有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极，所述第一电子传输层的材料包括1,4,5,8-萘四甲酸酐及掺杂在所述1,4,5,8-萘四甲酸酐的掺杂剂，所述掺杂剂选自乙二硫撑四硫代富瓦烯或派洛宁B中的至少一种，所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的碱金属的化合物。上述有机电致发光器件发光效率较高。此外，还涉及一种有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子器件领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。然而，目前有机电致发光器件中，电子的传输速率低，导致有机电致发光器件的发光效率较低。
【发明内容】
[0003]鉴于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
[0004]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极，所述第一电子传输层的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸酐及掺杂在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的掺杂剂，所述掺杂剂选自乙二硫撑四硫代富瓦烯或派洛宁B中的至少一种，所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的碱金属的化合物，所述电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑，(8-羟基喹啉)_铝、4，7- 二苯基-邻菲咯啉，
1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲，
I,2，4-三唑衍生物或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I’ -联苯-4-羟基)铝中至少一种，所述碱金属的化合物选自碳酸锂，叠氮化锂，氟化锂，叠氮化铯，碳酸铯，氟化铯，硼氢化钾，碳酸铷或氮化锂的至少一种。
[0005]在其中一个实施例中，所述掺杂剂与所述1，4，5，8_萘四甲酸酐的质量比为1:20?1:5，所述碱金属的化合物与所述电子传输材料的质量比为1:10?1:2。
[0006]在其中一个实施例中,所述第一电子传输层的厚度为1nm?40nm,所述第二电子传输层的厚度为1nm?lOOnm。
[0007]在其中一个实施例中，所述发光层的材料为客体材料掺杂在主体材料中形成的混合物或荧光材料；所述客体材料选自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱，二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种，所述主体材料选自4，4’ - 二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -联苯-4，4’ - 二胺中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:10?1:100 ;所述荧光材料选自4，4’-二(2，2-二苯乙烯基)-1，I’-联苯、4，4’-双[4-( 二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、5，6，11，12-四苯基萘并萘及二甲基喹吖啶酮中的至少一种。
[0008]在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，Γ-联苯-4，4’ - 二胺，(4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，N，N’ - 二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，Γ-联苯-4，4’- 二胺，N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯，2，7-双(N，N- 二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴，4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺，I，1-二(4-(N, N' -二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烧中的至少一种,所述客体材料选自2，3，5,6-四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷，1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌，2，2’ -(2, 5- 二氰基_3，6- 二氟环己烧-2, 5- 二烯-1，4- 二亚基)二丙二腈或2，3,6, 7，10，11-六氰基-1，4，5,8,9, 12-六氮杂三亚苯中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:50?1:10，所述空穴传输层的厚度为20nm?60nm。
[0009]在其中一个实施例中，所述阴极的材料为银，铝，镁铝合金或镁银合金中的至少一种，所述阴极的厚度为70nm?200nm。
[0010]一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0011]在基底表面依次制备阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层及第一电子传输层；
