半导体封装、其制造方法及模具、半导体封装的输入输出端子的制作方法
【专利摘要】提供一种安装了高频用的高输出半导体元件的、便宜且高频特性良好的半导体封装。本发明的半导体封装（1）具备：半导体元件（12），输入或输出高频信号；平板状的引线端子（13），一端与半导体元件（12）的输入端子或输出端子电连接；封固用树脂（16），将引线端子（13）和半导体元件（12）封固，使得引线端子（13）的另一端露出；接地强化用金属体（15），被封固用树脂（16）封固，使得第1主面对置于引线端子（13）、第2主面从封固用树脂（16）露出。
【专利说明】半导体封装、其制造方法及模具、半导体封装的输入输出端子
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体封装、其制造方法及模具、以及半导体封装的输入输出端子，特别涉及将高频信号以高水平输出的高频半导体器件用的树脂封固型半导体封装。
【背景技术】
[0002]树脂封固型封装由于能够便宜地大量生产，所以作为民用的半导体元件的封装被最普遍地使用。
[0003]但是，由于封固树脂的介电常数低，所以将高频信号向半导体元件输入输出的引线端子的特性阻抗的设计自由度低，在几百MHz以上的较高的频率用途中，树脂封固型封装的使用例较少。特别是，高输出用的半导体元件由于芯片尺寸大，所以半导体元件本身的输入输出阻抗低，容易发生该输入输出阻抗与包括封装的引线端子的特性阻抗在内的负载电路之间的阻抗不匹配。
[0004]在专利文献I中，作为设计引线端子的特性阻抗的方法，公开了这样的方法:在信号用引线的两侧具备接地用引线，调整信号用引线及接地用引线的宽度和相互间隔，使信号用引线作为共面型的分布参数线路来发挥作用。
[0005]此外,在专利文献2中，公开了用来使引线端子作为微带(microstrip)型的分布参数线路来发挥作用的封装结构。
[0006]图8是表示专利文献2中记载的注塑(mold)封装的结构的剖视图。在该图所记载的现有的注塑封装500中，将与半导体元件501的电极连接的第I外部导出引线502通过第I树脂503进行一次注塑。接着，在该一次注塑的基础上，载置作为金属层的第2外部导出引线504，第I外部导出引线502及第2外部导出引线504通过第2树脂505而与一次注塑一起被进行二次注塑。即，在注塑封装500中，信号用的内引线即注塑内部的第I外部导出引线502与接地用的金属层即第2外部导出引线504对置，从而构成作为微带型的分布参数线路发挥作用的引线端子。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本专利第2580674号公报
[0010]专利文献2:日本专利第2655501号公报
[0011]发明概要
[0012]发明要解决的问题
[0013]但是，在专利文献I所公开的引线端子的结构中，为了使信号用引线作为共面型的分布参数线路发挥作用，对置的接地用引线的宽度需要是信号用引线的宽度的3倍以上。
[0014]此外，在专利文献2所公开的引线端子的结构中，虽然能够使封装小型化，但例如在IGHz以上的较高的频带中，引线端子有可能发生较大的传送损耗。[0015]此外，在专利文献2所记载的注塑封装500中，为了进行特性阻抗的调整及变更而需要设备投资。
【发明内容】
[0016]本发明是鉴于上述问题而做出的，目的在于提供一种安装有高频用的高输出半导体元件、便宜且高频特性良好的半导体封装、其制造方法及模具、以及半导体封装的输入输出端子。
[0017]解决问题所采用的手段
[0018]为了解决这样的问题，本发明的一个技术方案的半导体封装的特征在于，具备:输入或输出高频信号的半导体元件；平板状的引线，一端与上述半导体元件的输入端子或输出端子电连接，用来将上述高频信号向上述半导体元件或外部电路传递；树脂，以使上述引线的另一端露出的方式，将上述引线和上述半导体元件封固；接地强化用的导电体，具有第I主面及与该第I主面对置的第2主面，以使上述第I主面对置于上述引线、上述第2主面从上述树脂露出的方式，被上述树脂封固。
[0019]发明效果
[0020]根据本发明，在树脂封固型封装中能够使接地强化用的导电体牢固地接地，并且还能够降低从接地面的相位超前。由此，能够提供一种安装了高频用的高输出半导体元件的、便宜且高频特性良好的半导体封装。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是本发明的实施方式I的半导体封装的结构的剖视图。
[0022]图2是本发明的实施方式I的半导体封装的俯视透视图及侧面透视图。
[0023]图3是本发明的实施方式2的半导体封装的俯视透视图。
[0024]图4是用来制造本发明的半导体封装的引线框的工序流程图。
[0025]图5是根据引线框制造本发明的半导体封装的工序流程图。
[0026]图6A是用来将本发明的半导体封装进行树脂封固的树脂成形模的剖视图。
[0027]图6B是载置了引线框及接地强化用金属体的状态的树脂成形模的剖视图。
[0028]图7是表示本发明的实施方式I的半导体封装的变形例的结构的剖视图。
[0029]图8是表示专利文献2所记载的注塑封装的结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0030](作为本发明的基础的认识)
[0031]本
【发明者】关于在“【背景技术】”栏中记载的半导体封装，发现会发生以下的问题。
[0032]在专利文献I所公开的引线端子的结构中，为了使信号用引线作为共面型的分布参数线路来发挥作用，对置的接地用引线的宽度需要是信号用引线的宽度的3倍以上。通常，信号用引线的宽度与半导体元件的芯片尺寸大致相等，特别是，高输出用的半导体元件需要使用芯片尺寸在5mm以上的较大的芯片，必然封装变大。
[0033]此外，在专利文献2所公开的引线端子的结构中，虽然能够使封装小型化，但例如在处理IGHz以上的较高频率信号的情况下有问题。该情况下，为了使信号用引线作为微带型的分布参数线路来发挥作用，在信号频率中需要较牢固的接地层。但是，在专利文献2所记载的注塑封装500中，通过与信号用的内引线对置的第2外部导出引线504的电阻成分及相位成分，应作为接地层发挥功能的第2外部导出引线504的接地强度变得不充分。由于该不充分的接地强度，引线端子中有可能发生大的传送损耗。
[0034]此外，在专利文献2所记载的注塑封装500中，由于内引线的特性阻抗由第I树脂503的厚度规定，所以当调整特性阻抗时，需要变更第I树脂503的厚度。即，为了进行特性阻抗的调整及变更，必须变更使第I树脂503成形的模具，相应地需要设备投资。
