封装结构以及封装方法
【专利摘要】一种封装结构以及封装方法，其中，封装结构包括：图像传感芯片，所述图像传感芯片具有第一面以及与所述第一面相对的第二面，图像传感芯片第一面具有感光元件和环绕所述感光元件的第一焊盘，图像传感芯片内具有金属柱，且金属柱的一端与第一焊盘电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感芯片第二面齐平；信号处理芯片，信号处理芯片具有第三面和与所述第三面相对的第四面，信号处理芯片第三面具有第二焊盘，且所述信号处理芯片第三面与图像传感芯片第二面固定接合，所述第二焊盘与金属柱电连接；贯穿所述信号处理芯片第四面的通孔，且所述通孔暴露出第二焊盘表面。本发明通过分开设置图像传感芯片和信号处理芯片，提高封装性能。
【专利说明】封装结构以及封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体封装技术，特别涉及一种封装结构以及封装方法。
【背景技术】
[0002]影像传感芯片是一种能够感受外部光线并将其转换成电信号的芯片。在影像传感芯片制作完成后，再通过对影像传感芯片进行一系列封装工艺，从而形成封装好的影像传感器，以用于诸如数码相机、数码摄像机等等的各种电子设备。
[0003]现有技术中，影像传感芯片是由图像传感(CIS, Contact Image Sensor)单元和信号处理(DSP, Digital Signal Processor)单元两部分组成的,在同一块芯片上同时设置图像传感单元和信号处理单元，其中，图像传感单元用于接收光信号转化为电信号，信号处理单元用于对光信号转化的电信号进行处理。
[0004]然而，现有技术中，在一块芯片上设置图像传感单元以及信号处理单元时，芯片设计难度且形成的封装结构性能有待提高。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种封装结构以及封装方法，降低封装工艺难度，同时提闻封装性能。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种封装结构，包括:图像传感芯片，所述图像传感芯片具有第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述图像传感芯片第一面具有感光元件和环绕所述感光元件的第一焊盘，所述图像传感芯片内具有金属柱，且所述金属柱的一端与第一焊盘电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感芯片第二面齐平；信号处理芯片，所述信号处理芯片具有第三面和与所述第三面相对的第四面，所述信号处理芯片第三面具有第二焊盘，且所述信号处理芯片第三面与图像传感芯片第二面固定接合，所述第二焊盘与金属柱电连接；贯穿所述信号处理芯片第四面的通孔，且所述通孔暴露出第二焊盘表面。
[0007]可选的，所述图像传感芯片和信号处理芯片之间形成有粘附层。
[0008]可选的，还包括:位于所述第二焊盘以及粘附层内的开口，开口底部暴露出金属柱表面，且所述开口与通孔相互贯穿。
[0009]可选的，还包括:填充满所述开口的导电层，且所述导电层与金属柱以及第二焊盘相接触。
[0010]可选的，还包括:位于通孔侧壁以及信号处理芯片第四面的绝缘层；位于绝缘层表面的金属再分布层，且所述金属再分布层还位于导电层表面；位于所述信号处理芯片第四面的金属再分布层表面的焊接凸起。
[0011]可选的，还包括:填充满所述通孔的焊接凸起，所述焊接凸起与导电层相接触，且所述焊接凸起顶部高于信号处理芯片第四面。
[0012]可选的，在所述焊接凸起与通孔侧壁之间形成有绝缘层，所述绝缘层还覆盖于信号处理芯片第四面。[0013]可选的，所述信号处理芯片第三面与图像传感芯片第二面直接接触，所述第二焊盘表面与金属柱表面相接触。
[0014]可选的，还包括:位于所述通孔侧壁以及信号处理芯片第四面的绝缘层；位于所述通孔底部以及绝缘层表面的金属再分布层；位于所述信号处理芯片第四面的金属再分布层表面的焊接凸起。
[0015]可选的，填充满所述通孔的焊接凸起，所述焊接凸起与第二焊盘相接触，且所述焊接凸起顶部高于信号处理芯片第四面。
[0016]可选的，还包括:位于图像传感芯片第一面的基板。
[0017]可选的，所述基板和图像传感芯片第一面之间还形成有粘胶层。
[0018]本发明还提供一种封装方法，包括:提供图像传感晶圆，所述图像传感晶圆具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述图像传感晶圆第一面具有若干感光元件和环绕所述感光元件的第一焊盘，所述图像传感晶圆内具有金属柱，且所述金属柱一端与第一焊盘电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感晶圆第二面齐平；提供信号处理晶圆，所述信号处理晶圆具有第三面和与所述第三面相对的第三面，且所述信号处理晶圆第三面具有若干第二焊盘；将所述图像传感晶圆第二面与信号处理晶圆第三面固定接合，使第二焊盘与金属柱的位置相对应；将所述第二焊盘与金属柱电连接；形成贯穿所述信号处理晶圆第四面的通孔，且所述通孔暴露出第二焊盘表面；切割所述信号处理晶圆以及图像传感晶圆，形成若干单颗的封装结构，所述封装结构包括信号处理芯片以及图像传感芯片。
[0019]可选的，在所述图像传感晶圆第二面或信号处理晶圆第三面形成粘附层，通过所述粘附层将图像传感晶圆第二面与信号处理晶圆第三面固定接合。
[0020]可选的，采用点胶、滚胶或印胶的方法形成所述粘附层。
[0021]可选的，在所述第二焊盘以及粘附层内形成开口，所述开口底部暴露出金属柱表面，且所述开口与通孔相互贯穿。
[0022]可选的，形成所述开口的工艺步骤包括:在所述信号处理晶圆第四面、通孔底部和侧壁形成绝缘层；刻蚀去除位于通孔底部的绝缘层，继续刻蚀位于通孔底部的第二焊盘和粘附层，直至暴露出金属柱表面，在第二焊盘以及粘附层内形成开口。