[0012]在所述发光层的表面蒸镀制备第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸酐及掺杂在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的掺杂剂，所述掺杂剂选自乙二硫撑四硫代富瓦烯或派洛宁B中的至少一种；
[0013]在所述第一电子传输层表面蒸镀制备第二电子传输层，所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的碱金属的化合物，所述电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑，(8-羟基喹啉)_铝、4，7- 二苯基-邻菲咯啉，1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲，1，2，4-三唑衍生物或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I’-联苯-4-羟基)铝中至少一种，所述碱金属的化合物选自碳酸锂，叠氮化锂，氟化锂，叠氮化铯，碳酸铯，氟化铯，硼氢化钾，碳酸铷或氮化锂的至少一种；及
[0014]在所述第二电子传输层的表面制备阴极。
[0015]在其中一个实施例中，在所述发光层的表面蒸镀制备第一电子传输层包括以下步骤:将所述掺杂剂和1，4，5，8-萘四甲酸酐按照质量比为1:20?1:5分别放在两个方舟中进行蒸镀，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X KT5Pa?I X KT3Pa之间，有机材料的蒸镀速度在0.lnm/s?2nm/s之间，金属的蒸镀速度为0.2nm/s?2nm/s之间，金属化合物的蒸镀速度为0.lnm/s?0.5nm/s之间，半导体氧化物薄膜的派射速度为0.2nm/s?lnm/s之间。
[0016]在其中一个实施例中，在所述第一电子传输层表面蒸镀制备第二电子传输层包括以下步骤:将所述碱金属的化合物和所述电子传输材料按照质量比为1:10?1:2分别放在两个方舟中进行蒸镀，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X 1-5Pa?I X 10_3Pa之间，有机材料的蒸镀速度在0.lnm/S?2nm/s之间,金属的蒸镀速度为0.2nm/s?2nm/s之间,金属化合物的蒸镀速度为0.lnm/s?0.5nm/s之间,半导体氧化物薄膜的派射速度为0.2nm/s?lnm/s之间。
[0017]在其中一个实施例中,所述第一电子传输层的厚度为1nm?40nm,所述第二电子传输层的厚度为1nm?10nm。
[0018]上述有机电致发光器件及其制备方法，采用掺杂的两层电子传输层，能够使器件在获得闻使用寿命的同时，还能获得闻的发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0020]图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0021]下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。
[0022]如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的基底10、阳极20、空穴传输层30、电子阻挡层40、发光层50、第一电子传输层60、第二电子传输层70及阴极80。
[0023]基底10为玻璃。
[0024]阳极20形成于基底10的表面。阳极20的材料为氧化铟锡(ITO)或者铝掺杂氧化锌(AZO)。阳极20的厚度为70nm?200nm。
[0025]空穴传输层30形成于阳极20的表面。空穴传输层30的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。客体材料选自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6_TNAP)、2，2'-(2, 5_ 二氰基-3，6- 二氟环己烧-2, 5- 二烯-1，4- 二亚基)二丙二臆(F2-HCNQ)及 2，3, 6, 7, 10, 11-六氰基-1,4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(HAT-CN)中的至少一种。主体材料选自N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-联苯-4，4’-二胺(咿8)，(4，4，，4，，_三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，N, N’- 二苯基-N, N’- 二(3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺(TPD)，N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，2，7-双(N, N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴(MeO-Spr1-TPD)，4, 4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，1，1-二(4-(N，f -二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1: (20?100)，所述空穴传输层的厚度为20nm ?60nmo
