专利名称：透明氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用选自氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉的透明氧化物半导体制造的晶体管，其中在沉积所述氧化物半导体时没有特意掺入额外的掺杂元素，本发明还涉及所述氧化物半导体的沉积方法。透明氧化物半导体可用于制造透明薄膜晶体管。透明晶体管可用于控制显示器中的像素。由于是透明的，晶体管不会显著降低像素的有效面积。
背景技术：
Fortunato 等人(Materials Research Society Symposium Proceedings (2001)666 )描述了通过射频磁控管溅射法沉积在聚酯上的含铝氧化锌薄膜。日本专利申请JP2002076356 A中记述了一种由氧化锌制成的并掺杂了过渡金属元素的沟道层。Goodman (US 4204217A)公开了一种液晶晶体管。Ohya 等(Japanese Journal of Applied Physics,Part I(Jan.2001)vol40，n0.1, p297-8)公开了一种由化学溶液沉积法制备的ZnO薄膜晶体管。Maniv 等(J.Vac.Sci Technol.，A (1983)，I (3)，1370-5)记述了 由改进的反应平面磁控管溅射技术制备的导电ZnO薄膜。Giancaterian 等(Surface and Coatings Technology (2001) 138 (I)，84-94)记述了由射频磁控管溅射法沉积的氧化锌涂层。Seager 等(Appl.Phys.Lett.68, 2660-2662，1996)记述了利用铁电绝缘体发出的电场来控制或调节ZnO: Al或ZnO:1n导电膜的电阻。在2000 年 8 月期的 Materials Research Bullitin, Volume 25 (8) 2000 中回顾了透明导电氧化物，专门论述了透明导电氧化物的材料和性能。
发明内容
本发明涉及新型的透明氧化物半导体(TOS)薄膜晶体管(TFT)及其沉积方法，其中透明氧化物半导体(TOS)选自氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)或氧化镉(CdO)半导体及其组合。所述TFT结构包括具有用于将电流注入TOS的通常称为源极和漏极的导电电极的T0S，以及用于控制和/或调节源-漏电流的电容充电电路。半导体沉积工艺采用磁控管溅射技术，在具有可控氧气分压的惰性气体气氛中溅射氧化物(ΖηΟ、Ιη203、SnO2, CdO)或金属(Zn、In、Sn、Cd)靶。这是一种与温度敏感基底和元件相容的低温工艺。TOS TFT的一个特别诱人的应用是用于在柔性聚合物基底(基板，衬底)上的显示器驱动电路。本方法具体涉及在场效应晶体管中沉积无掺杂的透明氧化物半导体，包括选自以下的一种方法:
在混合了惰性气体的氧气有效分压下物理气相沉积无掺杂的TOS ；
在有效氧气分压下电阻蒸发无掺杂的TOS ；
在有效氧气分压下激光蒸发无掺杂的TOS ；
在有效氧气分压下电子束蒸发无掺杂的TOS ;和
在有效氧气分压下化学气相沉积无掺杂的！OS。
本发明还涉及一种包括无掺杂的透明氧化物半导体的晶体管。在一个实施方案中，晶体管位于柔性基底上并进一步包含由选自氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉的材料制成的栅极介质。
图1显示了在10毫托和20毫托的氩气和氧气中射频磁控管溅射的ZnO膜中，电阻率与p02的关系。
图2显示了通过PVD或CVD法制造的ZnO膜的总的电阻特性与氧气源分压的关系。
图3显示了 ZnO TFT的测试结构。
图4显示了 ρ02=Ρ。条件下制造的射频磁控管溅射薄膜的ZnO TFT 1-V曲线。
图5显示了 p02=2P。条件下制造的射频磁控管溅射薄膜的ZnO TFT 1-V曲线。
图6显示了 p02=0.75P。条件下制造的射频磁控管溅射薄膜的ZnO TFT 1-V曲线。