[0023]可选的，采用镭射工艺形成所述开口，镭射工艺参数为:频率为1kHZ至200kHZ，功率为0.5watts至5watts,光斑尺寸为50 μ m至150 μ m,光斑移动速度为10mm/sec至300mm/sec，重复次数为I至10次。
[0024]可选的，形成填充满所述开口的导电层，通过导电层将第二焊盘和金属柱电连接。
[0025]可选的，还包括步骤:形成焊接凸起，且焊接凸起与导电层电连接。
[0026]可选的，形成所述导电层以及焊接凸起的工艺步骤包括:形成填充满开口的导电层，同时在所述绝缘层表面形成金属再分布层，且所述金属再分布层还位于导电层表面；在所述信号处理晶圆第四面的金属再分布层表面形成焊接凸起。
[0027]可选的，形成所述导电层以及焊接凸起的工艺步骤包括:形成填充满所述开口的导电层；形成填充满所述通孔的焊接凸起，且所述焊接凸起顶部高于信号处理晶圆第四面。
[0028]可选的，通过直接键合工艺，将图像传感晶圆第二面与信号处理晶圆第三面固定接合，将所述第二焊盘和金属柱表面直接接触电连接。
[0029]可选的，还包括步骤:在所述信号处理晶圆第四面、通孔侧壁形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属再分布层，所述金属再分布层还位于通孔底部；在所述信号处理晶圆第四面的金属再分布层表面形成焊接凸起。
[0030]可选的，还包括步骤:形成填充满所述通孔的焊接凸起，且所述焊接凸起顶部高于信号处理晶圆第四面。
[0031]可选的，在所述图像传感晶圆第一面形成基板。
[0032]可选的，在所述基板与图像传感晶圆之间形成粘胶层。
[0033]可选的，采用旋转涂覆工艺在图像传感晶圆第一面涂覆液态玻璃，在图像传感晶圆第一面形成基板。
[0034]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0035]本发明实施例提供一种结构性能优越的封装结构，图像传感芯片第一面具有感光元件和环绕所述感光元件的第一焊盘，所述图像传感芯片内具有金属柱，且所述金属柱一端与第一焊盘电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感芯片第二面齐平；信号处理芯片第三面与图像传感芯片第二面固定接合，信号处理芯片第三面具有第二焊盘，且所述第二焊盘与金属柱电连接，从而使封装结构中的图像传感芯片与信号处理芯片电连接；贯穿所述信号处理芯片第四面的通孔，且所述通孔暴露出第二焊盘表面，所述暴露出的第二焊盘表面用于与外部电路电连接，从而使封装结构与外部电路电连接。本发明封装结构中，图像传感芯片以及信号处理芯片是相对设置的，图像传感芯片以及信号处理芯片之间受到对方的制约小，因此图像传感芯片以及信号处理芯片均能获得最佳的性能，提高了封装性能。
[0036]同时，由于图像传感芯片与信号处理芯片并未设置在同一芯片上，相对现有技术而言，本发明实施例的图像传感芯片的面积更小，因此，图像传感芯片的设计成本降低，从而使得封装结构的成本低。并且，由于图像传感芯片与信号处理芯片分开设置，图像传感芯片与信号处理芯片可以任意组合，使得封装结构具有更高的灵活性。
[0037]进一步，本发明实施例中在第二焊盘以及粘附层内具有开口，开口底部暴露出金属柱表面，且所述开口与通孔相互贯穿；填充满开口的导电层，且所述导电层与金属柱以及第二焊盘相接触，通过所述导电层使第二焊盘以及金属柱电连接，从而实现信号处理芯片与图像传感芯片电连接的目的。所述粘附层提高图像传感芯片和信号处理芯片之间的粘附性，从而提高封装结构的可靠性。
[0038]更进一步，本发明实施例在图像传感芯片第一面设置有基板，所述基板起到支撑信号处理芯片以及图像传感芯片的作用，提高信号处理芯片以及图像传感芯片的机械强度，从而进一步提高封装结构的可靠性。
[0039]本发明实施例还提供了一种封装方法，提供图像传感晶圆，在所述图像传感晶圆第一面具有感光元件和环绕感光元件的第一焊盘，所述图像传感晶圆内具有金属柱，且所述金属柱一端与第一焊盘电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感晶圆第二面齐平；提供信号处理晶圆，所述信号处理晶圆第三面具有若干第二焊盘；将所述图像传感晶圆第二面与信号处理晶圆第三面固定接合，使第二焊盘与金属柱的位置相对应；将所述第二焊盘与金属柱电连接；形成贯穿所述信号处理晶圆第四面的通孔，且所述通孔暴露出第二焊盘表面；切割所述信号处理晶圆以及图像传感晶圆，形成若干单颗的封装结构，所述封装结构包括信号处理芯片以及图像传感芯片。本发明通过将图像传感晶圆与信号处理晶圆固定接合，且第二焊盘与金属柱电连接的方式，实现图像传感晶圆与信号处理晶圆之间的电连接；避免在一块晶圆上设置图像传感芯片和信号处理芯片所需考虑的排布互连问题，使得图像传感晶圆内的图像传感芯片具有最佳的性能，同时信号处理晶圆内的信号处理芯片具有最佳的性能，从而提高了形成的封装性能。
[0040]同时，由于避免在一块晶圆上设置图像传感芯片和信号处理芯片所需考虑的排布互连问题，因此降低了晶圆设计难度，从而降低了封装工艺难度；并且，由于图像传感芯片与信号处理芯片未设置在同一晶圆内，避免在图像传感晶圆内为信号处理芯片预留布局空间，因此本发明实施例减小了图像传感晶圆的面积，从而降低了封装成本。
[0041]进一步，本发明实施例通过粘附层将图像传感晶圆第二面与信号处理晶圆第三面固定接合，提高了图像传感晶圆与信号处理晶圆之间的粘附性，从而提高了形成的封装结构的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0042]图1至图13为本发明一实施例封装过程的剖面结构示意图；
[0043]图14至图17为本发明另一实施例封装过程的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0044]由【背景技术】可知，现有包括图像传感单元以及信号处理单元的芯片封装难度大，且形成的封装结构的性能有待提闻。
[0045]经研究发现，现有技术中，通常将图像传感单元以及信号处理单元封装在同一芯片上。一般的，芯片是切割晶圆后获得的，因此现有技术将图像传感芯片和信号处理芯片制作在同一块晶圆内，所述晶圆可称为图像传感晶圆，现有技术将信号处理芯片制作在图像传感晶圆内。
