衬底承载装置及半导体处理设备的制作方法

文档序号:7133560阅读:165来源:国知局
专利名称:衬底承载装置及半导体处理设备的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种LED、光伏电池等半导体器件的生产设备,尤其涉及一种应用于半导体器件生产工艺中的衬底承载装置。
背景技术
在LED、光伏电池等半导体器件的制程中,通常需要将衬底置于MOCVD等设备内的石墨盘等衬底承载装置中,继而在旋转衬底承载装置的同时,对衬底进行加热,进而在衬底上沉积形成选定的半导体材料层。传统半导体器件制程中,衬底被放置在石墨盘上的定位槽中,定位槽的形状为圆形,当石墨盘转动时,衬底在圆形定位槽内也会转动,使得衬底相对石墨盘的位置是随机。然而,在现有半导体器件制程中一般希望衬底相对石墨盘的位置固定;现有技术的衬底通常具有定位平边,因此,现有技术中采用了定位槽的形状为与衬底 的形状对应的形状,但在半导体器件制程中,衬底会随着石墨盘的旋转而在定位糟中转动,而容易造成衬底,尤其是硬度较大的衬底,来回撞击定位槽槽壁而破裂;且所述破裂主要出现在衬底定位平边的端部。

实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种衬底承载装置,以克服现有技术中的不足。为实现上述发明目的,本实用新型采用了如下技术方案一种衬底承载装置,其包括绕一轴转动的衬底承载器,所述衬底承载器表面设有用于容置衬底的定位槽,所述定位槽槽壁包括与衬底的定位平边配合的平边结构,其特征在于,所述定位槽内还设有用于防止衬底定位平边的两端部与定位槽槽壁触碰的定位缓冲机构。作为优选方案之一,所述槽为形成于槽壁上内凹的弧形槽。作为优选方案之一,所述缓冲元件包括由弹性材料形成的缓冲件。作为优选方案之一,所述缓冲元件包括弹簧缓冲片。作为优选方案之一,所述平边结构与衬底承载装置的旋转方向的切线垂直。作为优选方案之一,所述平边结构设置于所述定位槽朝向所述衬底承载装置旋转方向一侧。一种半导体处理设备,它具有如上所述的衬底承载装置。所述半导体处理设备可以为MOCVD设备。与现有技术相比,本实用新型至少具有如下有益效果在工作过程中,由于所述衬底定位缓冲机构的存在,无论衬底承载装置是在常速旋转,或是在加速、减速过程中,衬底定位平边的两端与定位槽槽壁几乎不会发生点接触,从而可有效防止衬底破裂。尤其是通过将定位槽按照所述平边结构与衬底承载装置的旋转方向垂直的方式放置,更可使得撞击行为主要发生在整个衬底定位平边与定位槽的平边结构之间,从而可更为有效的防止衬底破裂。本实用新型可被广泛应用于MOCVD等半导体器件生产设备中。