[0035]为了解决这样的问题，本发明的一个技术方案的半导体封装的特征在于，具备:输入或输出高频信号的半导体元件；平板状的引线，一端与上述半导体元件的输入端子或输出端子电连接，用来将上述高频信号向上述半导体元件或外部电路传递；树脂，以使上述引线的另一端露出的方式，将上述引线和上述半导体元件封固；以及接地强化用的导电体，具有第I主面及与该第I主面对置的第2主面，以使上述第I主面对置于上述引线、上述第2主面从上述树脂露出的方式，被上述树脂封固。
[0036]根据本技术方案，在第I主面隔着树脂而与引线对置从而与该引线一起构成微带线路的接地强化用的导电体中，该导电体的第2主面从树脂露出。由此，导电体的第2主面与安装封装的接地面直接接触，所以能够提高对微带线路的传送特性有影响的接地强度。由此，能够使用便宜的树脂提供具有低损耗的高频特性的半导体封装。
[0037]此外，优选的是，还具有在上表面配置上述半导体元件的平板状的芯片焊盘；上述芯片焊盘以使下表面的至少一部分露出的方式被上述树脂封固。
[0038]由此，通过将从树脂露出的芯片焊盘的下表面直接向模组壳体或热沉螺栓固定或焊接，能够使半导体元件的发热有效地散热。
[0039]此外，上述引线的上表面和上述芯片焊盘的上表面可以位于同一平面上。
[0040]由此，半导体元件和平板状的引线的上表面为大致同一平面，在它们之间没有阶差，所以引线框的构成及键合线的形成变得容易，能够实现制造工序的简单化。
[0041]此外，也可以是，从与上述引线面对的上述芯片焊盘的侧面到与上述芯片焊盘面对的上述引线的侧面的距离等于从与上述导电体面对的上述芯片焊盘的侧面到与上述芯片焊盘面对的上述导电体的侧面的距离。
[0042]由此，能够使由平板状的引线、导电体及被它们夹着的树脂构成的微带线路的、与芯片焊盘接近的一侧的端部的特性阻抗的变化最小，所以能够降低边界区域的传送损耗。
[0043]此外，上述引线和上述芯片焊盘可以用相同的材料构成。
[0044]由此，能够使用引线和芯片焊盘被一体化、引线与芯片焊盘的位置关系固定的引线框制造本发明的半导体封装。由此，安装工序中的引线键合稳定，树脂封固工序中的引线及芯片焊盘的定位容易，所以能够实现制造工序的简单化。
[0045]此外，可以是，上述导电体的上述第2主面以上述引线为基准而位于与上述芯片焊盘的上述下表面相同的一侧。
[0046]由此，能够使导电体的第2主面和芯片焊盘的下表面接触于安装半导体封装的高频基板、铝壳、热沉等的同一安装面，所以能够有效且简单地实现用于高频传送特性中的接地强化及半导体元件的散热的安装工序。
[0047]此外，可以是，上述导电体的上述第2主面与上述芯片焊盘的上述下表面位于同一平面上。
[0048]由此，导电体的第2主面及芯片焊盘的背面与安装封装的接地面之间进行安装时的紧密接合性提高，能够实现均匀的散热特性。
[0049]此外，上述导电体可以是上述芯片焊盘的一部分。
[0050]由此，能够使用将导电体与芯片焊盘一体化的引线框制造本发明的半导体封装。此外，由于能够使一体化的导电体及芯片焊盘同时接触于安装半导体封装的高频基板的同一安装面，所以能够有效且简单地实现用于高频传送特性中的接地强化及半导体元件的散热的安装工序。
[0051 ] 此外，上述引线的厚度优选比上述芯片焊盘的厚度小。
[0052]由此，能够确保引线与导电体的间隔，所以调整对微带线路的特性阻抗带来影响的引线与导电体之间的树脂的厚度的自由度增加。
[0053]此外，优选的是，在上述引线与上述导电体对置的部分，在将与上述第I主面平行并且与上述高频信号的传递方向垂直的方向设为宽度方向的情况下，上述导电体的宽度比上述引线的宽度大。
[0054]由此，在由引线、导电体和树脂构成的微带线路中，从引线向导电体的电力线的密度均等，能够确保低损耗的传送特性。
[0055]此外，优选的是，上述芯片焊盘具有存在截面的结构，该截面与上述下表面平行并且面积小于上述上表面的面积。
[0056]由此，树脂将芯片焊盘环抱，能够防止芯片焊盘从树脂剥离及脱落。
[0057]此外，优选的是，上述导电体具有存在截面的结构，该截面与上述第2主面平行并且面积小于上述第I主面的面积。
[0058]由此，树脂将接地强化用的导电体环抱，能够防止导电体从树脂剥离及脱落。
[0059]此外，优选的是，上述芯片焊盘的下表面中的从上述树脂露出的部分从该部分的周边的上述树脂的表面突出。
[0060]根据本技术方案，在树脂成形时，能够更可靠地防止树脂向芯片焊盘的下表面的蔓延。在树脂成形时，如果树脂向芯片焊盘的下表面蔓延，则热传导率低的树脂介于热沉等的散热面与芯片焊盘的下表面之间。这样，热沉等的散热面与芯片焊盘直接接触的有效面积减小，存在不能将半导体元件的发热有效地散热的情况。
[0061]此外，优选的是，上述导电体的上述第2主面从该第2主面的周边的上述树脂的表面突出。
[0062]根据本技术方案，在树脂成形时，能够更可靠地防止树脂向导电体的第2主面蔓延。在树脂成形时，如果树脂向接地强化用的导电体的第2主面蔓延，则作为绝缘层的树脂介于热沉等的接地面与导电体之间。这样，热沉等的接地面与导电体直接接触的有效面积减小，存在将导电体作为接地面的效果降低的情况。
[0063]另外，本发明不仅能够作为具备这样的特征的半导体封装实现，还能够作为以半导体封装中包含的特征为工序的半导体封装的制造方法来实现。
[0064]为了解决上述问题，本发明的半导体封装的制造方法的特征在于，包括以下工序:连接工序，使输入或输出高频信号的半导体元件的输入端子或输出端子与平板状的引线电连接，该引线用来将上述高频信号向上述半导体元件或外部电路传递；导电体接触工序，将具有第I主面及与该第I主面对置的第2主面的接地强化用的导电体配置在上述模具的规定位置，使得上述第2主面接触模具的内面；引线配置工序，将上述引线的一部分及上述半导体元件配置在上述模具的内部空间，使得上述引线与上述第I主面对置；以及树脂注入工序，向上述模具的上述内部空间注入树脂。
[0065]根据本技术方案，在树脂注入工序的准备工序中，由于使导电体的第2主面接触树脂成形用的模具的内面而配置，所以能够在树脂成形后使该第2主面从树脂露出。由此，第2主面与安装封装的接地面直接接触，所以能够提高对微带线路的传送特性重要的接地强度，能够使用便宜的树脂提供具有低损耗的高频特性的半导体封装。
[0066]此外，优选的是，在上述连接工序之前，还包括以下工序:准备工序，准备将平板状的芯片焊盘和上述引线作为一体而包含的引线框；以及芯片键合工序，将上述半导体元件芯片键合于上述芯片焊盘的上表面；在上述引线配置工序中，将上述引线框配置在上述模具的规定位置，使得上述芯片焊盘的下表面的至少一部分接触上述模具的内面。
[0067]由此，在树脂注入工序的准备工序中，由于使芯片焊盘的下表面的少至少一部分接触树脂成形用的模具的内面而配置，所以能够在树脂成形后使该下表面从树脂露出。由此，通过将从树脂露出的芯片焊盘的下表面直接向模组壳体或热沉进行螺栓固定或焊接，能够使半导体元件的发热有效地散热。