[0026]电子阻挡层40形成于空穴传输层30的表面。电子阻挡层40的材料选自N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-联苯-4，4’-二胺(咿8)，(4，4，，4，，_三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，N, N’- 二苯基-N, N’- 二(3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺(TPD)，N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，2，7-双(N, N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴(MeO-Spr1-TPD)，4, 4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，1，1-二(4-(N，N' -二(P-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)中的至少一种。电子阻挡层40的厚度为5nm?10nm。
[0027]发光层50形成于电子阻挡层40的表面。发光层50的材料为客体材料掺杂在主体材料中形成的混合物或荧光材料。客体材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)，二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ) 2 (acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir (piq) 3)及三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。主体材料选自4，4’- 二(9-咔唑)联苯(08?)、8-羟基喹啉铝(八1%)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)及N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-联苯_4，4’-二胺(NPB)中的至少一种。客体材料与主体材料的质量比为1:10?1:100。荧光材料选自4，4’ - 二(2，2-二苯乙烯基)-1，I，-联苯(DPVBi)、4，4’_双[4-( 二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)及二甲基喹吖啶酮(DMQA)中的至少一种。发光层50的厚度为1nm?20nmo
[0028]第一电子传输层60形成于发光层50的表面。第一电子传输层60的材料选自1，4，5，8-萘四甲酸酐及掺杂在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐(NTCDA)的掺杂剂，所述掺杂剂选自乙二硫撑四硫代富瓦烯(BEDT-TTF)或派洛宁B (Pyronin B)中的至少一种，所述掺杂剂与所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的质量比为1:20?1:5。第一电子传输层60的厚度为1nm?40nmo
[0029]第二电子传输层70形成于第一电子传输层60的表面。第二电子传输层70的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的碱金属的化合物，所述电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5_ (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑(PBD)，(8_羟基喹啉)-铝(Alq3)、4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)，1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)，1，2，4-三唑衍生物(TAZ)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(I, I’ -联苯-4-羟基)铝(BAlq)中至少一种，所述碱金属的化合物选自碳酸锂(Li2CO3),叠氮化锂(LiN3),氟化锂(LiF)，叠氮化铯(CsN3),碳酸铯(Cs2CO3),氟化铯(CsF)，硼氢化钾(KBH4),碳酸铷(Rb2CO3)或氮化锂(Li3N)的至少一种，所述碱金属的化合物与所述电子传输材料的质量比为1:10?1:2。第二电子传输层70的厚度为1nm?lOOnm。
[0030]阴极80形成于第二电子传输层70的表面。阴极80的材料为镁铝合金(Mg-Al)、镁银合金(Mg-Ag)、银(Ag)或铝(Al)。阴极80的厚度为70nm?200nm。
[0031]上述有机电致发光器件100，采用掺杂的两层电子传输层，能够使器件在获得高使用寿命的同时，还能获得高的发光效率。
[0032]需要说明的是，有机电致发光器件中，也可以根据需要设置其他功能层。
[0033]如图2所示，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0034]步骤S110、在基底10表面制备阳极20。
[0035]基底10为玻璃。
[0036]基底10在使用前先进行前处理，前处理包括:将基底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
[0037]阳极20形成于基底10的表面。阳极20的材料为氧化铟锡(ITO)或者铝掺杂氧化锌(AZO)。阳极20的厚度为70nm?200nm。