图7显示了 p02=0.08P。条件下制造的射频磁控管溅射薄膜的ZnO TFT 1-V曲线。
图8显示了 p02=20P。条件下制造的射频磁控管溅射薄膜的ZnO TFT 1-V曲线。
图9 (a)和(b)显示了在柔性基底上制造的ZnO TFT的1-V曲线。图9 (a)显示了栅电压以IV的幅度从OV增加到20V时Id相对于Vd的曲线。图9 (b)显示了 Vd = 20V时Id对栅电压的曲线。在此晶体管中，W=400ym，L=40 μ m。
图10显示了仅由ZnO构成的TFT的光学图像。
图11显示了仅由ZnO构成的TFT的1-V曲线。
图12显示了 p02接近P。时制造的氧化铟TFT的1-V曲线。
图13显示了栅电压在O到3V以及Vd在O到3V之间时，晶体管电流(Id)对漏电压(Vd)的曲线图。
具体实施方式
、虽然现在大部分电子器件是制造在刚性基底如单晶Si或玻璃上的，但对在塑性或柔性基底上制造的电子器件的关注在不断增长，特别是因为它们的机械强度会更高、重量更轻，且通过卷到卷法制造可能会更便宜。但是，塑性基底，例如聚对苯二甲酸乙二酯(例如，Mylar ' E.1.Dupont de Nemours Inc., Wilmington, DE)限制了器件的加工要低于100°C。一个后果就是基于Si甚至是非晶Si的电子元器件与对温度敏感的塑性基底不相容。这刺激了对有机半导体作为一种低温类的替代物质的广泛关注。然而，对于器件应用，大部分有机半导体与非晶Si相比通常电子性能较差。而且，有机材料在普通大气条件下通常会降解，需要保护措施。相反，与对温度敏感的基底加工相容且电子性能与非晶Si相当的稳定的无机半导体，能使电子元器件适合于多种柔性基底。对于这种应用，基于新型溅射透明氧化物半导体的薄膜晶体管可以制在柔性基底上且具有很好的电子性能。该TOS在电磁波频谱的可见部分也是透明的。这可能在电子显示器应用中尤其有利(I)。例如，磁控管溅射法被用于形成ZnO半导体层。采用某一特定范围内的沉积条件，没有特意对基底加热(与低温塑性基底相容)，制得了具有良好的电子传递性能的多晶(X-射线衍射)ZnO层。该ZnO层适于用作TFT中的半导体。本发明的ZnO半导体和这些TOS的原型的良好传导特性包括对较低的器件“关”电流的高电阻率与对较高的器件“开”电流的高电荷载流子迁移率相结合。在本发明的溅射ZnO薄膜中，电阻率通过计量沉积过程中的氧气分压来控制。我们制备ZnO的一个新颖性方面是，发现了有利于获得低ZnO膜应力的溅射条件同样有利于在室温下制造的ZnO TFT器件的高跨导和高开/关电流比。据信其原因在于低应力ZnO膜具有更少的缺陷和有利的电子结构，促进了更高的电荷载流子迁移率。因此，本发明的ZnO膜显示了更好的TFT器件性倉泛。在本发明的一个实施方案中，源极、漏极和栅极是电阻蒸发的约IOOnm厚的Al。ZnO半导体是通过射频磁控管溅射法在Ar和O2混合气体中制造的约IOOnm厚的层。栅极绝缘体是通过电子束蒸气沉积的Al2O3,厚度在IOOnm到300nm之间。基底是聚对苯二甲酸
乙二酯(PET 和Kapton 聚酸亚胺，Ε.1.Dupont de Nemours Inc., Wilmington, DE)0 所有
的沉积都是在维持基底于室温或接近室温条件下进行的。薄膜晶体管(TFT)是一种有源器件，它是用于转换和放大电信号的电子电路的基本结构单元。TFT器件的特征包括低开启电压、高跨导或器件电流/ (栅)控制电压比以及高“开”(Vg > O)电流对“关”(Vg彡O)电流比。在本发明的典型TFT结构中，基底是纸或聚合物，例如PET，PEN，Kapton等。源和漏导电电极在基底上构图。然后沉积T0S，接着是栅绝缘层如SiO2或八1203。最后，栅导电电极沉积在栅极绝缘层上。本领域技术人员可以认识到，这只是许多可能的TFT制造方案中的一种。在此器件的运行过程中，只有当控制栅电极通电时，加到源极和漏极之间的电压才会产生显著的电流。也就是说，源极和漏极之间的电流是通过施加在栅极上的偏置电压来调节或控制的。