[0068]此外，可以是，在上述引线配置工序中，在形成在上述模具的内面的凹部中嵌入上述芯片焊盘，使得上述芯片焊盘的下表面接触上述模具的内面。
[0069]由此，在树脂注入工序的准备工序中，能够使芯片焊盘的下表面的至少一部分接触树脂成形用的模具的内面而配置，并且还能够实现芯片焊盘的定位。同时，在树脂注入工序中，由于使芯片焊盘的下表面从树脂的注入空间突出，所以能够更可靠地防止树脂向芯片焊盘的下表面蔓延。
[0070]此外，可以是，在上述引线配置工序中，从形成于上述模具的吸引口吸引上述芯片焊盘，使得上述芯片焊盘的下表面接触上述模具的内面。
[0071]由此，在树脂注入工序的准备工序中，能够使芯片焊盘的下表面的至少一部分吸附于树脂成形用模具的内面而配置，并且还能够实现芯片焊盘的定位。
[0072]此外，可以是，在上述导电体接触工序中，在形成在上述模具的内面的凹部中嵌入上述导电体，使得上述第2主面接触上述模具的内面。
[0073]由此，在树脂注入工序的准备工序中，能够使导电体的第2主面接触树脂成形用模具的内面而配置，并且还能够实现导电体的定位。同时，在树脂注入工序中，由于使第2主面从树脂的注入空间突出，所以能够更可靠地防止树脂向导电体的第2主面蔓延。
[0074]此外，可以是，在上述导电体接触工序中，从形成于上述模具的吸引口吸引上述导电体，使得上述第2主面接触上述模具的内面。
[0075]由此，在树脂注入工序的准备工序中，能够使导电体的第2主面吸附于树脂成形用模具的内面而配置，并且还能够实现导电体的定位。
[0076]另外，本发明不仅能够作为具备上述特征的半导体封装及具备上述特征性的工序的半导体封装的制造方法来实现，还能够作为具备特征性结构的半导体封装的模具来实现。
[0077]为了解决上述问题，本发明的半导体封装的模具，用来制造半导体封装，上述半导体封装具备:输入或输出高频信号的半导体元件；平板状的引线，一端与上述半导体元件的输入端子或输出端子电连接，用来将上述高频信号向上述半导体元件或外部电路传递；树脂，以使上述引线的另一端露出的方式，将上述引线和上述半导体元件封固；以及接地强化用的导电体，以使第I主面对置于上述引线、与上述第I主面对置的第2主面从上述树脂露出的方式，被上述树脂封固；其特征在于，在上述模具的内面，形成有用来使上述第2主面接触上述内面的凹部。
[0078]通过将本技术方案的模具用在本发明的半导体封装的制造工序中，能够使导电体的第2主面容易地接触树脂成形用模具的内面而配置。同时，在树脂注入工序中，由于使第2主面从树脂的注入空间突出，所以能够更可靠地防止树脂向导电体的第2主面蔓延。由此，第2主面与安装封装的接地面直接接触，所以能够提高对微带线路的传送特性重要的接地强度。此外，在树脂注入工序的准备工序中，由于导电体的定位容易，所以能够实现制造工序的简略化。
[0079]此外，构成微带线路的引线的特性阻抗取决于导电体的第I主面与引线平面之间的树脂的厚度。根据本技术方案，即使不变更树脂的成形模具，通过仅调整接地强化用的导电体的厚度，将引线和导电体设置在树脂的成形模具内的规定位置，也能够变更引线的特性阻抗。由此，不需要树脂的成形模具的变更，所以能够在对制品价格影响少的状态下增加半导体封装制品的变化。
[0080]此外，本发明不仅能够作为具备上述特征的半导体封装实现，还能够作为具备半导体封装中包含的特征性构造的半导体封装的输入输出端子实现。
[0081]为了解决上述问题，本发明的半导体封装的输入输出端子，将半导体元件通过树脂封固，其特征在于，具有:平板状的引线，传输高频信号；树脂，以使上述引线的一端露出的方式，将上述引线与上述半导体元件一起封固；以及接地强化用的导电体，具有第I主面及与该第I主面对置的第2主面，以使上述第I主面对置于上述引线、上述第2主面从上述树脂露出的方式，被上述树脂封固；上述引线、上述导电体和上述树脂构成带线路或微带线路。
[0082]由此，由于接地强化用的导电体的背面能够与接地面直接接触，所以能够提高对微带线路的传送特性有影响的接地强度。由此，能够使用作为半导体封装的便宜的构成材料的树脂来实现低损耗的高频信号传送。
[0083]以下，参照附图对本发明的实施方式的半导体封装进行说明。此外，在以下的图中，对于相同的构成要素使用相同的标号。
[0084](实施方式I)
[0085]图1是本发明的实施方式I的半导体封装的结构剖视图。该图中记载的半导体封装I是树脂封固型的封装，具备:芯片焊盘(die pad) 11、半导体元件12、多个引线端子13、将半导体元件12与内引线部13a连接的键合线14、接地强化用金属体15、以及封固用树脂
16。另外，在引线端子13中，将位于封固用树脂16内侧的部分作为内引线部13a，将位于封固用树脂外侧的部分作为外引线部13b。
[0086]半导体元件12被芯片键合(die bonding)于芯片焊盘11的主面Ila,是将经由一个引线端子13输入的高频信号进行功率放大、将该功率放大后的高频信号经由另一个引线端子13输出的高频功率放大元件。另外，作为安装在本发明的半导体封装中的半导体元件，不仅是具有上述功率放大功能的元件，还能够适用具有高频信号的开关功能的元件等。即，在本发明的半导体封装中安装的半导体元件只要是输入或输出高频信号的半导体元件就可以。
[0087]作为半导体兀件12,可以举出例如GaN — HFET (Heterostructure FieldEffect Transistor)、GaAs — HFET> MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)、LDMOS(Lateral double Diffused MOSFET)以及 GaAs — HBTCHeterojunctionBipolar Transistor)等。
[0088]芯片焊盘11例如由铜等热传导率高的材料构成，是具有安装半导体元件12的相当于上表面的主面11a、和从封固用树脂16露出的相当于下表面的背面Ilb的平板。通过将从封固用树脂16露出的芯片焊盘11的背面Ilb直接向模组壳体(module case)或热沉进行螺栓固定或焊接，能够使半导体元件12的发热有效地散热。一般而言，封固用树脂材料使用例如环氧树脂等，因此与铜等金属材料相比，热传导率低两个量级以上。由此，通过封固用树脂16的散热难以将高输出时的半导体元件的发热有效地散热。
[0089]接地强化用金属体15是具有作为第I主面的主面15a、和从封固用树脂16露出的作为第2主面的背面15b的接地强化用的导电体。接地强化用金属体15的主面15a隔着封固用树脂16的一部分而与引线端子13的内引线部13a对置。接地强化用金属体15例如由铜等导电良好的材料构成。