[0038]本实施方式中，阳极20通过真空溅射制备。溅射时，本底真空度lX10_5Pa?I X 10 3Pa,灘射速率为 0.2nm/s ?lnm/s。
[0039]步骤S120、在阳极20的表面依次制备空穴传输层30、电子阻挡层40、发光层50及第一电子传输层60。
[0040]第一电子传输层60形成于发光层50的表面。第一电子传输层60的材料选自1，4，5，8-萘四甲酸酐及掺杂在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐(NTCDA)的掺杂剂，所述掺杂剂选自乙二硫撑四硫代富瓦烯(BEDT-TTF)或派洛宁B (Pyronin B)中的至少一种，所述掺杂剂与所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的质量比为1:20?1:5。第一电子传输层60的厚度为1nm?40nmo
[0041]蒸镀制备第一电子传输层60的工艺条件包括以下步骤:将所述掺杂剂和1,4, 5，8-萘四甲酸酐按照质量比为1:20?1:5分别放在两个方舟中进行蒸镀，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X 10_5Pa?I X 10_3Pa之间，有机材料的蒸镀速度在0.lnm/s?2nm/s之间，金属的蒸镀速度为0.2nm/s?2nm/s之间，金属化合物的蒸镀速度为0.1nm/s?0.5nm/s之间，半导体氧化物薄膜的派射速度为0.2nm/s?lnm/s之间
[0042]步骤S130、在第一电子传输层60的表面蒸镀制备第二电子传输层70，第二电子传输层70的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的碱金属的化合物,所述电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑(PBD)，(8-羟基喹啉)_铝(Alq3)、4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)，I, 3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)S(TPBi), 2，9- 二甲基-4，7-联苯-1, 10-邻二氮杂菲(BCP), I, 2，4-三唑衍生物(TAZ)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)中至少一种，所述碱金属的化合物选自碳酸锂(Li2CO3),叠氮化锂(LiN3),氟化锂(LiF)，叠氮化铯(CsN3)，碳酸铯(Cs2CO3)，氟化铯(CsF)，硼氢化钾(KBH4)，碳酸铷(Rb2CO3)或氮化锂(Li3N)的至少一种，所述碱金属的化合物与所述电子传输材料的质量比为1:10?1:2。第二电子传输层70的厚度为1nm?lOOnm。
[0043]蒸镀制备第二电子传输层60的工艺条件具体包括以下步骤:将所述碱金属的化合物和所述电子传输材料按照质量比为1:10?1:2分别放在两个方舟中进行蒸镀，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X 10_5Pa?I X 10_3Pa之间，有机材料的蒸镀速度在0.1nm/s?2nm/s之间，金属的蒸镀速度为0.2nm/s?2nm/s之间，金属化合物的蒸镀速度为
0.lnm/s?0.5nm/s之间，半导体氧化物薄膜的派射速度为0.2nm/s?lnm/s之间。
[0044]步骤S140、在第二电子传输层60的表面蒸镀制备阴极80。
[0045]阴极80的材料为镁铝合金(Mg-Al)、镁银合金(Mg-Ag)、银(Ag)或铝(Al)。阴极80的厚度70nm?200nm。
[0046]优选的，真空蒸镀形成阴极80的真空度为IX KT5Pa?lX10_3Pa，蒸发速度为
0.2nm/s ?2nm/s。
[0047]上述有机电致发光器件的制备方法简单，容易操作。
[0048]以下结合具体实施例对本发明提供的柔性有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
[0049]本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)、美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱、美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能、日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0050]实施例1
[0051 ] 本实施例的有机电致发光器件的结构为:玻璃基板/ITO (10nm) /F4-TCNQ:MeO-TPD (40nm)/TAPC (1nm)/Ir (ppy)3:CBP(1nm) /BEDT-TTF:NTCDA (30nm) /CsN3:TPBi (60nm)/Ag(10nm)。其中，“/”表示层叠结构，“:”表示掺杂或混合，以下实施例相同。
[0052]该制备工艺中，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X 10?,有机材料的蒸镀速度在0.lnm/s，金属的蒸镀速度为0.2nm/s，金属化合物的蒸镀速度为0.lnm/s，半导体氧化物薄膜的溅射速度为0.2nm/s。
[0053]该实施例的有机电致发光器件的制备如下:
[0054]步骤一、提供基底，将玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；
