去除封装结构的方法
【专利摘要】本发明提供一种去除封装结构的方法，首先对所述封装材料和所述引线进行研磨，暴露出所述引线；然后使用第一化学试剂刻蚀引线，由于此时封装材料还未去除，所述半导体芯片均被封装材料保护，避免了所述第一化学试剂对半导体芯片的损伤；接着使用第二化学试剂去除封装材料和基板，从而实现在对半导体芯片较少伤害的情况下完全去除封装结构。
【专利说明】去除封装结构的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除封装结构的方法。
【背景技术】
[0002]在半导体行业中，芯片完成生产之后的封装技术为大家所熟知。传统的封装会在芯片上形成一层较厚的封装材料。由于芯片内部构造精密并且十分脆弱，在运输的过程中极易损伤，并且空气中又含有湿气容易对芯片造成一定的伤害，因此形成于芯片表面的封装材料可以起到保护芯片免受伤害的作用。
[0003]以一种常见的封装结构作为参考，如图1所示，在封装制造中，在半导体芯片10之上形成一层封装材料30，用于保护半导体芯片10。同时半导体芯片10的背面通过粘合层41装配于基板43之上，所述基板43中包含若干通孔形成于所述通孔中连线42和与连线42相连的焊锡球44，其中连线42通过粘合层41和引线20与半导体芯片10的内部器件连接，便于半导体芯片10与外部进行电压、接地或信号的传送。其中，所述封装材料30、所述基板43以及所述引线20构成了封装结构。
[0004]若半导体芯片10出现了问题，需要对其进行测试，此时就需要把封装结构去除，之后取出半导体芯片10并进行测试。现有工艺中，封装材料30和所述基板43可以采用机台使用化学试剂对其进行加热，并使用液体溶解去除；之后再使用人工拉引线20或者采用化学试剂刻蚀引线20。然而，在实际生产中发现，若采用人工拉引线20的方式会造成半导体芯片10被拉伤；若采用化学试剂刻蚀引线20也会对半导体芯片10的内部电路造成伤害，这是因为封装材料30此时已经被去除，半导体芯片10被全部暴露出来，而刻蚀引线20的化学试剂具有一定的腐蚀性，往往会损伤到半导体芯片10。
[0005]因此，如何有效去除封装结构并减小化学试剂对半导体芯片的损伤是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0006]本发明提出的一种去除封装结构的方法，以减小化学试剂对半导体芯片的损伤。
[0007]本发明提出一种去除封装结构的方法，包括:
[0008]提供半导体芯片，所述半导体芯片装配于基板上，所述半导体芯片以及所述基板上形成有封装材料和若干引线，所述封装材料覆盖所述引线和半导体芯片，所述引线连接所述半导体芯片和所述基板；所述基板、所述封装材料和所述引线构成封装结构；
[0009]对所述封装材料和所述引线进行研磨，暴露出所述引线；
[0010]使用第一化学试剂刻蚀去除剩余的引线；
[0011]使用第二化学试剂刻蚀去除剩余的封装材料和所述基板。
[0012]进一步的，所述基板包括形成于所述基板内部的若干通孔、形成于所述通孔中的连线以及形成于所述基板表面与所述连线连接的焊锡球。
[0013]进一步的，所述半导体芯片通过粘合层装配于所述基板上，且所述半导体芯片通过粘合层与其中若干所述连线连接。
[0014]进一步的，所述引线一端连接所述半导体芯片，另一端与所述连线连接。
[0015]进一步的，所述粘合层为银胶。
[0016]进一步的，所述引线为金线。
[0017]进一步的，所述第一化学试剂为盐酸和硝酸的混合物，其中盐酸和硝酸的体积比为 3:1。
[0018]进一步的，使用第一化学试剂刻蚀所述引线的时间范围是60iTl20S。
[0019]进一步的，所述封装材料为热固性塑料。
[0020]进一步的，所述第二化学试剂为发烟硝酸，其浓度范围为86%~98%。
[0021]进一步的，使用第二化学试剂去除所述封装材料的时间范围是30iTl20S。
[0022]与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在:首先对所述封装材料和所述引线进行研磨，暴露出所述引线；然后使用第一化学试剂刻蚀引线，由于此时封装材料还未去除，所述半导体芯片均被封装材料保护，避免了所述第一化学试剂对半导体芯片的损伤；接着使用第二化学试剂去除封装材料和基板，从而实现在对半导体芯片较少伤害的情况下完全去除封装结构。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为现有技术中一半导体芯片和封装结构的剖面示意图；
[0024]图2为本发明一实施例中去除封装结构的方法的流程图；
[0025]图3为本发明一实施例中半导体芯片和封装结构的剖面示意图；
[0026]图4为本发明一实施例中封装结构研磨之后的剖面示意图；
[0027]图5为本发明一实施例中去除封装结构后的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0028]为了便于理解，下面结合具体实施例和图2至图5对本发明进行更加详细的描述。
[0029]本发明的核心思想在于，首先对所述封装材料和所述引线进行研磨，暴露出所述引线；然后使用第一化学试剂刻蚀引线，由于此时封装材料还未去除，所述半导体芯片均被封装材料保护，避免了所述第一化学试剂对半导体芯片的损伤；接着使用第二化学试剂去除封装材料和基板，从而实现在对半导体芯片较少伤害的情况下完全去除封装结构。