[0046]现有技术中，在图像传感晶圆内既要形成图像传感芯片又要形成信号处理芯片，需要考虑图像传感芯片和信号处理芯片之间的排布及互连，这将导致芯片制造工艺以及封装工艺的难度增加；同时，由于图像传感晶圆的造价高，将信号处理芯片设置在图像传感晶圆内后，为了考虑与信号处理芯片之间的互连，势必会增加图像传感晶圆的面积，造成芯片制造成本以及封装工艺成本大大增加；并且，由于在同一晶圆上形成信号处理芯片以及图像传感芯片时，为了考虑两者之间的排布以及互连，信号处理芯片以及图像传感芯片相互受到制约，使得信号处理芯片以及图像传感芯片难以达到最佳的性能，因此造成封装结构的性能较差。
[0047]综合上述分析可知，若将图像传感单元和信号处理单元剥离开，形成两个单独的晶圆(图像传感晶圆和信号处理晶圆，其中，图像传感晶圆用于形成图像传感芯片，信号处理晶圆用于形成信号处理芯片)，然后再将两个单独的晶圆封装在同一封装结构内，那么则能解决封装难度大以及封装性能差的问题，
[0048]同时，如果将两部分剥离开，形成两个单独的晶圆，那么图像传感芯片和信号处理芯片可任意组合，相对传统的封装结构而言，灵活性会有很大的提高。且在制作图像传感晶圆时，不需要为信号处理芯片预留布局空间，因此图像传感晶圆可以做的比较小，从而节约封装工艺成本。
[0049]为此，本发明提供一种封装结构，包括:图像传感芯片，所述图像传感芯片具有第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述图像传感芯片第一面具有感光元件和环绕所述感光元件的第一焊盘，所述图像传感芯片内具有金属柱，且所述金属柱的一端与第一焊盘电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感芯片第二面齐平；信号处理芯片，所述信号处理芯片具有第三面和与所述第三面相对的第四面，所述信号处理芯片第三面具有第二焊盘，且所述信号处理芯片第三面与图像传感芯片第二面固定接合，所述第二焊盘与金属柱电连接；贯穿所述信号处理芯片第四面的通孔，且所述通孔暴露出第二焊盘表面。本发明降低了图像传感芯片以及信号处理芯片之间排布互连的难度，从而降低封装工艺难度；并且分开设置图像传感芯片以及信号处理芯片，使得图像传感芯片以及信号处理芯片均具有最佳的性能，从而提高封装性能。
[0050]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0051]图1至图13为本发明一实施例封装过程的结构示意图。
[0052]请参考图1，提供图像传感晶圆100。
[0053]所述图像传感晶圆100包括若干呈矩阵排列的芯片区域和位于芯片区域之间的切割道中心线110，每一个芯片区域内具有一个图像传感芯片，每一个图像传感芯片对应形成一个封装结构。后续在切割图像传感晶圆100时，沿着所述切割道中心线110将图像传感晶圆100切割成若干个图像传感芯片。
[0054]本实施例中，由于在图像传感晶圆100中未形成有信号处理单元(或信号处理芯片)，无需考虑与信号处理单元之间的排布互连问题，因此图像传感晶圆100内的图像传感芯片具有最佳的性能；并且，图像传感晶圆100不需要为信号处理芯片预留布局空间，因此，与现有技术相比，图像传感晶圆100内的图像传感芯片的面积小的多。与现有技术相t匕，对于提供相同数量的图像传感芯片而言，本实施例中图像传感晶圆100的面积小的多，从而降低了工艺成本。
[0055]所述图像传感晶圆100具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述第一面为具有感光元件101和第一焊盘102的图像传感晶圆100表面，所述第二面为待进行减薄以及后续与信号处理晶圆固定接合的表面。
[0056]所述图像传感晶圆100芯片区域的第一面具有若干感光元件101和环绕所述感光元件101的第一焊盘102。所述感光元件101内形成有影像传感器单元和与影像传感器单元相连接的关联电路，利用所述影像传感器单元将外界光线接收并转换成电学信号，通过所述关联电路将电学信号传递给第一焊盘102，再利用第一焊盘102和后续形成的金属再分布层、焊接凸起将电学信号传送给其他电路。一般的，所述感光元件101顶部高于第一焊盘102顶部。
[0057]本实施例中，为了便于布线，感光元件101位于芯片区域的中间位置，第一焊盘102位于芯片区域的边缘位置，后续在所述第一焊盘102对应的位置形成贯穿所述图像传感晶圆100厚度的通孔，利用通孔将位于图像传感晶圆100第一面的第一焊盘102与后续提供的信号处理晶圆电学连接。
[0058]需要说明的是，在其他实施例中，第一焊盘和感光元件的位置可以根据实际工艺的要求灵活调整。
[0059]在本实施例中，不同芯片区域的第一焊盘102为独立设置的；在其他实施例中，在相邻的芯片区域可形成相连接的第一焊盘，即形成的第一焊盘跨越切割道区域，这是因为:切割道区域在封装完成后会被切割开，所述跨越切割道区域的第一焊盘被切割开，不会影响封装结构的电学性能。
[0060]在形成第一焊盘102和感光元件101之后，还包括步骤:在所述图像传感晶圆100芯片区域的第一面形成将所述第一焊盘102和感光元件101电学连接的金属互连结构。
[0061]所述图像传感晶圆100内具有金属柱103,所述金属柱103 —端与第一焊盘102电连接，与所述一端相对的另一端位于图像传感晶圆100内，且所述金属柱103另一端与图像传感晶圆100第二面之间具有一定的距离，所述金属柱103为后续连接图像传感晶圆100以及信号处理芯片之间的媒介。
[0062]请参考图2，在所述图像传感晶圆100第一面形成基板105。
[0063]本实施例中，所述基板105的尺寸与图像传感晶圆100的尺寸相同。
[0064]所述基板105为图像传感晶圆100提供支撑作用，提闻图像传感晶圆100的机械强度，防止图像传感晶圆100在后续的减薄刻蚀等封装工艺过程中发生破裂问题；所述基板105还为后续提供的信号处理晶圆提供支撑作用。