[0090]引线端子13配置在芯片焊盘11的侧方，是内引线部13a通过键合线14而与半导体元件12的输入端子或输出端子电连接的平板状引线。通过上述连接，引线端子13将输入高频信号或放大后的输出高频信号向半导体元件12或外部电路传递。这里，引线端子13的厚度优选的是比芯片焊盘11的厚度小。由此，能够确保引线端子13与接地强化用金属体15之间的间隔，所以调整对微带线路的特性阻抗带来影响的该间隔内的封固用树脂16的厚度的自由度增加。
[0091]封固用树脂16将芯片焊盘11、半导体元件12、内引线部13a、键合线14和接地强化用金属体15封固，并使芯片焊盘11的背面lib、外引线部13b、以及接地强化用金属体15的背面15b露出。
[0092]内引线部13a的特性阻抗由封固用树脂16的相对介电常数、内引线部13a的宽度、和接地强化用金属体15的主面15a与内引线部13a的背面之间的距离决定。
[0093]通过上述结构，能够使用便宜的树脂实现高频功率放大用途的半导体封装。此外，由于使与引线端子13 —起构成微带线路的接地强化用金属体15的背面15b从封固用树脂16露出，所以通过使接地强化用金属体15的背面15b与安装半导体封装I的高频基板或模组壳体等的接地面直接接触或焊接，能够提高对高频传送特性重要的接地强度，还能够降低从接地面的相位超前。由此，能够提供用来安装高频用的高输出半导体元件的、便宜且高频特性良好的半导体封装。
[0094]此外，即使不变更封固用树脂16的成形模具，内引线部13a的特性阻抗也能够通过调整接地强化用金属体15的厚度来变更。由此，不需要变更将封固用树脂16成形的模具，能够以对制品价格影响小的状态增加制品的变化(var iat ion )。
[0095]此外，在本实施方式中，接地强化用金属体15的背面15b以引线端子13为基准而位于与芯片焊盘11的背面Ilb相同的一侧。由此，能够使接地强化用金属体15的背面15b和芯片焊盘11的背面Ilb接触在安装半导体封装I的高频基板或模组壳体等的同一安装面上，所以能够有效且简单地实现用于高频传送特性中的接地强化及半导体元件12的散热的安装工序。
[0096]进而，接地强化用金属体15的背面15b优选的是位于与芯片焊盘11的背面Ilb相同的平面上。由此，背面15b及背面Ilb与上述高频基板或模组壳体等进行安装时的紧密接合性提高，实现均匀的散热特性。
[0097]另外，在本发明的半导体封装中，接地强化用金属体15的背面15b也可以以引线端子13为基准而位于与芯片焊盘11的背面Ilb相反的一侧。安装本发明的半导体封装的高频电路基板采取多层结构的情况较多，例如存在这样的情况，即安装半导体封装的层的紧挨着的上层成为接地层。即，在此情况下对应的本发明的半导体封装也可以是这样的形态:使芯片焊盘的背面从该半导体封装的底面露出，将该背面与安装层接合，另一方面，使接地强化用金属体的背面从该半导体封装的上表面露出，使该背面与接地层接合。
[0098]进而，如图1所示，芯片焊盘11的背面Ilb优选的是比封固用树脂16的背面16b突出。由此，在将封固用树脂16成形时，能够更可靠地防止封固用树脂16向芯片焊盘11的背面Ilb蔓延。在将封固用树脂16成形时，如果封固用树脂16向芯片焊盘11的背面Ilb蔓延，则热传导率低的封固用树脂16会介于热沉等的散热面与芯片焊盘11的背面Ilb之间。由此，热沉等的散热面与背面Ilb直接接触或接合的有效面积减少，有时无法将半导体元件12的发热有效地散热。
[0099]此外，接地强化用金属体15的背面15b优选的是比封固用树脂16的背面16b突出。由此，在将封固用树脂16成形时，能够更可靠地防止封固用树脂16向接地强化用金属体15的背面15b蔓延。在将封固用树脂16成形时，如果封固用树脂16向接地强化用金属体15的背面15b蔓延，则作为绝缘层的封固用树脂16会介于热沉等的接地面与接地强化用金属体15之间。由此，热沉等的接地面与接地强化用金属体15直接接触或接合的有效面积减小，使接地强化用金属体15成为接地面的效果有时会下降。
[0100]另外，如上述那样，为了采取使芯片焊盘11的背面Ilb相对于封固用树脂16的背面16b突出的结构，优选在用来将封固用树脂16成形的下模具上形成将芯片焊盘11的背面Ilb嵌入那样的形状的凹部。由此，还能够进行封固用树脂16成形时的模具与芯片焊盘11的定位。
[0101]同样，为了采取使接地强化用金属体15的背面15b相对于封固用树脂16的背面16b突出的结构，优选在上述下模具上形成将接地强化用金属体15的背面15b嵌入那样的形状的凹部。由此，还能够进行封固用树脂16成形时的模具与接地强化用金属体15的定位。
[0102]此外，优选的是，芯片焊盘11的底面端部形成阶差，并且上述下模具也形成相同形状的阶差。由此，能够更有效地防止封固用树脂16蔓延到芯片焊盘11的背面lib。
[0103]同样，优选的是，接地强化用金属体15的底面端部形成阶差，并且上述下模具也形成相同形状的阶差。由此，能够更有效地防止封固用树脂16蔓延到接地强化用金属体15的背面15b底面。
[0104]此外，如图1所示，优选的是在芯片焊盘11的背面Ilb的端部设置缺口 11c。通过设置缺口 I Ic使其埋入到封固用树脂16中，封固用树脂16将芯片焊盘11环抱，能够防止芯片焊盘11从封固用树脂16剥离及脱落。这里，所谓缺口 11c，是设在芯片焊盘11侧面的凹部。在图1所记载的半导体封装I中，被封固用树脂16覆盖的缺口 Ilc与芯片焊盘11的底面端部的阶差一致，例如通过将在上述下模具中为了将芯片焊盘11的背面Ilb嵌入而设置的阶差的高度设定得低于在芯片焊盘11的底面端部形成的阶差的高度，来实现缺口 Ilc的结构。
[0105]同样，如图1所示，通过在接地强化用金属体15的背面15b的端部设置缺口 15c使其埋入到封固用树脂16中，封固用树脂16将接地强化用金属体15环抱，能够防止接地强化用金属体15从封固用树脂16剥离及脱落。这里，所谓缺口 15c，是设在接地强化用金属体15侧面的凹部。在图1所记载的半导体封装I中，被封固用树脂16覆盖的缺口 15c与接地强化用金属体15的底面端部的阶差一致，例如通过将在上述下模具中为了将接地强化用金属体15的背面15b嵌入而设置的阶差的高度设定得低于在接地强化用金属体15的底面端部形成的阶差的高度，来实现缺口 15c的结构。