TOS TFT的材料和器件参数之间的关系可以用以下近似方程式来表示:Isd=(ff/2L)Cy (Vg)2其中Isd是饱和源一漏电流，C是与绝缘层有关的几何栅电容，W和L是实际器件尺寸，μ是TOS中的载流子(空穴或电子)迁移率，Vg是施加的栅电压。理想情况下，只有当施加适当极性的栅电压时，TFT才会通过电流。然而，在零栅电压下源极和漏极间的“关”电流依赖于TOS的固有导电率:ο =nq μ其中η是电荷载流子密度，q是电荷，所以(Isd) = Q (Wt/L ) VsdOVg=O这里t是TOS层的厚度，Vsd是施加在源极和漏极间的电压。因此，要使TFT在例如显示器中用作具有高开/关电流比的优质电子开关，TCOS半导体必须具有高载流子迁移率，但非常小的固有导电率，或换言之，低的电荷载流子密度。对于实际器件所期望的开/关电流比> IO3。
具体地，当无掺杂的ZnO薄膜是在一定氧气分压p02下由Zn或ZnO革巴直流或射频磁控管溅射而得时，随着PO2的增加，容积电阻率(R)突然从强半导电性(R 10_2 Ω cm)变到几乎绝缘(R 106-108 Qcm)。对于由无掺杂的ZnO靶射频磁控管溅射的ZnO膜，R对ρ02的关系如图1。(对于氧化铟、氧化锡和氧化镉薄膜，R对PO2的关系与此相似)。溅射系统由一个低温抽气式不锈钢真空室(大约为25英寸直径X 15英寸高)构成，室内具有一个供基底用的水冷式固定台。靶的直径为6.5英寸，基底与靶的距离大约为3英寸，射频(13.56MHz)电源通过标准阻抗匹配网络与靶相连。靶的售主分析表明它含有含量< 20ppm的As、Fe、Cd、Cu、Ca、Mn、Na、Pb杂质。对于图1中给出电阻率的ZnO膜，存在一个临界氧气分压P。，电阻率在此P。附近的变化Λ Rc非常大和急剧。P。定义为与电阻率突然上升的中点所对应的氧气分压。具体地，对于Py2-2P。之间的？02，厶1 。的增加>1040 011。对于图1，临界压力P。大约为10一5托。如图2中所示，对于由需要氧气源用于合成的任何气相沉积方法(物理或化学气相沉积)所制备的ZnO膜和其他TOS膜，在临界氧气分压Pc时发生R相对于p02突然显著变化这一特性是一种普遍结果。物理气相沉积(PVD)主要包括所有形式的溅射方法(射频、直流、磁控管、二极管、三极管、离子束)和蒸发方法(电阻、激光、电子束)。通常TOS的PVD依赖于相应金属或金属氧化物的固体或熔融源。化学气相沉积(CVD)需要化学气相传导和化学反应进行成膜。反应物通常为气相，反应类型的例子包括裂解、还原、氧化、歧化和形成化合物。CVD方法包括低压(LPCVD)、等离子增强(PECVD)、原子层化学气相沉积(ALCVD,又称原子层沉积，ALD)和激光增强(LECVD)法。
与制备方法无关，P。确定了氧化物的生长条件，此时原子氧的到达速率正好与原子Zn、In、Sn或Cd的到达速率相匹配，以形成具有半绝缘性电阻率即 IO8 Ω cm的化学计量比的氧化物，例如ZnO。因此，即使仅仅稍微偏离化学计量比，例如也会成数量级地降低电阻率，这是因为0.01 %的过量Zn对应着 IO19个自由电子(每个间隙Zn离子两个电子)或对于μ lcm2/V-s时 I Ω cm的电阻率。因此,与制备方法无关,在P。附近，即使PO2只发生很小的变化也会导致电阻率的显著、急剧变化。
然而，P。的实际值依赖于具体的沉积条件和具体的氧化物,也依赖于沉积系统的物理和动力学特性。P。附近的电阻变化的实际大小Λ Rc也依赖于掺入氧化物膜的杂质(掺杂物)的 水平。较低的杂质水平会增加Λ R。的大小，而较高的杂质含量会使之减小。但总的电阻特性是系统不变量，因此气相沉积领域的技术人员可以找到用于制造无掺杂的TOS膜的某特定系统的P。。