[0065]所述基板105的材料为无机玻璃、有机玻璃、硅、IR玻璃或AR玻璃。若后续在形成封装结构后，感光元件101需要接收外界光线，外界光线透过所述基板105，使感光元件101顺利接收外界光线，则基板105具有透光的性能
[0066]本实施例中，所述基板105的材料为固态状的无机玻璃。为了提高基板105与图像传感晶圆100之间的粘附性，防止后续的封装过程中基板105从图像传感晶圆100上脱落，在基板105与图像传感晶圆100之间形成粘胶层104。具体的，在基板105表面形成粘胶层104，将图像传感晶圆100第一面与具有粘胶层104的基板105进行压合。所述粘胶层104提闻基板104与图像传感晶圆100之间的粘附性。
[0067]作为一个具体实施例，采用涂布工艺在基板105表面涂布液态胶，将所述具有液态胶的基板105与图像传感晶圆100第一面压合，当液态胶固化后转化为位于图像传感晶圆100以及基板105之间的粘胶层104。
[0068]请参考图3，对所述图像传感晶圆100第二面进行减薄处理，直至暴露出金属柱103表面，使金属柱103表面与图像传感晶圆100第二面齐平。
[0069]在对图像传感晶圆100进行减薄处理后，利于后续形成厚度较薄的封装结构；并且，在减薄处理后，将金属柱103表面暴露出来，使后续提供的信号处理晶圆与金属柱103电连接，从而实现信号处理晶圆与图像传感晶圆100之间的电连接。
[0070]所述减薄处理的工艺可以是机械研磨或化学机械研磨等。
[0071]在减薄处理后，金属柱103 —端与第一焊盘102电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感晶圆100第二面齐平。
[0072]请参考图4，提供信号处理晶圆107，所述信号处理晶圆107具有第三面和与所述第三面相对的第四面，且信号处理晶圆107第三面具有第二焊盘108。
[0073]所述信号处理晶圆107内具有多个信号处理芯片，所述第二焊盘108的数量和位置可根据实际工艺需要确定。
[0074]本实施例中，所述信号处理晶圆107的尺寸与图像传感晶圆100的尺寸一致，并且，相应的，所述信号处理晶圆107具有第一芯片区域(未标示)和位于第一芯片区域之间的第一切割道中心线(未标不)。
[0075]由于信号处理晶圆107中仅具有信号处理芯片，无需考虑到信号处理芯片和图像传感芯片之间的布局问题，使得形成的信号处理芯片具有较高的性能。
[0076]请参考图5，将所述图像传感晶圆100第二面与信号处理晶圆107第三面固定接合，使第二焊盘108与金属柱103的位置相对应。
[0077]所述第二焊盘108与金属柱103的位置相对应，也就是说，第二焊盘108位于金属柱103的正下方，后续在刻蚀第二焊盘108形成开口时，形成的开口的底部能够暴露出金属柱103的表面。
[0078]本实施例中，为了提高图像传感晶圆100与信号处理晶圆107之间的粘附性，在所述图像传感晶圆100第二面或信号处理晶圆107第三面形成粘附层106，通过所述粘附层106将图像传感晶圆100第二面与信号处理晶圆107第三面固定接合，且使第二焊盘108的位置对应于金属柱103的位置，信号处理晶圆107的第一切割道中心线与图像传感晶圆100的切割道中心线110重合。
[0079]采用点胶、滚胶或印胶的方法形成所述粘附层106。
[0080]请参考图6，对所述信号处理晶圆107第四面进行刻蚀处理，形成贯穿所述信号处理晶圆107第四面的通孔109，且所述通孔109暴露出第二焊盘108表面。
[0081]所述刻蚀处理的工艺为干法刻蚀。作为一个具体实施例，形成通孔109的工艺步骤包括:在所述信号处理晶圆107第四面形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光、显影处理，形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述信号处理晶圆107形成通孔109，直至暴露出第二焊盘108表面。
[0082]本实施例中，采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述信号处理晶圆107，所述等离子刻蚀工艺的工艺参数为:刻蚀气体包括SF6和C4F8，其中，SF6气体流量为lOOsccm至2000sCCm，C4F8气体流量为200sccm至lOOOsccm，刻蚀源射频功率为1000瓦至5000瓦，刻蚀偏压射频功率为O瓦至500瓦，刻蚀腔室压强为10毫托至200毫托。
[0083]需要说明的是，本实施例中，所述通孔109底部暴露出第二焊盘108部分表面，即，所述通孔109底部面积小于所述第二焊盘108表面面积，其好处在于:后续继续刻蚀通孔109底部直至暴露出第一焊盘102表面时，所述刻蚀工艺会刻蚀去除暴露出来的第二焊盘108，若通孔109底部将第二焊盘108表面全部暴露出来，则第二焊盘108容易被全部刻蚀去除，造成封装失效；而本实施例中，通孔109底部仅暴露出第二焊盘108部分表面，后续刻蚀通孔109底部的第二焊盘108后，信号处理晶圆107内仍保留有部分面积的第二焊盘108，通过剩余的第二焊盘108实现信号处理晶圆107与图像传感晶圆100之间的电连接。
[0084]在本发明其他实施例中，通孔底部也可以暴露出第二焊盘全部表面，后续在刻蚀通孔底部的第二焊盘时，应当注意不应将全部第二焊盘刻蚀去除。
[0085]请参考图7，在所述信号处理晶圆107第四面、通孔109底部和侧壁形成绝缘层111。
[0086]所述绝缘层111为信号处理晶圆107提供电隔离，并且还可以起到保护信号处理晶圆107第四面的作用。
[0087]采用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积工艺形成所述绝缘层111 ;所述绝缘层111的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或绝缘树脂等绝缘材料。[0088]本实施例中，所述绝缘层111的材料为氧化硅。
[0089]请参考图8，刻蚀去除位于通孔109底部的绝缘层111，继续刻蚀位于通孔109底部的第二焊盘108和粘附层106，直至暴露出金属柱103表面，在第二焊盘108以及粘附层106内形成开口 112。