[0106]另外，在芯片焊盘11的背面Ilb的端部设置的缺口 11c、以及在接地强化用金属体15的背面15b的端部设置的缺口 15c的形状并不限定于图1所记载那样的阶差形状。为了防止芯片焊盘11从封固用树脂16剥离或脱落，缺口 Ilc也可以是以被封固用树脂16覆盖的方式设置、从面积比芯片焊盘11的主面Ila小的背面Ilb的端部到主面Ila的端部为直线状或平滑地变化的部分。此外，同样，为了防止接地强化用金属体15从封固用树脂16剥离或脱落，缺口 15c也可以是以被封固用树脂16覆盖的方式设置、从面积比接地强化用金属体15的主面15a小的背面15b的端部到主面15a的端部为直线状或平滑地变化的部分。
[0107]S卩，为了防止芯片焊盘11从封固用树脂16剥离或脱落，芯片焊盘11只要存在与芯片焊盘11的背面Ilb平行且面积比主面Ila小的截面、并且面积比主面Ila小的该截面部分被封固用树脂16覆盖就可以。换言之，即使芯片焊盘11的背面Ilb的面积在主面Ila的面积以上，只要在从主面Ila到背面Ilb之间有具有颈缩(< t/札:中间部分比两点部分细)形状的缺口、且该缺口被封固用树脂16覆盖就可以。此外，同样，为了防止接地强化用金属体15从封固用树脂16剥离或脱落，接地强化用金属体15只要存在与接地强化用金属体15的背面15b平行且面积比主面15a小的截面、并且面积比主面15a小的该截面部分被封固用树脂16覆盖就可以。换言之，即使接地强化用金属体15的背面15b的面积在主面15a的面积以上，只要在从主面15a到背面15b之间有具有颈缩形状的缺口并且该缺口被封固用树脂16覆盖就可以。
[0108]此外，引线端子13的上表面和芯片焊盘11的主面Ila优选位于同一平面上。由此，半导体元件12和引线端子13的上表面为大致同一平面，在它们之间没有阶差，所以容易形成键合线14，能够实现制造工序的简单化。
[0109]此外，优选的是，从面对引线端子13的芯片焊盘11的侧面到面对芯片焊盘11的引线端子13的侧面的距离大致等于从面对接地强化用金属体15的芯片焊盘11的侧面到面对芯片焊盘11的接地强化用金属体15的侧面的距离。由此，能够使由引线端子13、接地强化用金属体15以及它们所夹的封固用树脂16构成的微带线路的、与芯片焊盘11接近的一侧的端部的特性阻抗的变化最小，所以能够降低边界区域的传送损耗。
[0110]图2是本发明的实施方式I的半导体封装的俯视透视图及侧面透视图。另外，图1所记载的半导体封装I的结构剖视图对应于图2所记载的半导体封装I的俯视透视图中的X — X’剖视图。此外，图2所记载的半导体封装I的侧面透视图对应于从高频信号的输入输出方向(在图中对应于Y方向)观察的透视图。
[0111]如图2的俯视透视图所示，在本实施方式I的半导体封装I中，对应于半导体元件12所设的多个输入焊盘及多个输出焊盘，多个键合线14以大致等间隔且大致相同的长度将引线端子13的内引线部13a与半导体元件12连接。此外，如图2的侧面透视图所示，弓丨线端子13与接地强化用金属体15夹着作为电介体材料的封固用树脂16的一部分而对置。
[0112]以下，在图2的俯视图中，当将引线端子13的一个作为输入、将引线端子13的另一个作为输出时，将高频信号从输入向输出流动的方向定义为长度方向，将与高频信号的流动垂直的方向定义为宽度方向。
[0113]这里，优选的是，在引线端子13与接地强化用金属体15对置的部分，接地强化用金属体15的宽度比内引线部13a的宽度宽。为了将内引线部13a用作微带型的分布参数线路，需要使从内引线部13a向接地强化用金属体15的电力线的密度均匀。在接地强化用金属体15的宽度比内引线部13a的宽度窄的情况下，接地层的面积不足，成为传送损耗的原因。进而，优选的是，从半导体封装的上表面看到的、接地强化用金属体15相对于内引线部13a在宽度方向的超出量大于内引线部13a与接地强化用金属体15的对置距离。
[0114]另外，在图2所示的半导体封装I中，接地强化用金属体15的宽度比封固用树脂16的宽度窄，在宽度方向上包含在封固用树脂16的内部，但也可以是，将接地强化用金属体15的宽度设定为与封固用树脂16的宽度同等、或比封固用树脂16的宽度宽。由此，热沉等的接地面与接地强化用金属体15之间的接触面积增加，紧密接合度强化，所以能够进一步降低接触电阻，能够进一步降低传送损耗。
[0115]此外，在图2所示的半导体封装I中，将芯片焊盘11和封固用树脂16的宽度以相同的宽度构成，但也可以是，芯片焊盘11的宽度比封固用树脂16宽从而芯片焊盘11在宽度方向上露出，或者相反地，芯片焊盘11的宽度比封固用树脂16窄从而芯片焊盘11在宽度方向上包含在封固用树脂16的内部。
[0116]此外，在图2所示的半导体封装I中，接地强化用金属体15的长度比内引线部13a的长度短，在长度方向上包含在封固用树脂16的内部，但也可以是，使接地强化用金属体15的长度比内引线部13a的长度长，在长度方向上露出到封固用树脂16之外，向外引线部13b的方向延伸。由此，内引线部13a的特性阻抗固定，能够抑制因阻抗不匹配造成的传送损耗。此外，由于热沉等的接地面与接地强化用金属体15之间的接触面积增加，所以能够进一步降低接触电阻，能够进一步降低传送损耗。
[0117]另外，在图1、图2所示的半导体封装I中，将半导体元件12与引线端子13通过键合线14直接连接，但也可以是，在半导体元件12与引线端子13之间配置匹配用的电路基板，通过键合线经由匹配用的电路基板将半导体元件12与引线端子13连接。
[0118](实施方式2)
[0119]图3是本发明的实施方式2的半导体封装的俯视透视图。该图所记载的半导体封装2是树脂封固型的封装，具备:芯片焊盘21、半导体元件12、多个引线端子13、键合线14、接地强化用金属体15和封固用树脂16。本实施方式的半导体封装2与实施方式I的半导体封装I相比，在结构上的不同点在于，芯片焊盘21的宽度比封固用树脂16的宽度宽，以及在宽度方向上从封固用树脂16突出的芯片焊盘21的区域设有螺栓固定用的缺口 lid。与实施方式I的半导体封装I的相同点省略说明，以下仅说明与半导体封装I的不同点。
[0120]芯片焊盘21例如由铜等热传导率高的材料构成，是具有安装半导体元件12的主面、和从封固用树脂16露出的背面的平板。
[0121]通过上述结构，能够使用便宜的树脂实现高频功率放大用途的半导体封装。此外，由于使与引线端子13 —起构成微带线路的接地强化用金属体15的背面15b从封固用树脂16露出，所以能够提高对高频传送特性重要的接地强度，同时，还能够降低从接地面的相位超前。由此，能够提供用来安装高频用的高输出半导体元件的、便宜且高频特性良好的半导体封装。
[0122]并且，从封固用树脂16露出的芯片焊盘21的背面以与模组壳体或热沉直接接触的方式在缺口 Iid被螺栓固定、或对模组壳体或热沉焊接。由此，紧密接合面积增加，并且紧密接合度强化，所以接触热阻降低，能够使半导体元件12的发热有效地散热。