[0055]步骤二、在真空度为lX10_5Pa的真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在所述基底上制备阳极，材料为ΙΤ0，厚度为70nm ；
[0056]步骤三、在真空度为lX10_5Pa的真空镀膜系统中，利用真空热蒸镀的方法在阳极表面依次蒸镀空穴传输层、电子阻挡层及发光层；空穴传输层材料为用F4-TCNQ掺杂的MeO-TPD, F4-TCNQ与MeO-TTO质量比为1:50，空穴传输层的厚度为40nm，电子阻挡层的材质为TAPC，电子阻挡层厚度是5nm，发光层材质为Ir (ppy) 3掺杂的CBP，Ir(ppy)3与CBP的质量比为1:20，发光层厚度为10nm。
[0057]步骤四、在真空度为IXlO-5Pa的真空镀膜系统中，采用热蒸镀的方法，在制备好的发光层表面制备第一电子传输层，第一电子传输层的材料为BEDT-TTF以及掺杂在BEDT-TTF的NTCDA,BEDT-TTF与NTCDA的质量比为1:20，第一电子传输层厚度为30nm，然后在第一电子传输层表面制备第二电子传输层，第二电子传输层材料为CsN3以及掺杂在CsN3的TPBi,CsN3与TPBi的质量比为1:10，第二电子传输层厚度为60nm，最后在第二电子传输层表面制备阴极,阴极的材料为Ag,厚度为lOOnm。
[0058]在阴极表面还覆盖有玻璃封装盖板。
[0059]对比例I
[0060]对比例I制备的有机电致发光器件的结构为玻璃基板/ITO(10nm)/F4-TCNQ:MeO-TPD(40nm)/TAPC(1nm)/Ir(ppy)3:CBP(1nm)/BAlq(1nm)/CsN3:TPBi(60nm)/Ag(10nm)。对比例I的有机电致发光器件的制备过程与实施例1大致相同，其不同在于对比例I的有机电致发光器件中只设置了第一电子传输层，并在第一电子传输层与发光层之间设置了阻挡层，阻挡层材料为Balq，厚度为10nm。
[0061]实施例2
[0062]该有机电致发光装置的结构为:玻璃基板/IT0(200nm)/F4_TCNQ:MeO-TPD(60nm)/TAPC(1nm)/Ir(ppy)3:CBP(20nm) /PyroninB:NTCDA(40nm)/Li2CO3:Alq3 (1nm) /Ag (200nm)。
[0063]该制备工艺中，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X 10?,有机材料的蒸镀速度在2nm/s，金属的蒸镀速度为2nm/s，金属化合物的蒸镀速度为0.5nm/s，半导体氧化物薄膜的溅射速度为0.2nm/s0
[0064]一种有机电致发光装置制造方法，包括以下几个步骤:
[0065]步骤一、提供基板；将玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；
[0066]步骤二、在真空度为lX10_3Pa的真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在所述基板上制备阳极，材质为ΙΤ0，厚度为200nm ；
[0067]步骤三、在真空度为IX 10_3Pa的真空镀膜系统中，利用真空热蒸镀的方法，在阳极上制备空穴传输层，材料为MeO-TPD以及掺杂在MeO-TH)中的F4-TCNQ，F4-TCNQ与MeO-TPD的质量比为10:100，空穴传输层的厚度为60nm，然后是电子阻挡层，材质为TAPC，厚度是10nm，然后发光层，材质为4，4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)以及掺杂在CBP中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir (ppy)3)，Ir (ppy) 3与CBP的质量比为1:10，发光层的厚度为20nm。
[0068]步骤四、在真空度为IX 10_5Pa的真空镀膜系统中，采用热蒸镀的方法，在制备好的发光层表面制备第一电子传输层，材质为NTCDA以及掺杂在NTCDA中的Pyixmin B，Pyronin B与NTCDA的质量比为1: 5，第一电子传输层的厚度为40nm，然后在第一电子传输层表面制备第二电子传输层，材质为Alq3以及掺杂在Alq3中的Li2CO3, Li2CO3与Alq3的质量比为1:2,第二电子传输层的厚度为1nm,最后是金属Ag作为阴极,厚度为200nm ;在器件制备完毕后，在阴极表面还覆盖有玻璃封装盖板。
[0069]实施例3
[0070]该有机电致发光装置的结构为:玻璃基板/ITO (10nm)/F4-TCNQ:MeO-TPD(40nm)/TAPC(8nm)/Ir (ppy)3:CBP (15nm)/Pyronin B:NTCDA (20nm)/Rb2CO3: BPhen (10nm) /Ag (10nm)。
[0071]该制备工艺中，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X KT4Pa之间，有机材料的蒸镀速度在0.5nm/s,金属的蒸镀速度为0.5nm/s,金属化合物的蒸镀速度为0.2nm/s,半导体氧化物薄膜的溅射速度为0.5nm/s之间。
[0072]—种有机电致发光装置制造方法，包括以下几个步骤:
[0073]步骤一、提供基板；将玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；
[0074]步骤二、在真空度为lX10_4Pa的真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在所述基板上制备阳极，材质为ΙΤ0，厚度为10nm ；