[0090]本实施例中，所述开口 112底部暴露出金属柱103表面，且由于通孔109底部暴露出第二焊盘108部分表面，因此在形成开口 112后，金属柱103表面以及第二焊盘108侧壁表面被暴露出来，且所述开口 112与通孔109相互贯穿。
[0091]形成所述开口 112的目的在于:由于在开口 112形成后，金属柱103表面以及第二焊盘108侧壁表面被暴露出来，后续在形成填充满开口 112的导电层后，导电层既与金属柱103相接触又与第二焊盘108相接触，因此通过所述导电层使金属柱103和第二焊盘108电连接，从而实现信号处理晶圆107和图像传感晶圆100之间电连接的目的。
[0092]采用镭射工艺或刻蚀工艺形成所述开口 112。
[0093]作为一个具体实施例，采用刻蚀工艺形成开口 112的工艺步骤包括:在所述绝缘层111表面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出位于通孔109底部表面的绝缘层111 ;以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀去除位于通孔109底部的绝缘层111，继续刻蚀位于通孔109底部的第二焊盘108以及粘附层106，在第二焊盘108以及粘附层106内形成开口 112，直至暴露出金属柱103表面。
[0094]本实施例中，采用镭射工艺形成所述开口 112，所述镭射工艺的工艺参数为:频率为1kHZ至200kHZ，功率为0.5watts至5watts，光斑尺寸为50 μ m至150 μ m,光斑移动速度为100mm/sec至300mm/sec,重复次数为I至10次。
[0095]请参考图9，形成填充满开口 112(请参考图8)的导电层116，同时在所述绝缘层111表面形成金属再分布层113，且所述金属再分布层113还位于导电层116表面，通过导电层116将第二焊盘108和金属柱103电连接。
[0096]所述金属再分布层113的材料包括Cu、Al或W。本实施例中，金属再分布层113与导电层116的材料相同，且在同一道工艺步骤中形成。
[0097]作为一个实施例，所述金属再分布层113和导电层116的形成步骤包括:形成填充满开口 112的导电层116，同时在所述形成覆盖于所述绝缘层111表面的金属膜，同时；在所述金属膜表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述金属膜，形成金属再分布层113。
[0098]请参考图10，在所述信号处理晶圆107第四面的金属再分布层113表面形成焊接凸起115。
[0099]本实施例中，所述焊接凸起115与导电层116电连接，具体的，通过所述金属再分布层113，实现焊接凸起115与导电层116之间的电连接。所述焊接凸起115用于与外部电路电连接，因此通过所述焊接凸起115能够使金属柱103、第二焊盘108与外部电路电连接。
[0100]所述焊接凸起115的材料为Sn、Au或Sn-Au合金。采用网板印刷和回流工艺或植球工艺形成所述焊接凸起115。
[0101]在本实施例中，在形成焊接凸起115之前，在金属再分布层113、导电层116和绝缘层111表面形成防焊层114。所述防焊层114的材料为绝缘材料，起到保护金属再分布层113不被氧化的作用。
[0102]在形成防焊层114之后，刻蚀所述防焊层114以形成暴露出部分金属再分布层113表面的凹槽，在所述凹槽内填充满焊接凸起115，所述焊接凸起115与金属再分布层113电连接。
[0103]本实施例中，通过形成金属再分布层113使焊接凸起115与导电层116电连接。
[0104]在本发明其他实施例中，如图11所示，为了减少封装工艺步骤，提高封装效率，形成导电层116以及焊接凸起115的工艺步骤包括:形成填充满所述开口 112 (请参考图8)的导电层116 ;形成填充满所述通孔109(请参考图8)的焊接凸起115，且所述焊接凸起115顶部高于信号处理晶圆107第四面。且为了避免焊接凸起115与信号处理晶圆107发生不必要的电连接，在形成焊接凸起115之前，在通孔109侧壁形成绝缘层111，所述绝缘层111还位于信号处理晶圆107第四面。
[0105]具体的，在一个实施例中，导电层116与焊接凸起115在同一道工艺步骤中形成，导电层116的材料与焊接凸起115的材料相同。在另一实施例中，也可以先形成导电层116，再形成焊接凸起115，且导电层116与焊接凸起115的材料不同。
[0106]请参考图12，沿所述切割道中心线110(请参考图10)切割所述图像传感晶圆100 (请参考图10)以及信号处理晶圆107 (请参考图10)，形成若干单颗封装结构。
[0107]对所述图像传感晶圆100和信号处理晶圆107进行切割的工艺为切片刀切割或激光切割。由于激光切割具有更小的切口宽度，提高切割工艺的准确性，本实施例中采用激光对图像传感晶圆100和信号处理晶圆107进行切割。
[0108]切割所述图像传感晶圆100形成若干图像传感芯片200，切割所述信号处理晶圆107形成若干信号处理芯片207。
[0109]由于图像传感晶圆100和信号处理晶圆107为分开形成的，降低了图像传感晶圆100和信号处理晶圆107的形成工艺难度，且避免考虑图像传感芯片200和信号处理芯片207在同一晶圆内的排布互连问题，图像传感芯片200和信号处理芯片207不会受到彼此的限制，因此图像传感晶圆100内的图像传感芯片200具有最佳性能，同样的，信号处理晶圆107内的信号处理芯片207也具有最佳性能，因此本实施例形成的封装结构的性能高。
[0110]在本发明另一实施例中，当焊接凸起115填充满通孔时，则在沿切割道中心线110 (请参考图11)切割图像传感晶圆100 (请参考图11)和信号处理晶圆107 (请参考图11)后，形成的封装结构如图13所示，焊接凸起115填充满通孔，导电层116填充满开口，焊接凸起115与导电层116相接触，通过导电层116将第二焊盘108和金属柱103电连接，且焊接凸起115顶部高于信号处理芯片207表面。
