度为 I X I(T3 ?I X l(T5Pa。
[0064]优选地，阳极为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au);更优选地，阳极为铝(Al)。
[0065]优选地，阳极的厚度为8(T300nm ;更优选地，阳极的厚度为150nm。
[0066]优选地，阳极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为50(Tl000 °C，真空度为I X IO^lX IO^5Pa0
[0067]实施本发明实施例，具有如下有益效果:
[0068](I)本发明提供的具有倒置结构的有机电致发光器件，电子传输层利用纳米结构的材料炭气凝胶与聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PEDOT/PSS)进行掺杂制备，设置在倒置的阴极上，使炭气凝胶电子传输层在玻璃基底一侧，对光进行散射，提高了出光效率；
[0069](2)本发明提供的具有倒置结构的有机电致发光器件，由于炭气凝胶是单质材料，纯度高，合成成本低，性质稳定，不易与空气发生反应，可有效提高发光器件稳定性，工艺简单，适合大规模工业化生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0070]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0071]图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；
[0072]图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与对比实施例有机电致发光器件的电压与亮度的关系图。
【具体实施方式】
[0073]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0074]实施例1[0075]—种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0076](I)将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，在经处理过的玻璃基底上依次蒸镀阴极和电子注入层；
[0077]阴极为银(Ag)，厚度为10nm。电子注入层的材料为氟化铯(CsF)，厚度为IOnm ;阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为lX10_4Pa。电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X 10_5Pa。
[0078](2)在电子注入层上旋涂制备电子传输层，然后放在烘箱烘干水分。
[0079]具体地，在本实施例中，电子传输层的材质为质量分数为6%的聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PEDOT/PSS)掺杂炭气凝胶形成的混合材料，其中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)与聚苯磺酸盐(PSS)的质量比为2: I，炭气凝胶的掺杂质量分数为0.5%，炭气凝胶的孔径为40nm ;电子传输层的厚度为300nm。旋涂过程中，转速为2000转/分钟，时间为18s。
[0080]( 3 )在电子传输层上依次蒸镀发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极，得到有机电致发光器件。
[0081]发光层、空穴传输层和空穴注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X IO-5Pa0阳极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为I X 10_4Pa。
[0082]其中，发光层的材质为TPBi掺杂(Ir(ppy)3)形成的混合材料(TPB1: (Ir (ppy) 3)),(IHppy)3)的掺杂质量分数为10%，发光层厚度为20nm;空穴传输层的材质为TAPC，厚度为50nm ;空穴注入层的材质为三氧化钨(WO3)，厚度为40nm ;阳极为铝(Al )，厚度为150nm。
[0083]图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括，玻璃基底10,阴极20,电子注入层30,电子传输层40,发光层50,空穴传输层60，空穴注入层70和阳极80。其中，电子传输层的材质为质量分数为6%的聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PEDOT/PSS)掺杂炭气凝胶形成的混合材料，电子传输层的厚度为300nm。该有机电致发光器件的结构为:普通玻璃/Ag/CsF/ (PEDOT/PSS):炭气凝胶(0.5wt%) /TPB1: (Ir (ppy) 3) (10wt%) /TAPC/W03/A1。
[0084]为了更好地说明本发明实施例有机电致发光器件的优良特性，特设置如下对比实施例:
[0085]制备有机电致发光器件，结构为:IT0/W03/TAPC/TPB1: (Ir (ppy) 3) (10wt%)/Bphen/CsF/Ag。具体制备过程为:将ITO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，然后将基板移入真空镀膜系统中，依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，空穴注入层的材料为WO3,厚度为40nm ;空穴传输层的材料为TAPC，厚度为50nm ;发光层的材料为TPB1:1r (ppy) 3，Ir (ppy) 3的掺杂比例为10%，厚度为20nm ；电子传输层的材料为Bphen，厚度为300nm ；电子注入层的材料为CsF，厚度为IOnm;阴极为Ag，厚度为150nm。最后得到所需要的电致发光器件。
[0086]图2是本实施例的有机电致发光器件与对比实施例有机电致发光器件的电压与亮度的关系图。其中，曲线I为本实施例有机电致发光器件的电压与亮度的关系图；曲线2为对比实施例有机电致发光器件的电压与亮度的关系图。
[0087]从图2中可以看到，在8?16V的电压下，本实施例有机电致发光器件的亮度都比对比实施例有机电致发光器件的要大，其中，在IOV的电压下，本实施例有机电致发光器件的亮度为3830cd/m2，而对比实施例的仅为2380cd/m2。这说明，具有中孔结构的炭气凝胶作为器件的电子传输层，孔径较大，有利于电子的传输，当采用倒置结构时，由于炭气凝胶孔径较大，可对光进行散射，将部分大于临界角的光散射回去其他颗粒界面，提高出光效率。
[0088]实施例2
[0089]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0090](I)将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，在经处理过的玻璃基底上依次蒸镀阴极和电子注入层；
[0091]阴极为铝(Al)，厚度为5nm。电子注入层的材料为氟化锂(LiF)，厚度为20nm ;阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为lX10_4Pa。电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X 10_5Pa。
[0092](2)在电子注入层上旋涂制备电子传输层，然后放在烘箱烘干水分。
[0093]具体地，在本实施例中，电子传输层的材质为质量分数为1%的聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PEDOT/PSS)掺杂炭气凝胶形成的混合材料，其中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)与聚苯磺酸盐(PSS)的质量比为2:1，炭气凝胶的掺杂质量分数为0.1%，炭气凝胶的孔径为200nm ；电子传输层的厚度为400nm。旋涂过程中，转速为500转/分钟，时间为5s。
[0094]( 3 )在电子传输层上依次蒸镀发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极，得到有机电致发光器件。
[0095]发光层、空穴传输层和空穴注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X IO-5Pa0阳极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为I X 10_4Pa。
[0096]其中，发光层的材质为TPBi掺杂(Ir (MDQ)2(acac))形成的混合材料(TPB1:(Ir (MDQ)2(acac) ))，(Ir (MDQ)2(acac))的掺杂质量分数为2%，发光层厚度为20nm ;空穴传输层的材质为TCTA，厚度为60nm;空穴注入层的材质为V2O5,厚度为20nm ;阳极为银(Ag)，厚度为300nm。