基于名义上无掺杂的TOS的本发明的场效应晶体管，必须采用物理气相沉积或化学气相沉积，优选射频磁控管溅射法，在有效氧气分压下进行沉积。有效氧气分压是约为临界分压的一个氧气分压范围，这样电阻率就能处于很低的氧气分压时的低的、接近导电的值和高氧气分压时的高的、接近绝缘的值之间。当在优选的氧气分压范围即0.1Pc < ρ02< IOPc内和更加优选的范围即0.5Ρ。< ρ02 < 2Ρ。内，通过气相沉积法制造TOS时，产生最佳的性能(高沟道电流和高器件开/关比)。以下磁控管溅射的ZnO薄膜晶体管和In2O3 TFT的实施例说明了此效果。实施例1-3中，选择了 0.1Pc < ρ02 < 10Ρ。，其中Pc。10_5托的溅射条件来制备ZnO。实施例4和5说明了在优选的p02之外的溅射处理所制造的TFT性能较次。实施例6说明了一种在柔性基底上制造的ZnO TFT的结构和性能。实施例7说明了由导电ZnO源极、漏极和栅极，半导电ZnO沟道和ZnO电介质构成的ZnO TFT的性能。实施例8记述了临界氧气分压附近制造的氧化铟TFT的性能。图3示出了这些实施例的ZnO和In2O3场效应晶体管的一般结构。TFT在一侧具有约IOOnm厚的热氧化层的重掺杂η型Si衬底上制造。200 μ m宽、间隔20 μ m的T1-Au源极和漏极(IOnm的继以IOOmm的Au)通过传统光刻法直接沉积和构图于热氧化娃层上。T1-Au也作为公共栅极沉积在Si的背面，然后采用荫罩在源极和漏极之间溅射大约IOOnm厚的ZnO和In2O3。这里所记述的TFT结构包括具有用来向氧化物半导体注入电流的导电电极(通常称为源极和漏极)的透明氧化物半导体和用来控制和/或调节源一漏电流的电容充电电路。半导体的沉积工艺采用了在惰性气体内可控的氧气分压气氛下磁控管溅射一种氧化物或金属靶的方法。这是一个与对温度敏感的基底和组分相容的低温工艺。TOS TFT的一个尤其诱人的应用是用于柔性、聚合物基底上的显示器驱动电路。TOS晶体管和/或晶体管阵列在包括但不限于平板显示器、有源基质成像器、传感器、射频价格标签、电子纸系统、射频识别标签和射频存货标签的应用上非常有用。这里所记述的TFT结构适用于柔性基底。柔性基底可以是聚合物膜，比如但不限于聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚砜(PES)和聚碳酸酯(PC)。柔性基底也可以是薄的金属箔片，例如不锈钢，前提是它们涂有绝缘层来与薄膜晶体管电隔离。通过控制沉积过程中的氧气分压，可以控制无掺杂金属氧化物的电导率，使得金属氧化物可以是绝缘体、半导体或导体。这样，通过改变氧气分压，薄膜晶体管的所有元件、半导体、导体(源极、漏极和栅极)和绝缘体(栅电介质)都可以在不同条件下由同种氧化物沉积而得。实施例实施例1采用图3所示的晶体管结构，利用遮板室温下在源极和漏极之间射频磁控管溅射沉积ZnO薄膜半导体。ZnO靶的直径为6.5英寸，用于溅射的射频功率为100W。溅射过程中总气压为20毫托，包含1X10 —5托的氧气，或p02 = P。，其余的为氩气。溅射时间为500秒时由光学方法测得的ZnO膜厚度是849A。图4是栅电压(Vg)在0-50V之间时的一组相应的漏电流(Id)对漏电压(Vd)的晶体管曲线。对于此器件，来自线性电流一电压特性的场效应迁移率(Ufe)视测定为1.2cm2/V-s，其中开/关比等于1.6X106。此开/关比对应于在源极和漏极之间施加IOV电压、栅极上的偏压为50V和OV时的源一漏电流比。实施例2采用图3所示的晶体管结构，利用遮板室温下在源极和漏极之间射频磁控管溅射沉积ZnO薄膜半导体。ZnO靶直径为6.5英寸，用于溅射的射频功率为100W。溅射过程中总气压为20毫托，包含2X10 —5托的氧气，或p02 = 2P。，其余的为氩气。溅射时间为500秒时由光学方法测得的ZnO膜厚度是677A。图5是栅电压(Vg)在0-50V之间时的一组相应的漏电流(Id)对漏电压(Vd)的晶体管曲线。对于此器件，来自线性电流一电压特性的场效应迁移率(μ FE)被测定为0.3cm2/V-s，其中开/关比等于1X105。实施例3采用图3所示的晶体管结构，利用遮板室温下在源极和漏极之间射频磁控管溅射沉积ZnO薄膜半导体。ZnO靶直径为6.5英寸，用于溅射的射频功率为100W。溅射过程中总气压为20毫托，包含0.75X10 —5托的氧气，或p02 = 0.75P。，其余的为氩气。溅射时间为500秒时由光学方法测得的ZnO膜厚度是897A。图6是栅电压(Vg)在0-50V之间时的一组相应的漏电流(Id)对漏电压(Vd)的晶体管曲线。对于此器件，来自饱和电流一电压特性的场效应迁移率(μ FE)被测定为6.8cm2/V-s，其中开/关比等于IX 103。