[0111]相应的，本发明实施例还提供一种封装结构，请参考图12，所述封装结构包括:
[0112]图像传感芯片200，所述图像传感芯片200具有第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述图像传感芯片200第一面具有感光元件101和环绕所述感光元件101的第一焊盘102，所述图像传感芯片200内具有金属柱103，且所述金属柱103的一端与第一焊盘102电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感芯片200第二面齐平；
[0113]信号处理芯片207，所述信号处理芯片207具有第三面和与所述第三面相对的第四面，所述信号处理芯片207第三面具有第二焊盘108，且所述信号处理芯片207第三面与图像传感芯片200第二面固定接合，所述第二焊盘108与金属柱103电连接；[0114]贯穿所述信号处理芯片207第四面的通孔，且所述通孔底部暴露出第二焊盘108表面。
[0115]在本实施例中，所述图像传感芯片200和信号处理芯片207之间形成有粘附层106，提高图像传感芯片200与信号处理芯片207之间的粘附性，防止图像传感芯片200与信号处理芯片207之间分离。
[0116]本实施例中，所述通孔底部暴露出第二焊盘108部分表面，所述封装结构还包括:位于第二焊盘108以及粘附层106内的开口，开口底部暴露出金属柱103表面，且所述开口与通孔相互贯穿。
[0117]所述封装结构还包括:填充满所述开口的导电层116，且所述导电层116与金属柱103以及第二焊盘108相接触，通过所述导电层116使第二焊盘108和金属柱103电连接。
[0118]本实施例中，所述封装结构还包括:位于通孔侧壁以及信号处理芯片207第四面的绝缘层111 ;位于绝缘层111表面的金属再分布层113，且所述金属再分布层113还位于导电层116表面；位于所述信号处理芯片207第四面的金属再分布层113表面的焊接凸起115。
[0119]为了提高封装结构的可靠性，还包括:位于所述金属再分布层113和导电层112表面的防焊层114 ;位于所述信号处理芯片207第四面的防焊层114内的凹槽，且所述凹槽底部暴露出金属再分布层113表面，所述焊接凸起115填充满所述凹槽。
[0120]所述金属再分布层113与导电层116表面相接触,所述导电层116与第二焊盘108侧壁表面以及金属柱103表面相接触，因此所述导电层116作为中间媒介，使得第二焊盘108、金属柱103与金属再分布层113电连接，而焊接凸起115与金属再分布层113电连接，因此通过金属再分布层113使焊接凸起115、信号处理芯片207以及图像传感芯片200之间电连接。
[0121]所述焊接凸起115用于电连接信号处理芯片207、图像传感芯片200以及外部电路。
[0122]所述封装结构还包括:位于图像传感芯片200第一面的基板105。本实施例中，为了提高基板105与图像传感芯片200第一面之间的粘附性，在所述基板105和图像传感芯片200之间还形成有粘附层104 ;在其他实施例中，基板与图像传感芯片第一面直接接触。
[0123]所述基板105为图像传感芯片200和信号处理芯片207提供支撑作用，提高图像传感芯片200和信号处理芯片207的机械强度，防止图像传感芯片200或信号处理芯片207发生破裂问题，提高封装结构的可靠性。且外接光线透过所述基板105，到达感光元件101所在的区域，以使图像传感芯片200接收外界光线。
[0124]本发明实施例将图像传感芯片200和信号处理芯片207分开来设置，具体的，在图像传感芯片200第二面设置信号处理芯片207，避免考虑在同一芯片内设置图像传感芯片200以及信号处理芯片207的排布及互连问题，降低了设计难度；并且，由于图像传感芯片200以及信号处理芯片207之间受到对方排布以及面积的影响小，因此图像传感芯片200以及信号处理芯片207均能获得最佳的性能，提高了封装结构的封装性能；同时，由于图像传感芯片200与信号处理芯片207并未设置在同一芯片上，相对现有技术而言，本发明实施例的图像传感芯片200的面积更小，因此，图像传感芯片200的设计成本降低。
[0125]在本发明另一实施例中，如图13所示，所述封装结构包括:填充满通孔的焊接凸起115，所述焊接凸起115与导电层116相接触，且所述焊接凸起115顶部高于信号处理芯片207第四面。所述焊接凸起115与导电层116直接接触以进行电连接，导电层116与第二焊盘108以及金属柱103电连接，因此通过所述焊接凸起115使信号处理芯片207、图像传感芯片200以及外部电路之间电连接。为了防止焊接凸起115与信号处理芯片207发生不必要的电连接，在焊接凸起115与通孔侧壁之间形成有绝缘层111，所述绝缘层111还覆盖于信号处理芯片207第四面。
[0126]本发明另一实施例还提供一种封装方法，图14至图17为本发明另一实施例封装过程的剖面结构示意图，需要说明的是，本实施例中与上述实施例中相同结构的参数和作用等限定在本实施例中不再赘述，具体请参考上述实施例。
[0127]请参考图14,提供图像传感晶圆300,所述图像传感晶圆300具有若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道中心线310。
[0128]所述图像传感晶圆300具有第一面和与所述第一面相对设置的第二面，所述图像传感晶圆300第一面具有若干感光元件301和环绕所述感光元件301的第一焊盘302，图像传感晶圆300内具有金属柱303，金属柱303 —端与第一焊盘302电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感晶圆300第二面齐平。
[0129]本实施例中，在图像传感晶圆300第一面形成基板305。若基板305与图像传感晶圆300第一面之间具有较强的粘附性，例如，当基板305的材料为液态玻璃时，直接将基板305覆盖在图像传感晶圆300第一面。作为一个具体实施例，采用旋转涂覆工艺(spin-on-coating)在图像传感晶圆100第一面涂覆液态玻璃,在图像传感晶圆300第一面形成基板305。
