专利名称：一种基于蓝宝石基板的半导体设备的制作方法
技术领域：
本实用新型属于半导体设备技术领域，尤其涉及一种基于蓝宝石基板的半导体设备。
背景技术：
目前，大多数的半导体材料主要是外延生长在蓝宝石基板上，在外延生长过程中，容易引起蓝宝石基板的翘曲，严重时，导致蓝宝石基板的破裂，造成后续工艺的复杂，增加了工艺难度，同时，也增加了成本。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种基于蓝宝石基板的半导体设备，旨在解决现有技术半导体材料在外延生长过程中，容易引起蓝宝石基板的翘曲，严重时，导致蓝宝石基板的破裂，造成后续工艺的复杂，增加了工艺难度，同时，也增加了成本的问题。本实用新型是这样实现的，一种基于蓝宝石基板的半导体设备，所述基于蓝宝石基板的半导体设备设有一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的下表面通过电镀的方法形成一金属层，所述金属层对所述蓝宝石基板进行平面固定，所述蓝宝石基板的上表面通过外延生长的方法形成一外延层，所述外延层和金属层的厚度相适应，所述金属层的长度长于所述蓝宝石基板的长度。作为一种改进的方案，所述金属层为AL兀素构成。本实用新型在蓝宝石基板下表面形成的金属层对蓝宝石基板进行平面固定，降低了蓝宝石基板在材料外延生长时，发生翘曲或破裂的可能性，工艺简单，成本较低。
图I是本实用新型提供的基于蓝宝石基板的半导体设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本实用新型。图I示出了本实用新型提供的基于蓝宝石基板的半导体设备的结构示意图，为了便于说明，图中仅给出了与本实用新型相关的部分。基于蓝宝石基板的半导体设备设有一蓝宝石基板I，所述蓝宝石基板I的下表面通过电镀的方法形成一金属层2，所述金属层2对所述蓝宝石基板I进行平面固定，所述蓝宝石基板I的上表面通过外延生长的方法形成一外延层3，所述外延层3和金属层2的厚度相适应，所述金属层2的长度长于所述蓝宝石基板I的长度。其中，所述金属层2为AL元素构成。在本实用新型中，外延层3和金属层2的厚度相适应的含义为金属层2的厚度可以根据外延层3的厚度进行调整。本实用新型在蓝宝石基板下表面形成的金属层对蓝宝石基板进行平面固定，降低了蓝宝石基板在材料外延生长时，发生翘曲或破裂的可能性，工艺简单，成本较低。[0019]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神 和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种基于蓝宝石基板的半导体设备，其特征在于，所述基于蓝宝石基板的半导体设备设有一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的下表面通过电镀的方法形成一金属层，所述金属层对所述蓝宝石基板进行平面固定，所述蓝宝石基板的上表面通过外延生长的方法形成一外延层，所述外延层和金属层的厚度相适应，所述金属层的长度长于所述蓝宝石基板的长度。
2.根据权利要求I所述的基于蓝宝石基板的半导体设备，其特征在于，所述金属层为AL元素构成。·
专利摘要本实用新型适用于半导体设备技术领域，提供了一种基于蓝宝石基板的半导体设备，所述基于蓝宝石基板的半导体设备设有一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的下表面通过电镀的方法形成一金属层，所述金属层对所述蓝宝石基板进行平面固定，所述蓝宝石基板的上表面通过外延生长的方法形成一外延层，所述外延层和金属层的厚度相适应，所述金属层的长度长于所述蓝宝石基板的长度。本实用新型在蓝宝石基板下表面形成的金属层对蓝宝石基板进行平面固定，降低了蓝宝石基板在材料外延生长时，发生翘曲或破裂的可能性，工艺简单，成本较低。
文档编号H01L21/02GK202772112SQ20122047562
公开日2013年3月6日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日
发明者徐广忠 申请人:泰州普吉光电股份有限公司