[0097]本实施例提供的有机电致发光器件的结构为:普通玻璃/Al/LiF/ (PEDOT/PSS):炭气凝胶(0.lwt%) /TPB1: (Ir (MDQ)2 (acac) ) (2wt%) /TCTA/V205/Ag，在 IOV 的电压下，本实施例有机电致发光器件的亮度为2456cd/m2。
[0098]实施例3
[0099]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0100](I)将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，在经处理过的玻璃基底上依次蒸镀阴极和电子注入层；
[0101]阴极为钼(Pt)，厚度为20nm。电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2CO3),厚度为15nm ;阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为lX10_4Pa。电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X 10?.[0102](2)在电子注入层上旋涂制备电子传输层，然后放在烘箱烘干水分。
[0103]具体地，在本实施例中，电子传输层的材质为质量分数为10%的聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PEDOT/PSS)掺杂炭气凝胶形成的混合材料，其中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)与聚苯磺酸盐(PSS)的质量比为2: I，炭气凝胶的掺杂质量分数为2%，炭气凝胶的孔径为20nm ;电子传输层的厚度为200nm。旋涂过程中，转速为6000转/分钟，时间为30s。
[0104](3)在电子传输层上依次蒸镀发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极，得到有机电致发光器件。
[0105]发光层、空穴传输层和空穴注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X IO-5Pa0阳极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为I X 10_4Pa。
[0106]其中，发光层的材质为TPBi掺杂FIrpic形成的混合材料(TPB1:FIrpic)，FIrpic的掺杂质量分数为20%，发光层厚度为30nm ;空穴传输层的材质为NPB，厚度为20nm ;空穴注入层的材质为三氧化钥(MoO3)，厚度为80nm ;阳极为金(Au),厚度为lOOnm。
[0107]本实施例提供的有机电致发光器件的结构为:普通玻璃/PVCs2CO3/ (PEDOT/PSS):炭气凝胶(2wt%)/TPB1:FIrpic (20wt%)/NPB/Mo03/Au，在 IOV 的电压下，本实施例有机电致发光器件的亮度为3152cd/m2。
[0108]实施例4
[0109]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0110](I)将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，在经处理过的玻璃基底上依次蒸镀阴极和电子注入层；
[0111]阴极为金(Au),厚度为15nm。电子注入层的材料为氟化锂(LiF),厚度为Inm ;阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为lX10_4Pa。电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X 10_5Pa。
[0112]( 2 )在电子注入层上旋涂制备电子传输层，然后放在烘箱烘干水分。
[0113]具体地，在本实施例中，电子传输层的材质为质量分数为10%的聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液(PEDOT/PSS)掺杂炭气凝胶形成的混合材料，其中，聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)与聚苯磺酸盐(PSS)的质量比为2: 1，炭气凝胶的掺杂质量分数为2%，炭气凝胶的孔径为150nm ;电子传输层的厚度为200nm。旋涂过程中，转速为3500转/分钟，时间为15s
[0114](3)在电子传输层上依次蒸镀发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极，得到有机电致发光器件。
[0115]发光层、空穴传输层和空穴注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X IO-5Pa0阳极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为I X 10_4Pa。
[0116]其中，发光层的材质为Bphen掺杂(Ir (ppy) 3)形成的混合材料(Bphen: (Ir (ppy) 3) )，(Ir (ppy) 3)的掺杂质量分数为6%,发光层厚度为12nm ;空穴传输层的材质为TAPC，厚度为45nm ;空穴注入层的材质为三氧化钥(MoO3)，厚度为45nm ;阳极为金(Au)，厚度为 120nm。
[0117]本实施例提供的有机电致发光器件的结构为:普通玻璃/Au/LiF/ (PEDOT/PSS):炭气凝胶(2wt%) /Bphen: (Ir (ppy)3) (6wt%) /TAPC/Mo03/Au,在 IOV 的电压下,本实施例有机电致发光器件的亮度为3670cd/m2。
[0118]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件具有倒置结构，依次包括玻璃基底、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述电子传输层的材质为聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液掺杂炭气凝胶形成的混合材料，在所述电子传输层的材质中，所述炭气凝胶的掺杂质量分数为0.f 1%。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述炭气凝胶为中孔结构，孔径为20?200nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液的质量分数为广10%。
4.如权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液中所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩与所述聚苯磺酸盐的质量比为2:1。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为200?400nm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供清洁的 玻璃基底，在经处理过的玻璃基底上依次蒸镀阴极和电子注入层； 在所述电子注入层上涂布制备电子传输层，所述电子传输层的材质为聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液掺杂炭气凝胶形成的混合材料，在所述电子传输层的材质中，所述炭气凝胶的掺杂质量分数为0.Γ?% ； 在所述电子传输层上依次蒸镀发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极，得到有机电致发光器件。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述炭气凝胶为中孔结构，孔径为20?200nm。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液的质量分数为广10%。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸盐水溶液中所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩与所述聚苯磺酸盐的质量比为2: 10
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20(T400nm。
【文档编号】H01L51/54GK103427025SQ201210147378
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2012年5月14日 优先权日:2012年5月14日
【发明者】周明杰, 王平, 黄辉, 陈吉星 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司