[0130]请继续参考图14，提供信号处理晶圆307，所述信号处理晶圆307具有第三面和与所述第三面相对的第四面，且所述信号处理晶圆307第三面具有第二焊盘308 ;通过直接键合工艺，将图像传感晶圆300第二面与信号处理晶圆307第三面固定接合，所述第二焊盘308和金属柱303表面直接接触，将第二焊盘308与金属柱303电连接。
[0131]请参考图15，对所述信号处理晶圆307第四面进行刻蚀处理，形成贯穿所述信号处理晶圆307第四面的通孔309，且所述通孔309暴露出第二焊盘308表面。
[0132]本实施例中，所述通孔309底部暴露出第二焊盘308下表面(将于第二焊盘308与信号处理晶圆307第三面齐平的面称为上表面，与所述上表面相对的另一面称为下表面)。在其他实施例中，通孔底部暴露出第二焊盘侧壁表面。
[0133]请参考图16,在所述/[目号处理晶圆307第四面、通孔309 (请参考图15)侧壁形成绝缘层311 ;在所述绝缘层311表面形成金属再分布层313，所述金属再分布层313还位于通孔309底部；在所述信号处理晶圆307第四面的金属再分布层313表面形成焊接凸起315。
[0134]由于第二焊盘308与金属柱303电连接,金属再分布层313位于第二焊盘308表面，那么所述金属再分布层313与第二焊盘308和金属柱303均电连接。通过与金属再分布层313电连接的焊接凸起315，使信号处理晶圆307和图像传感晶圆300与外部电路电连接。
[0135]本实施例中，为了提高封装结构的可靠性，在形成焊接凸起315之前，在金属再分布层313表面以及第二焊盘308表面形成防焊层314 ;在位于信号处理晶圆307第四面的防焊层314内形成凹槽，所述凹槽暴露出部分金属再分布层313表面；形成填充满所述凹槽的焊接凸起315。
[0136]在本发明其他实施例中，为了减少工艺步骤，提高封装效率，形成填充满所述通孔的焊接凸起，且所述焊接凸起顶部高于信号处理晶圆第四面；且未来防止焊接凸起与信号处理晶圆第四面发生不必要的电连接，在焊接凸起与通孔侧壁之间形成绝缘层，且所述绝缘层还位于信号处理晶圆第四面。
[0137]请参考图17，沿所述切割道中心线310(请参考图16)切割所述图像传感晶圆300 (请参考图16)以及信号处理晶圆307 (请参考图16)，形成若干单颗封装结构。
[0138]所述切割工艺可参考前述实施例的说明，在此不再赘述。切割图像传感晶圆300形成图像传感芯片400，切割信号处理晶圆307形成信号处理芯片407。
[0139]由于图像传感晶圆300和信号处理晶圆307为分开形成的，降低了图像传感晶圆300和信号处理晶圆307的形成工艺难度，且避免考虑图像传感芯片400和信号处理芯片407在同一晶圆内的排布互连问题，图像传感芯片400和信号处理芯片407不会受到彼此的限制，因此图像传感晶圆400内的图像传感芯片400具有最佳性能，同样的，信号处理晶圆307内的信号处理芯片407也具有最佳性能，因此本实施例形成的封装结构的性能高。
[0140]相应的，本实施例提高一种封装结构，请参考图17，所述封装结构包括:
[0141]图像传感芯片400，所述图像传感芯片400具有第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述图像传感芯片400第一面具有感光元件301和环绕所述感光元件301的第一焊盘302，所述图像传感芯片400内具有金属柱303，且所述金属柱303的一端与第一焊盘302电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感芯片400第二面齐平；
[0142]信号处理芯片407，所述信号处理芯片407具有第三面和与所述第三面相对的第四面，所述信号处理芯片407第三面具有第二焊盘308，且所述信号处理芯片407第三面与图像传感芯片400第二面固定接合，所述第二焊盘308与金属柱303电连接；
[0143]贯穿所述信号处理芯片407第四面的通孔，且所述通孔底部暴露出第二焊盘308表面。
[0144]本实施例中，所述信号处理芯片407第三面与图像传感芯片400第二面直接接触，所述第二焊盘308表面与金属柱303表面相接触，第二焊盘308与金属柱303通过直接接触的方式以电连接。
[0145]本实施例中，所述通孔暴露出第二焊盘308下表面(将于第二焊盘308与信号处理晶圆307第三面齐平的面称为上表面，与所述上表面相对的另一面称为下表面)；在其他实施例中，通孔暴露出第二焊盘侧壁表面。
[0146]为了使信号处理芯片407以及图像传感芯片400与外部电路电连接，所述封装结构还包括:位于所述通孔侧壁以及信号处理芯片407第四面的绝缘层311 ;位于所述通孔底部以及绝缘层311表面的金属再分布层313 ;位于所述信号处理芯片407第四面的金属再分布层313表面的焊接凸起315。
[0147]为了提高封装结构的可靠性，还包括:位于所述金属再分布层313表面的防焊层314 ;位于所述信号处理芯片407第四面的防焊层314内的凹槽，且所述凹槽底部暴露出金属再分布层313表面，所述焊接凸起315填充满所述凹槽。
[0148]在本发明其他实施例中，为了使信号处理芯片和图像传感芯片与外部电路电连接，所述封装结构还包括:填充满所述通孔的焊接凸起，所述焊接凸起与第二焊盘相接触，且所述焊接凸起顶部高于信号处理芯片第四面。未来防止焊接凸起与信号处理芯片发生不必要的电连接，在焊接凸起和通孔侧壁之间形成有绝缘层，且所述绝缘层还位于信号处理芯片第四面。
[0149]本实施例中，所述封装结构还包括:位于图像传感芯片400第一面的基板305，所述基板305与图像传感芯片400第一面直接接触；在其他实施例中，在图像传感芯片和基板之间还可以形成有粘胶层。