实施例4
采用图3所示的晶体管结构，利用遮板室温下在源极和漏极之间射频磁控管溅射沉积ZnO薄膜半导体。ZnO靶直径为6.5英寸，用于溅射的射频功率为100W。溅射过程中总气压为20毫托，包含0.8X10 —6托的氧气，或p02 = 0.08P。，其余的为氩气。上述值PO2=0.08P。在本发明氧气分压的优选范围之外。溅射时间为465秒时由光学方法测得的ZnO膜厚度是1071A。图7是栅电压(Vg)为0、30和40V时的一组相应的漏电流(Id)对漏电压(Vd)曲线。此器件不具备晶体管的性能特征。通过施加栅电压所产生电流变化小到可以忽略不计，无栅电压和栅电压为30或40V时的器件电流比率太接近I以至于不能接受。该器件的作用更类似于电阻器。
实施例5
采用图3所示的晶体管结构，利用遮板室温下在源极和漏极之间射频磁控管溅射沉积ZnO薄膜半导体。ZnO靶直径为6.5英寸，用于溅射的射频功率为100W。溅射过程中总气压为20毫托，包含2X 10 —4托的氧气，或p02 = 20P。，其余的为氩气。上述值p02=20Pc在本发明氧气分压的优选范围之外。溅射时间为465秒时由光学方法测得的ZnO膜厚度是1080A。图8是栅电压(Vg)在0-50V时的一组相应的漏电流(Id)对漏电压(Vd)的曲线。器件的1-V曲线是薄膜晶体管的特征，但漏电流非常小。对于此器件，来自线性电流一电压特性的场效应迁移率(yFE)被测定为5X10 —5cm2/v-s，其中开/关比等于700。迁移率和开/关比都比在优选PO2范围内制造的TFT器件的要小得多。
实施例6
作为柔性基底上的ZnO TFT的实施例，在DuPont Pyraiux (覆Cu)聚酰亚胺上制造了晶体管。使用通过照相设备紫外成像的DuPont Riston 以平版印刷的方式使Cu源和漏极构图，接着溅射IOOnm厚的ZnO半导体。(ZnO溅射条件与实施例1中的相同)。然后在120°C下将含氟聚合物电介质(相对介电常数，ε =8.7)层压在半导体有源区域上，并用遮板热蒸镀一个Al栅极。图9 (a)和(b)显示了这些柔性晶体管的性能，其中μ 0.4cm2/V-s,开 / 关比大于 IO40
实施例7
如图1所示，通过将ZnO膜的电阻率从半导电性调整到半绝缘性，只使用ZnO制造了透明薄膜晶体管。基底是玻璃和聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。首先通过在10毫托不含氧气的Ar中由ZnO靶在100W的条件下溅射形成了导电ZnO的源一漏极。然后在20毫托Ar和I X 10 —5托氧气下，溅射IOOnm厚的半导电沟道层。下一层是500nm厚的用于栅电介质的半绝缘ZnO，它是通过在总压为100毫托的Ar + O2的50%混合物中溅射ZnO靶而得。最后，在与源一漏极所用的相同条件下溅射ZnO栅极。如图10所示，此结构是光学透明的，使得可以很容易地读出标题，晶体管下的“ZnO TFT”。图11中的电流一电压特性表明源一漏电流可以通过施加栅电压来调节。实施例8采用图3所示的晶体管结构，利用遮板室温下在源极和漏极之间射频磁控管溅射沉积氧化铟薄膜半导体。氧化铟靶直径为6.5英寸，用于溅射的射频功率为100W。溅射过程中总气压为12晕托,包含2晕托的氧气，或p02接近P。,其余的为10晕托的気气。派射时间为约33分钟时由光学方法测得的氧化铟膜厚度是1285A。图12是栅电压(Vg)在-20到IOV时的一组相应的漏电流(Id)对漏电压(Vd)的晶体管曲线。对于此器件，来自线性电流一电压特性的场效应迁移率(μ FE)被测定为17cm2/V-s，其中开/关比约等于2X102。开/关比有希望通过采用较高的栅电压和优化溅射条件来提高。