[0123]另外，在图3所示的半导体封装2中，仅使芯片焊盘21的宽度比封固用树脂16的宽度宽，并构成螺栓固定用的缺口 lld，但同样也可以使接地强化用金属体15的宽度比封固用树脂16的宽度宽，并设置螺栓固定用的缺口。由此，热沉与接地强化用金属体15之间的紧密接合面积增加，并且紧密接合度强化，所以能够进一步降低接触电阻，能够进一步降低传送损耗。
[0124](实施方式3)
[0125]在本实施方式中，对本发明的半导体封装的制造方法进行说明。
[0126]图4是用来制造本发明的半导体封装的引线框(lead frame)的制作工序流程图。此外，图5是从引线框制造本发明的半导体封装的工序流程图。本发明的半导体封装的制造方法，在执行图4 Ca)?图4 (C)的工序后,执行图5 Ca)?图5 Cd)的工序。具体而言，图4 (a)?图4 (c)表示实施方式I的半导体封装I具备的芯片焊盘11及引线端子13的前阶段的引线框的制造工序。此外，图5 (a)及图5 (b)表示向引线框的安装工序，图5
(c)表示基于封固用树脂16的封固工序，图5 (d)表示半导体封装的单片化工序。
[0127]此外，在图4及图5所记载的制造方法中，示出了将4个半导体封装具备的芯片焊盘11及引线端子13相连的结构作为I个引线框来执行各工序的例子。在图4及图5中，示出每个工序的剖视图和俯视图。
[0128]首先，如图4 (a)所示，准备引线框板5，引线框板5是芯片焊盘11及引线端子13的构成材料。通过以后的工序，在I个引线框板5上形成4个半导体封装的量的芯片焊盘11及引线端子13。引线框板5例如由无氧铜等长方体的铜坯料构成。
[0129]接着，如图4 (b)所示，为了将厚度不同的引线端子13和芯片焊盘11使用引线框板5 —体构成，将引线框板5的作为对置的两边的端部区域轧制加工。由此，将引线框板5加工成将成为引线端子13的区域变薄而得到的引线框板5x。另一方面，为了将高输出半导体元件12的发热有效地散热，需要将成为芯片焊盘11的引线框板5x的中央部区域确保为
0.5mm以上的厚度。
[0130]另外，能够通过轧制加工形成的阶差存在极限，相对于成为芯片焊盘11的区域的厚度，能够使成为引线端子13的区域的厚度薄到6分之I左右。例如，在准备的引线框板5的厚度是1.2mm的情况下,能够将成为引线端子13的部分薄到0.2?1.2mm的范围。
[0131]接着，如图4 (C)所示，对引线框板5x，通过压力加工或切削加工等将成为芯片焊盘的区域Ilx与成为引线端子的区域13x之间的区域切除，从而形成引线框。但是，形成封固用树脂16的区域以外不进行加工，形成的引线框维持一体地相连的状态。
[0132]另外，由于对为了使压力加工或切削加工容易而薄化后的部分进行加工，所以在成为芯片焊盘的区域Ilx的两端部发生局部性的薄的区域。可以将该局部性的薄的区域与引线框中央部的没有被轧制加工的厚的区域之间的阶差用作图1所记载的芯片焊盘11的缺口 11c。
[0133]另外，如果压力机的载荷设定有余量，则还能够对成为芯片焊盘的区域Ilx中的没有被轧制加工的区域进行加工，成为芯片焊盘的区域Ilx及成为引线端子的区域13x之间的加工区域并不限定于图4 (c)所示的区域。由此，成为芯片焊盘的区域Ilx没有局部性的薄的区域，厚度变均匀。
[0134]上述图4 (a)?图4 (c)所示的工序是准备将平板状的芯片焊盘11和引线端子13作为一体而包含的引线框的准备工序。
[0135]接着，如图5 (a)所示，将半导体元件12芯片键合于通过图4 (C)所示的工序形成的引线框。图5 Ca)所示的工序是将半导体元件12芯片键合于芯片焊盘11的主面Ila的芯片键合工序。
[0136]接着，如图5 (b)所示，将由图5 (a)所示的工序芯片键合的半导体元件12与引线端子13通过键合线14连接。这里，由于引线端子13与芯片焊盘11通过相同材料的引线框一体形成，所以能维持半导体元件12与引线端子13的位置关系，因此该工序中的引线接合稳定，此外，下个工序中的引线端子13及芯片焊盘11的模具内的定位变得容易，所以能够实现制造工序的简单化。图5 (b)所示的工序是使将高频信号放大的半导体元件12的输入端子或输出端子与用来将输入高频信号或放大后的输出高频信号向半导体元件12或外部电路传递的引线端子13电连接的连接工序。
[0137]接着,如图5 (C)所示,将通过图5 (a)及图5 (b)所示的工序安装了半导体元件12及键合线14的引线框、和接地强化用金属体15通过封固用树脂16封固成形。此时，上述引线框和接地强化用金属体15通过在图6A及图6B中后述的模具而被进行定位，从而实现在图1及图2中说明的封固后的规定的结构。即，在将封固用树脂16成形时，上述引线框和接地强化用金属体15被同时树脂成形。
[0138]上述图5 (C)所示的工序，包括:导电体接触工序，将接地强化用金属体15配置到模具的规定位置，使得背面15b接触于模具的内面；引线配置工序，将引线框的一部分配置到模具的内部空间，使得引线端子13与接地强化用金属体15的主面15a对置、并且芯片焊盘11的背面Ilb接触于模具的内面；以及树脂注入工序，向模具的内部空间注入封固用树脂16。
[0139]最后，如图5 (d)所示，将一体地相连的引线框在规定的位置处切断。由此，将半导体封装I单片化。
[0140]根据上述制造方法，能够在封固用树脂16成形后使接地强化用金属体15的背面15b从封固用树脂16露出。由此，背面15b与安装半导体封装I的接地面直接接触，所以能够提高对微带线路的传送特性带来影响的接地强度。由此，能够将具有低损耗的高频特性的半导体封装作为树脂封固型的便宜的封装来提供。
[0141]并且，能够在封固用树脂16成形后使芯片焊盘11的背面Ilb从封固用树脂16露出。由此，通过将从封固用树脂16露出的芯片焊盘11的背面Ilb直接向模组壳体或热沉进行螺栓固定或焊接，能够使半导体元件12的发热有效地散热。
[0142]这里，对在图5 (c)所示的封固工序中使用的树脂成形模进行说明。
[0143]图6A是用来将本发明的半导体封装进行树脂封固的模具的剖视图。该图所记载的模具30是半导体封装I的制造装置，具备上部半模31和下部半模32。模具30是用来将安装着半导体元件12的引线框与接地强化用金属体15通过封固用树脂16同时通过树脂成形而封固的成形模。通过将上部半模31与下部半模32叠合，在它们之间确保空间34。此外，在下部半模32的内面，设有用于引线框的定位的凹部32a、和用于接地强化用金属体15的定位的凹部32b。并且，在下部半模32，设有用来将接地强化用金属体15真空吸附的吸引口 33。此外，虽然没有图示，但至少上部半模31及下部半模32中的一个设有适当的流路，以使得在加压下能够将成为封固用树脂16的热硬化性环氧树脂等液态塑料向空间34注入及填充。