[0075]步骤三、在真空度为IX 10_4Pa的真空镀膜系统中，利用真空热蒸镀的方法，在阳极上制备空穴传输层，材料为MeO-TPD以及掺杂在MeO-TH)中的F4-TCNQ，F4-TCNQ与MeO-TPD的质量比为1:20，空穴传输层的厚度为40nm，然后是电子阻挡层，材质为TAPC，厚度是8nm，然后发光层，材质为4，4’- 二(9-咔唑)联苯(CBP)以及掺杂在CBP中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)，Ir(ppy)3与CBP的质量比为15:100，发光层的厚度为15nm。
[0076]步骤四、在真空度为IX 10_5Pa的真空镀膜系统中，采用热蒸镀的方法，在制备好的发光层表面制备第一电子传输层，材质为NTCDA以及掺杂在NTCDA中的Pyixmin B，Pyronin B与NTCDA的质量比为1:10，第一电子传输层的厚度为20nm，然后在第一电子传输层表面制备第二电子传输层,材质为BPhen以及掺杂在BPhen中的Rb2CO3, Rb2CO3与BPhen的质量比为3:10,第二电子传输层的厚度为10nm,最后是金属Ag作为阴极,厚度为lOOnm。
[0077]在器件制备完毕后，在阴极表面还覆盖有玻璃封装盖板。
[0078]实施例4
[0079]该有机电致发光装置的结构为:玻璃基板/ITO (10nm)/F4-TCNQ:MeO-TPD(40nm)/TAPC (1nm)/Ir (ppy)3:CBP(1nm)/BEDT-TTF:NTCDA (30nm) /KBH4: PBD (50nm) /Ag(10nm)。
[0080]该制备工艺中，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X 10_4Pa之间，有机材料的蒸镀速度在0.5nm/s,金属的蒸镀速度为0.5nm/s,金属化合物的蒸镀速度为0.2nm/s,半导体氧化物薄膜的溅射速度为0.5nm/s之间。
[0081]一种有机电致发光装置制造方法，包括以下几个步骤:
[0082]步骤一、提供基板；将玻璃放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；
[0083]步骤二、在真空度为lX10_4Pa的真空镀膜系统中，采用磁控溅射的方法，在所述基板上制备阳极，材质为ΙΤ0，厚度为10nm ；
[0084]步骤三、在真空度为IX 10_4Pa的真空镀膜系统中，利用真空热蒸镀的方法，在阳极上制备空穴传输层，材料为MeO-TPD以及掺杂在MeO-TH)中的F4-TCNQ，F4-TCNQ与MeO-TPD的质量比为4:100，空穴传输层的厚度为40nm，然后是电子阻挡层，材质为TAPC，厚度是10nm，然后发光层，材质为4，4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)以及掺杂在CBP中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)，Ir(ppy)3与CBP的质量比为1:10，发光层的厚度为1nm0
[0085]步骤四、在真空度为IX 10_5Pa的真空镀膜系统中，采用热蒸镀的方法，在制备好的发光层表面制备第一电子传输层，材质为NTCDA以及掺杂在NTCDA中的BEDT-TTF，BEDT-TTF与NTCDA的质量比为1:25，第一电子传输层的厚度为30nm，然后在第一电子传输层表面制备第二电子传输层，材质为PBD以及掺杂在BPhen中的KBH4, KBH4与PBD的质量比为1:5,第二电子传输层的厚度为50nm,最后是金属Ag作为阴极,厚度为lOOnm。
[0086]在器件制备完毕后，在阴极表面还覆盖有玻璃封装盖板。
[0087]表1是实施例1，实施例2，实施例3和实施例4与对比例I所制作的器件的发光性能数据。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极，所述第一电子传输层的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸酐及掺杂在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的掺杂剂，所述掺杂剂选自乙二硫撑四硫代富瓦烯或派洛宁B中的至少一种，所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的碱金属的化合物，所述电子传输材料选自2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑，(8-羟基喹啉)_铝、4，7- 二苯基-邻菲咯啉，1.3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲，I,2，4-三唑衍生物或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I’ -联苯-4-羟基)铝中至少一种，所述碱金属的化合物选自碳酸锂，叠氮化锂，氟化锂，叠氮化铯，碳酸铯，氟化铯，硼氢化钾，碳酸铷或氮化锂的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂剂与所述1.4,5，8-萘四甲酸酐的质量比为1:20?1:5，所述碱金属的化合物与所述电子传输材料的质量比为1:10?1:2。