实施例9此实施例说明了在氧化铝栅电介质上的ZnO TFT中的低电压和高电流操作。基底同时也用作栅极，是重掺杂(用磷)的η型硅晶片，I英寸Xl英寸Χ475微米厚。该晶片的一侧通过电子束蒸发由高纯度的固体氧化铝源涂覆了氧化铝栅电介质。测得的氧化铝膜厚度为4483Α。铝一金属源和漏极，约1500Α厚，通过遮板热蒸发在氧化物电介质上，产生一个80微米长X大约800微米宽的晶体管沟道。然后采用遮板在源漏极之间的沟道中磁控管溅射ZnO半导体，918Α厚。溅射是在20毫托的Ar和I X 10 —5托氧气中进行的。图13是栅电压(Vg)和漏电压(Vd)在0-3V时的一组相应的漏电流(Id)对漏电压(Vd)的曲线。对于此器件，场效应迁移率(μ FE)被测定为 3cm2/V-s，其中开/关比> 103。对于3伏操作，电流基本上> I微安。
权利要求
1.一种制造薄膜晶体管基底的方法，包括: 在基底上形成栅电极； 形成栅极绝缘体； 形成源电极和漏电极；以及 形成被构造成使所述源电极与所述漏电极电连接的沟道， 其中，所述沟道通过在惰性气体中可控的氧气分压下溅射未掺杂的透明金属氧化物层来形成， 所述金属氧化物包括氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉中的至少一种，并且 所述溅射在低于100°c的温度下进行。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在惰性气体内氧气的分压在0.1Pc至IOPc的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在惰性气体内氧气的分压在0.5Pc至2Pc的范围内。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中氧气的分压为10_5托。
5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法，其中所述源电极、所述漏电极和所述栅电极中的至少一个利用彼此不同的至少两种金属顺序堆叠。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属包括钛、铝和金中的至少一种。
7.根据权利要求1至6中的一项所述的方法，其中所述栅极绝缘体包括氧化铝、氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉中的至少一种。
8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法，其中所述基底是柔性基底。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述柔性基底包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、和聚醚砜(PES)中的至少一种。
10.根据权利要求1至9所述的方法，其中所述溅射包括射频磁控管溅射、直流磁控管溅射、二极管溅射、三极管溅射、和离子束溅射中的至少一种。
11.根据权利要求1至10所述的方法，其中所述溅射在室温下进行。
全文摘要
本发明涉及透明氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。所述方法包括在基底上形成栅电极；形成栅极绝缘体；形成源电极和漏电极；以及形成被构造成使所述源电极与所述漏电极电连接的沟道，其中，所述沟道通过在惰性气体中可控的氧气分压下溅射未掺杂的透明金属氧化物层来形成，所述金属氧化物包括氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉中的至少一种，并且所述溅射在低于100℃的温度下进行。
文档编号H01L21/336GK103137709SQ201310066548
公开日2013年6月5日 申请日期2003年10月10日 优先权日2002年10月11日
发明者P·F·卡西亚, R·S·麦克莱恩 申请人:三星显示有限公司