[0144]在上述图5 (c)所示的工序中，以使芯片焊盘11的背面Ilb接触于下部半模32的内面的方式，在形成在下部半模32的内面的凹部32a中嵌入芯片焊盘11。此外，以使接地强化用金属体15的背面15b接触于下部半模32的内面的方式，在形成在下部半模32的内面的凹部32b中嵌入接地强化用金属体15。
[0145]并且，在图5 (C)所示的工序中，也可以从形成在下部半模32的吸引口 33吸引接地强化用金属体15，使得接地强化用金属体15的背面15b接触于下部半模32的内面。此夕卜，也可以从形成在下部半模32的吸引口(未图示)吸引芯片焊盘11，使得芯片焊盘11的背面Ilb接触于下部半模32的内面。
[0146]在图5 (C)所示的工序中，通过利用凹部32a及32b以及吸引口 33，能够使接地强化用金属体15及芯片焊盘11接触于模具30的内面，并且还容易进行接地强化用金属体15及芯片焊盘11的定位。
[0147]图6B是设置有引线框及接地强化用金属体的状态的树脂成形模的剖视图。在该图中，描绘了在安装着半导体元件12的引线框和接地强化用金属体15被配置在空间34的规定位置的状态下、将上部半模31与下部半模32叠合后的模具30。更具体地讲，内引线部13a、芯片焊盘11、半导体元件12、键合线14以及接地强化用金属体15被配置在模具30的空间34的内部。在该配置状态下，通过在加压下使液态的塑料向空间34注入及填充并进行树脂成形，实现图5 (c)所示的、4个半导体封装I被一体化的状态。
[0148]另外，如图6B所示，通过用上部半模31和下部半模32夹入外引线部13b，需要使得在外引线部13b不形成封固用树脂16。
[0149]此外，需要使背面Ilb紧密接合于下部半模32，以使得在芯片焊盘11的背面Ilb不形成封固用树脂16。
[0150]此外，需要使背面15b紧密接合于下部半模32，以使得在接地强化用金属体15的背面15b不形成封固用树脂16。
[0151]作为使芯片焊盘11及接地强化用金属体15紧密接合于下部半模32的方法，可以举出例如如图6B所示那样在下部半模32设置吸引口 33、将芯片焊盘11及接地强化用金属体15真空吸附的方法。
[0152]此外，也可以是，不设置上述用于真空吸附的吸引口 33，在上部半模31的内面设置突起物，在将上部半模31及下部半模32叠合时该突起物将芯片焊盘11及接地强化用金属体15的一部分推入，从而使背面Ilb及15b紧密接合于下部半模32。
[0153]通过将本实施方式的模具30在本发明的半导体封装的制造工序中使用，能够使接地强化用金属体15的背面15b容易地接触于模具30的内面而配置。由此，用来将内引线部13a用作微带线路的、相当于接地层的接地强化用金属体15的背面15b与安装半导体封装的接地面直接接触，所以能够提高对微带线路的传送特性重要的接地强度。此外，在树脂注入工序的准备工序中，由于导电体的定位容易，所以能够实现制造工序的简略化。
[0154]以上，基于实施方式对本发明的半导体封装、其制造方法及模具进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。在不脱离本发明的主旨的范围内实施本领域的技术人员想到的各种变形后的形态也包含在本发明的范围内。此外，也可以在不脱离发明的主旨的范围内将多个实施方式的各构成要素任意地组合。
[0155]另外，在实施方式3中，作为实现实施方式I的半导体封装I的制造方法的一例，将芯片焊盘11和引线端子13通过相同材料的引线框一体形成，但本发明的半导体封装I的制造方法并不限定于此。作为实现本发明的半导体封装的制造方法的其他形态，也可以将芯片焊盘和接地强化用金属体用引线框一体形成，将引线端子另外形成。以下，对该形态进行说明。
[0156]图7是表示本发明的实施方式I的半导体封装的变形例的结构剖视图。该图中记载的半导体封装3是树脂封固型的封装，具备芯片焊盘36、半导体元件12、多个引线端子
13、键合线14和封固用树脂16。本实施方式的半导体封装3与实施方式I的半导体封装I相比，在结构上的不同点在于，接地强化用金属体成为芯片焊盘36的一部分。
[0157]封固用树脂16是将芯片焊盘36、半导体元件12、内引线部13a和键合线14封固、使得芯片焊盘36的背面36b、外引线部13b露出的树脂。
[0158]芯片焊盘36包括两个主面35a及36a，在背面36b的端部设有缺口 35c。
[0159]内引线部13a的特性阻抗由封固用树脂16的相对介电常数、内引线部13a的宽度、芯片焊盘36的主面35a与内引线部13a的背面之间的距离决定。
[0160]具有上述结构的半导体封装3通过使用将接地强化用金属体与芯片焊盘一体化的引线框来实现。具体而言，使用该引线框，通过半导体元件12的芯片键合工序、引线键合工序、引线框及引线端子13的配置工序、以及树脂注入工序，制造半导体封装3。根据作为本发明实施方式I的变形例的半导体封装3，由于能够使一体化的接地强化用金属体及芯片焊盘同时接触于安装半导体封装3的高频基板的同一安装面，所以能够有效且简单地实现用于高频传送特性中的接地强化以及半导体元件的散热的安装工序。
[0161]另外，在实施方式I?3中，所谓高频信号，是具有几百MHz以上的频率的信号。
[0162]此外，本发明不仅是作为上述半导体封装、其制造方法及模具实现，还能够作为半导体封装的输入输出端子实现。即，本发明的半导体封装的输入输出端子具有:平板状的引线端子13，传输高频信号；封固用树脂16，将引线端子13与半导体元件12 —起封固，使得引线端子13的一端露出；接地强化用金属体15，具有作为第I主面的主面15a及与主面15a对置的作为第2主面的背面15b，以使主面15a对置于引线端子13、背面15b从封固用树脂16露出的方式被封固用树脂16封固；引线端子15、接地强化用金属体15和封固用树脂16构成带线路或微带线路。由此，由于接地强化用金属体15的背面15b能够与接地面直接接触，所以能够提高对微带线路的传送特性有影响的接地强度。由此，能够使用作为半导体封装的便宜的构成材料的树脂，实现低损耗的高频信号传送。上述半导体封装的输入输出端子也包含在本发明的技术范围中。
[0163]工业实用性
[0164]本发明的半导体封装能够应用于将高频信号以高输出处理的移动体通信用的基站、或者微波炉等微波家电等。
[0165]标号说明
[0166]1、2、3半导体封装
[0167]5、5x引线框板
[0168]11、21、36 芯片焊盘
[0169]11a、15a、35a、36a 主面
[0170]lib、15b、16b、36b 背面
[0171]llc、lld、15c、35c 缺口
[0172]Ilx成为芯片焊盘的区域
[0173]12,501半导体元件
[0174]13引线端子
[0175]13a内引线部