图1是本实用新型一较佳实施例中衬底承载装置的结构示意图;图2是本实用新型一较佳实施例中定位槽的结构示意图;附图标记说明石墨盘10、衬底20、定位槽30、衬底定位缓冲机构40。
具体实施方式
如前所述,在现有技术中衬底在工作过程中往往会因与定位槽的碰撞而受损或破裂,而本案实用新型人经长期实践后发现,碰撞主要发生在衬底定位平边的两端,其原因在 于,定位槽的平边阻碍了衬底的转动,使得衬底定位平边的两端与定位槽壁发生碰撞,又因为衬底定位平边两端的应力比较为集中,所以发生碰撞后容易破裂。有鉴于此,本案实用新型人经审慎之研究,提出了本实用新型的技术方案,其大致如下定位槽的形状与衬底的形状对应,则所述定位槽槽壁包括与衬底的衬底定位平边配合的平边结构,通过在定位槽中设置衬底定位缓冲机构,藉以使得衬底定位平边的两端不与定位槽槽壁碰触,从而避免衬底定位平边的两端与定位侧壁发生碰撞,减少破损的发生,从而提高产品的良率,并降低生产成本。参阅图1-图2所示系本实用新型的一较佳实施例,该较佳实施例中所采用的衬底承载装置系石墨盘10,而在石墨盘10表面可以设置有多个用于容置衬底20的定位槽30,定位槽30具有与衬底定位平边配合的平边结构。又及,在本实施例中,所采用的衬底定位缓冲机构40可以是对称分布于定位槽30平边结构两端部的定位槽;所述分布于定位槽30平边结构两端部的定位槽使得所述衬底20的定位平边两端不能与所述定位槽30的槽壁接触,从而防止所述衬底20的定位平边两端的碰撞损伤;优选的,所述定位槽为形成于槽壁上内凹的弧形、三角形或矩形等的槽。所述定位槽的平边结构优选的与石墨盘10的旋转方向垂直。藉由前述设计,在工作过程中,无论石墨盘10是在常速旋转,或是在加速、减速过程中,衬底20的定位平边与石墨盘10的撞击将会发生在整个定位平边与定位槽30的平边结构之间,而且所述定位平边的两端与定位槽30的槽壁几乎不会发生点接触,从而可有效防止衬底破裂。优选的,所述定位槽30的平边结构设置在朝向石墨盘10旋转的方向一侧。在本实用新型的另一较佳实施例中,所述衬底定位缓冲机构40还可以是可采用主要由弹性材料形成的缓冲块。优选的,所述缓冲块亦可固定设置于定位槽平边的两端部。尤为优选的方式是,将所述缓冲块嵌设在定位槽槽壁上,以减少缓冲块对定位槽内空间的占用。显然的,考虑到在工作过程中还可能需要对石墨盘进行加热,以促进化学气相沉积等反应的顺利进行,故而,前述弹性材料宜选用耐高温弹性材料,且本领域技术人员完全可以根据实际应用的需要而很容易的从习见的弹性材料中进行选择。利用此缓冲块,无论石墨盘10是在正常旋转,或是在加速、减速过程中,衬底20的定位平边的两端均不会与定位槽30的槽壁直接碰触,从而有效的防止衬底破裂。在本实用新型的再一较佳实施例中,所述定位缓冲机构40可采用弹簧缓冲片。优选的,所述弹簧缓冲片亦可固定设置于定位槽30的平边结构的两端部,特别是,所述弹簧缓冲片可嵌设在定位槽30的槽壁上。同样的,前述弹簧缓冲片宜选用耐高温材料制成,但这是本领域技术人员完全可以根据实际应用的需要而很容易的从习见材料中进行选择的。基于与前述缓冲块类似的工作原理,利用此弹簧缓冲片亦可有 效防止衬底的破
m
ο显然的,包含本实用新型衬底定位缓冲机构的各种衬底承载装置可被广泛应用于如MOCVD、PECVD, Etching等半导体处理设备中。最后需要指出的是,以上较佳实施例仅用于说明本实用新型的内容,除此之外,本实用新型还有其他实施方式,但凡本领域技术人员因本实用新型所涉及之技术启示,而采用等同替换或等效变形方式形成的技术方案均落在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种衬底承载装置,包括绕一轴转动的衬底承载器,所述衬底承载器表面设有用于容置衬底的定位槽,所述定位槽槽壁包括与衬底的定位平边配合的平边结构,其特征在于,所述定位槽内还设有用于防止衬底定位平边的两端部与定位槽槽壁触碰的定位缓冲机构。
2.根据权利要求1所述的衬底承载装置,其特征在于,所述定位缓冲机构包括分布于平边结构两端的槽。
3.根据权利要求2所述的衬底承载装置,其特征在于,所述槽为形成于槽壁上内凹的弧形槽。
4.根据权利要求1所述的衬底承载装置,其特征在于,所述定位缓冲机构包括嵌设于平边结构两端的缓冲元件。
5.根据权利要求4所述的衬底承载装置,其特征在于,所述缓冲元件包括由弹性材料形成的缓冲件。
6.根据权利要求4所述的衬底承载装置,其特征在于,所述缓冲元件包括弹簧缓冲片。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的衬底承载装置,其特征在于,所述平边结构与衬底承载器的旋转方向的切线垂直。
8.根据权利要求7所述的衬底承载装置,其特征在于,所述平边结构设置于所述定位槽朝向所述衬底承载器旋转方向一侧。
9.一种半导体处理设备,其特征在于所述半导体处理设备具有如权利要求1-6中任一项所述的衬底承载装置。
10.根据权利要求9所述的半导体处理设备,其特征在于,所述半导体处理设备为MOCVD设备。
专利摘要本实用新型公开了一种衬底承载装置,其包括绕一轴转动的衬底承载器,所述衬底承载器表面设有用于容置衬底的定位槽,定位槽槽壁包括与衬底的定位平边配合的平边结构,且定位槽内还设有用于防止衬底定位平边的两端部与定位槽槽壁触碰的定位缓冲机构。本实用新型可有效防止衬底定位平边两端与衬底承载装置发生碰撞,并防止衬底破损。进一步的,通过将定位槽按照平边结构朝向衬底承载装置旋转方向的方式放置,并且使平边结构和衬底承载装置中心的连线与衬底承载装置的旋转方向垂直,更可使得撞击行为主要发生在整个衬底定位平边与前述平边结构之间,从而可更为有效的防止衬底受损。本实用新型还公开了一种应用前述衬底承载装置的半导体器件生产设备。
文档编号H01L21/68GK202855724SQ20122049872
公开日2013年4月3日 申请日期2012年9月27日 优先权日2012年9月27日
发明者黄颖泉, 乔徽, 梁秉文, 陈勇 申请人:光达光电设备科技(嘉兴)有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1