[0030]请参考图3，本实施例提供的去除封装结构的方法，首先，提供半导体芯片100，所述半导体芯片100的背面装配于基板430上，在所述半导体芯片100以及所述基板430上形成有封装材料300和若干引线200，所述封装材料300覆盖所述引线200和半导体芯片100，所述引线200连接所述半导体芯片100的正面和所述基板430 ;所述基板430、所述封装材料300和所述引线200构成封装结构。在本实施例中，所述封装材料300为热固性塑料；所述引线200均为金线。
[0031]其中，所述半导体芯片100的背面通过粘合层410粘附在所述基板430上，所述粘合层410例如是银胶。所述基板430包括形成于所述基板430内部的通孔、形成于所述通孔中的连线420以及形成于所述基板430表面与所述连线420连接的焊锡球440。一般情况，根据不同的要求，所述引线200的一端与一部分所述连线420连接，另一端连接所述半导体芯片100 ;其中，另一部分所述连线420则根据要求进行连线，例如与所述粘合层410连接。其中，所述引线200用于连接所述半导体芯片100内部器件的不同引脚。这样所有连线便可以形成一个回路，外部可以通过所述焊锡球440与所述半导体芯片100进行电压、接地或信号的传送。
[0032]请参考图4，对所述封装材料300和所述引线200进行研磨，为方便描述，将剩余的封装材料记为300’，将剩余的引线记为200’。经过此研磨步骤后，剩余的引线200’被暴露出来。在本实施例中，采用化学机械研磨对所述封装材料和所述弓I线进行研磨，一方面暴露出剩余的引线200’，便于使用化学试剂刻蚀剩余的引线200’，另一方面去除部分所述封装材料和部分引线，剩余的封装材料300’和剩余的引线200’的厚度相应的减小了，进而缩短后续的刻蚀时间，从而进一步减小刻蚀过程对半导体芯片100所造成的损伤。
[0033]接着，使用第一化学试剂刻蚀剩余的引线200’。在本实施例中，由于剩余的引线200’为金线，第一化学试剂为可以刻蚀金的酸液，其成分例如为盐酸和硝酸的混合物，俗称王水，其中盐酸和硝酸的体积比为3:1。其中，刻蚀所述引线200’的时间范围可以是60s?120s，例如是 IOOs0
[0034]接着，使用第二化学试剂去除剩余的封装材料300’和所述基板430，如图5所示。在本实施例中，第二化学试剂为发烟硝酸，其浓度例如为98%。第二化学试剂去除剩余的封装材料300’的同时，也会去除所述粘合层410，使所述基板430与所述半导体芯片100脱离。其中，使用第二化学试剂去除所述封装材料300’和所述基板430的时间范围可以是30s?120s，例如是80s。
[0035]综上所述，由于引线是作为导线连接半导体芯片与基板，且其本身极为细小，为了避免受到外界的损伤封装材料也会包围引线。但若半导体芯片出现了问题，需要对其进行测试，此时就必须把先前的封装材料去除再移除引线，取出半导体芯片并进行测试。常规的方法是先去除封装材料，但是会带来很多的问题，本发明的核心思想也正是解决此类问题的办法。
[0036]以上仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属【技术领域】的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种去除封装结构的方法，包括: 提供半导体芯片，所述半导体芯片装配于基板上，所述半导体芯片以及所述基板上形成有封装材料和若干引线，所述封装材料覆盖所述引线和半导体芯片，所述引线连接所述半导体芯片和所述基板；所述基板、所述封装材料和所述引线构成封装结构； 对所述封装材料和所述弓I线进行研磨，暴露出所述引线； 使用第一化学试剂刻蚀去除剩余的引线； 使用第二化学试剂刻蚀去除剩余的封装材料和所述基板。
2.如权利要求1所述的去除封装结构的方法，其特征在于:所述基板包括形成于所述基板内部的若干通孔、形成于所述通孔中的连线以及形成于所述基板表面与所述连线连接的焊锡球。
3.如权利要求2所述的去除封装结构的方法，其特征在于:所述半导体芯片通过粘合层装配于所述基板上，且所述半导体芯片通过粘合层与其中若干所述连线连接。
4.如权利要求2所述的去除封装结构的方法，其特征在于:所述引线一端连接所述半导体芯片，另一端与所述连线连接。
5.如权利要求1所述的去除封装结构的方法，其特征在于:所述粘合层为银胶。
6.如权利要求1所述的去除封装结构的方法，其特征在于:所述引线为金线。
7.如权利要求1所述的去除封装结构的方法，其特征在于:所述第一化学试剂为盐酸和硝酸的混合物，其中盐酸和硝酸的体积比为3:1。
8.如权利要求1所述的去除封装结构的方法，其特征在于:使用第一化学试剂刻蚀所述引线的时间范围是60s?120s。
9.如权利要求1所述的去除封装结构的方法，其特征在于:所述封装材料为热固性塑料。
10.如权利要求9所述的去除封装结构的方法，其特征在于:所述第二化学试剂为发烟硝酸，其浓度范围为86%?98%。
11.如权利要求10所述的去除封装结构的方法，其特征在于:使用第二化学试剂去除所述封装材料的时间范围是30iTl20S。
【文档编号】H01L21/02GK103824756SQ201210466450
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2012年11月16日 优先权日:2012年11月16日
【发明者】高保林, 王倩, 文智慧 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司