[0176]13b外引线部
[0177]13x成为引线端子的区域
[0178]14键合线
[0179]15接地强化用金属体
[0180]16封固用树脂
[0181]30 模具
[0182]31上部半模
[0183]32下部半模
[0184]32a、32b 凹部
[0185]33 吸引口
[0186]34 空间
[0187]500注塑封装
[0188]502第I外部导出引线
[0189]503 第 I 树脂
[0190]504第2外部导出引线
[0191]505 第 2 树脂
【权利要求】
1.一种半导体封装，其特征在于，具备: 输入或输出高频信号的半导体元件； 平板状的引线，一端与上述半导体元件的输入端子或输出端子电连接，用来将上述高频信号向上述半导体元件或外部电路传递； 树脂，以使上述引线的另一端露出的方式，将上述引线和上述半导体元件封固；以及接地强化用的导电体，具有第I主面及与该第I主面对置的第2主面，以使上述第I主面对置于上述引线、上述第2主面从上述树脂露出的方式，被上述树脂封固。
2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于， 该半导体封装还具有平板状的芯片焊盘，在该芯片焊盘的上表面配置上述半导体元件； 上述芯片焊盘以使下表面的至少一部分露出的方式被上述树脂封固。
3.如权利要求2所述的半导体封装，其特征在于， 上述引线的上表面和上述芯片焊盘的上表面位于同一平面上。
4.如权利要求2所述的半导体封装，其特征在于， 从与上述引线面对的上述芯片焊盘的侧面到与上述芯片焊盘面对的上述引线的侧面的距离等于从与上述导电体面对的上述芯片焊盘的侧面到与上述芯片焊盘面对的上述导电体的侧面的距离。
5.如权利要求2所述的半导体封装，其特征在于， 上述引线和上述芯片焊盘用相同的材料构成。
6.如权利要求2~5中任一项所述的半导体封装,其特征在于， 上述导电体的上述第2主面以上述引线为基准而位于与上述芯片焊盘的上述下表面相同的一侧。
7.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于， 上述导电体的上述第2主面与上述芯片焊盘的上述下表面位于同一平面上。
8.如权利要求2所述的半导体封装，其特征在于， 上述导电体是上述芯片焊盘的一部分。
9.如权利要求2~8中任一项所述的半导体封装，其特征在于， 上述引线的厚度比上述芯片焊盘的厚度小。
10.如权利要求1~9中任一项所述的半导体封装，其特征在于， 在上述引线与上述导电体对置的部分，在将与上述第I主面平行且与上述高频信号的传递方向垂直的方向设为宽度方向的情况下，上述导电体的宽度比上述引线的宽度大。
11.如权利要求2~10中任一项所述的半导体封装，其特征在于， 上述芯片焊盘具有存在截面的结构，该截面与上述下表面平行并且面积小于上述上表面的面积。
12.如权利要求1~11中任一项所述的半导体封装，其特征在于， 上述导电体具有存在截面的结构，该截面与上述第2主面平行并且面积小于上述第I主面的面积。
13.如权利要求2~12中任一项所述的半导体封装，其特征在于， 上述芯片焊盘的下表面中的从上述树脂露出的部分从该部分的周边的上述树脂的表面突出。
14.如权利要求1~13中任一项所述的半导体封装，其特征在于， 上述导电体的上述第2主面从该第2主面的周边的上述树脂的表面突出。
15.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括以下工序: 连接工序，使输入或输出高频信号的半导体元件的输入端子或输出端子与平板状的引线电连接，该引线用来将上述高频信号向上述半导体元件或外部电路传递； 导电体接触工序，将具有第I主面及与该第I主面对置的第2主面的接地强化用的导电体配置在模具的规定位置，使得上述第2主面接触上述模具的内面； 引线配置工序，将上述引线的一部分及上述半导体元件配置在上述模具的内部空间，使得上述引线与上述第I主面对置；以及 树脂注入工序，向上述模具的上述内部空间注入树脂。
16.如权利要求15所述的半导体封装的制造方法，其特征在于， 在上述连接工序之前，还包括以下工序: 准备工序，准备将平板状的芯片焊盘和上述引线作为一体而包含的引线框；以及 芯片键合工序，将上述半导 体元件芯片键合于上述芯片焊盘的上表面； 在上述引线配置工序中，将上述引线框配置在上述模具的规定位置，使得上述芯片焊盘的下表面的至少一部分接触上述模具的内面。
17.如权利要求16所述的半导体封装的制造方法，其特征在于， 在上述引线配置工序中，在形成在上述模具的内面的凹部中嵌入上述芯片焊盘，使得上述芯片焊盘的下表面接触上述模具的内面。
18.如权利要求16或17所述的半导体封装的制造方法，其特征在于， 在上述引线配置工序中，从形成于上述模具的吸引口吸引上述芯片焊盘，使得上述芯片焊盘的下表面接触上述模具的内面。
19.如权利要求15~18中任一项所述的半导体封装的制造方法，其特征在于， 在上述导电体接触工序中，在形成在上述模具的内面的凹部中嵌入上述导电体，使得上述第2主面接触上述模具的内面。
20.如权利要求15~19中任一项所述的半导体封装的制造方法，其特征在于， 在上述导电体接触工序中，从形成于上述模具的吸引口吸引上述导电体，使得上述第2主面接触上述模具的内面。
21.一种半导体封装的模具，用来制造半导体封装， 上述半导体封装具备: 输入或输出高频信号的半导体元件； 平板状的引线，一端与上述半导体元件的输入端子或输出端子电连接，用来将上述高频信号向上述半导体元件或外部电路传递； 树脂，以使上述引线的另一端露出的方式，将上述引线和上述半导体元件封固；以及接地强化用的导电体，以使第I主面对置于上述引线、与上述第I主面对置的第2主面从上述树脂露出的方式，被上述树脂封固； 其特征在于， 在上述模具的内面，形成有用来使上述第2主面接触上述内面的凹部。
22.—种半导体封装的输入输出端子，将半导体元件通过树脂封固，其特征在于， 具有: 平板状的引线，传输高频信号； 树脂，以使上述引线的一端露出的方式，将上述引线与上述半导体元件一起封固；以及接地强化用的导电体，具有第I主面及与该第I主面对置的第2主面，以使上述第I主面对置于上述引线、上述第2主面从上述树脂露出的方式，被上述树脂封固； 上述引线、上述导电体和上述树脂构成带线路或微带线路。
【文档编号】H01L21/56GK104025292SQ201280012054
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2012年10月24日 优先权日:2011年12月22日
【发明者】夘野高史, 池田光, 八幡和宏, 岩田基良, 内藤浩, 神山智英 申请人:松下电器产业株式会社