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为1nm?40nm,所述第二电子传输层的厚度为1nm?lOOnm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为客体材料掺杂在主体材料中形成的混合物或荧光材料；所述客体材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱，二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种，所述主体材料选自4，4’-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -联苯-4，4’ - 二胺中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:1o?1:100 ;所述荧光材料选自4，4’-二(2，2-二苯乙烯基)-1，I’-联苯、4，4’-双[4_( 二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、5，6，11，12-四苯基萘并萘及二甲基喹吖啶酮中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自N，N’ - 二苯基-N，N，-二 (1-萘基)_1，Γ-联苯-4，4’-二胺，(4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，Γ-联苯-4，4’-二胺，N，N，N，，N，-四甲氧基苯基)_对二氛基联苯，2，7_双(N, N-二(4_甲氧基苯基)氛基)-9, 9-螺二荷，4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺，1，1-二(4-(N，N' - 二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷中的至少一种，所述客体材料选自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷，I,3, 4, 5, 7, 8-六氟-四氰-二甲对萘醌，2, 2’ - (2, 5- 二氰基_3，6- 二氟环己烧-2, 5- 二烯-1，4-二亚基)二丙二腈或2，3,6, 7，10，11-六氰基-1，4，5,8,9, 12-六氮杂三亚苯中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:50?1:10，所述空穴传输层的厚度为 20nm ?60nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材料为银，铝，镁招合金或镁银合金中的至少一种,所述阴极的厚度为70nm?200nm。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 在基底表面依次制备阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层及第一电子传输层； 在所述发光层的表面蒸镀制备第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸酐及掺杂在所述1，4，5，8-萘四甲酸酐的掺杂剂，所述掺杂剂选自乙二硫撑四硫代富瓦烯或派洛宁B中的至少一种； 在所述第一电子传输层表面蒸镀制备第二电子传输层，所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的碱金属的化合物，所述电子传输材料选自2-(4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑，(8-羟基喹啉)_铝、4，7- 二苯基-邻菲咯啉，1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲，1，2，4-三唑衍生物或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I’-联苯_4_羟基)铝中至少一种，所述碱金属的化合物选自碳酸锂，叠氮化锂，氟化锂，叠氮化铯，碳酸铯，氟化铯，硼氢化钾，碳酸铷或氮化锂的至少一种；及在所述第二电子传输层的表面制备阴极。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述发光层的表面蒸镀制备第一电子传输层包括以下步骤:将所述掺杂剂和1，4，5，8-萘四甲酸酐按照质量比为1:20?1:5分别放在两个方舟中进行蒸镀，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X 10_5Pa?I X 10_3Pa之间,有机材料的蒸镀速度在0.lnm/s?2nm/s之间,金属的蒸镀速度为0.2nm/s?2nm/s之间，金属化合物的蒸镀速度为0.lnm/s?0.5nm/s之间，半导体氧化物薄膜的派射速度为0.2nm/s?lnm/s之间。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述第一电子传输层表面蒸镀制备第二电子传输层包括以下步骤:将所述碱金属的化合物和所述电子传输材料按照质量比为1:10?1:2分别放在两个方舟中进行蒸镀，真空溅射和真空蒸镀的工作压强为I X KT5Pa?I X KT3Pa之间,有机材料的蒸镀速度在0.lnm/s?2nm/s之间，金属的蒸镀速度为0.2nm/s?2nm/s之间，金属化合物的蒸镀速度为0.lnm/s?0.5nm/s之间，半导体氧化物薄膜的溅射速度为0.2nm/s?lnm/s之间。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为1nm?40nm,所述第二电子传输层的厚度为1nm?lOOnm。
【文档编号】H01L51/56GK104183792SQ201310196840
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2013年5月23日 优先权日:2013年5月23日
【发明者】周明杰, 冯小明, 张娟娟, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司