[0150]本发明实施例将图像传感芯片400和信号处理芯片407分开来设置，具体的，在图像传感芯片400第二面设置信号处理芯片407，避免考虑在同一芯片内设置图像传感芯片400以及信号处理芯片407的排布及互连问题，降低了设计难度；并且，由于图像传感芯片400以及信号处理芯片407之间受到对方排布以及面积的影响小，因此图像传感芯片400以及信号处理芯片407均能获得最佳的性能，提高了封装结构的性能；同时，由于图像传感芯片400与信号处理芯片407并未设置在同一芯片上，相对现有技术而言，本发明实施例的图像传感芯片400的面积更小，因此，图像传感芯片400的设计成本降低，使得封装结构的成本低。
[0151]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种封装结构，其特征在于，包括: 图像传感芯片，所述图像传感芯片具有第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述图像传感芯片第一面具有感光元件和环绕所述感光元件的第一焊盘，所述图像传感芯片内具有金属柱，且所述金属柱的一端与第一焊盘电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感芯片第二面齐平； 信号处理芯片，所述信号处理芯片具有第三面和与所述第三面相对的第四面，所述信号处理芯片第三面具有第二焊盘，且所述信号处理芯片第三面与图像传感芯片第二面固定接合，所述第二焊盘与金属柱电连接； 贯穿所述信号处理芯片第四面的通孔，且所述通孔暴露出第二焊盘表面。
2.如权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述图像传感芯片和信号处理芯片之间形成有粘附层。
3.如权利要求2所述封装结构，其特征在于，还包括:位于所述第二焊盘以及粘附层内的开口，开口底部暴露出金属柱表面，且所述开口与通孔相互贯穿。
4.如权利要求3所述封装结构，其特征在于，还包括:填充满所述开口的导电层，且所述导电层与金属柱以及第二焊盘相接触。
5.如权利要求 4所述封装结构，其特征在于，还包括:位于通孔侧壁以及信号处理芯片第四面的绝缘层；位于绝缘层表面的金属再分布层，且所述金属再分布层还位于导电层表面；位于所述信号处理芯片第四面的金属再分布层表面的焊接凸起。
6.如权利要求4所述封装结构，其特征在于，还包括:填充满所述通孔的焊接凸起，所述焊接凸起与导电层相接触，且所述焊接凸起顶部高于信号处理芯片第四面。
7.如权利要求6所述封装结构，其特征在于，在所述焊接凸起与通孔侧壁之间形成有绝缘层，所述绝缘层还覆盖于信号处理芯片第四面。
8.如权利要求1所述封装结构，其特征在于，所述信号处理芯片第三面与图像传感芯片第二面直接接触，所述第二焊盘表面与金属柱表面相接触。
9.如权利要求8所述封装结构，其特征在于，还包括:位于所述通孔侧壁以及信号处理芯片第四面的绝缘层；位于所述通孔底部以及绝缘层表面的金属再分布层；位于所述信号处理芯片第四面的金属再分布层表面的焊接凸起。
10.如权利要求8所述封装结构，其特征在于，填充满所述通孔的焊接凸起，所述焊接凸起与第二焊盘相接触，且所述焊接凸起顶部高于信号处理芯片第四面。
11.如权利要求1所述封装结构，其特征在于，还包括:位于图像传感芯片第一面的基板。
12.如权利要求11所述封装结构，其特征在于，所述基板和图像传感芯片第一面之间还形成有粘胶层。
13.—种封装方法,其特征在于,包括: 提供图像传感晶圆，所述图像传感晶圆具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述图像传感晶圆第一面具有若干感光元件和环绕所述感光元件的第一焊盘，所述图像传感晶圆内具有金属柱，且所述金属柱一端与第一焊盘电连接，与所述一端相对的另一端与图像传感晶圆第二面齐平； 提供信号处理晶圆，所述信号处理晶圆具有第三面和与所述第三面相对的第三面，且所述信号处理晶圆第三面具有若干第二焊盘； 将所述图像传感晶圆第二面与信号处理晶圆第三面固定接合，使第二焊盘与金属柱的位置相对应； 将所述第二焊盘与金属柱电连接； 形成贯穿所述信号处理晶圆第四面的通孔，且所述通孔暴露出第二焊盘表面； 切割所述信号处理晶圆以及图像传感晶圆，形成若干单颗的封装结构，所述封装结构包括信号处理芯片以及图像传感芯片。
14.如权利要求13所述封装方法，其特征在于，在所述图像传感晶圆第二面或信号处理晶圆第三面形成粘附层，通过所述粘附层将图像传感晶圆第二面与信号处理晶圆第三面固定接合。
15.如权利要求14所述封装方法，其特征在于，采用点胶、滚胶或印胶的方法形成所述粘附层。
16.如权利要求14所述封装方法，其特征在于，在所述第二焊盘以及粘附层内形成开口，所述开口底部暴露出金属柱表面，且所述开口与通孔相互贯穿。
17.如权利要求16所述封装方法，其特征在于，形成所述开口的工艺步骤包括:在所述信号处理晶圆第四面 、通孔底部和侧壁形成绝缘层；刻蚀去除位于通孔底部的绝缘层，继续刻蚀位于通孔底部的第二焊盘和粘附层，直至暴露出金属柱表面，在第二焊盘以及粘附层内形成开口。
18.如权利要求16所述封装方法，其特征在于，采用镭射工艺形成所述开口，镭射工艺参数为:频率为1kHZ至200kHZ，功率为0.5watts至5watts，光斑尺寸为50 μ m至150 μ m，光斑移动速度为100mm/sec至300mm/sec,重复次数为I至10次。
19.如权利要求17所述封装方法，其特征在于，形成填充满所述开口的导电层，通过导电层将第二焊盘和金属柱电连接。
20.如权利要求19所述封装方法，其特征在于，还包括步骤:形成焊接凸起，且焊接凸起与导电层电连接。
21.如权利要求20所述封装方法，其特征在于，形成所述导电层以及焊接凸起的工艺步骤包括:形成填充满开口的导电层，同时在所述绝缘层表面形成金属再分布层，且所述金属再分布层还位于导电层表面；在所述信号处理晶圆第四面的金属再分布层表面形成焊接凸起。
22.如权利要求20所述封装方法，其特征在于，形成所述导电层以及焊接凸起的工艺步骤包括:形成填充满所述开口的导电层；形成填充满所述通孔的焊接凸起，且所述焊接凸起顶部高于信号处理晶圆第四面。
23.如权利要求13所述封装方法，其特征在于，通过直接键合工艺，将图像传感晶圆第二面与信号处理晶圆第三面固定接合，将所述第二焊盘和金属柱表面直接接触电连接。
24.如权利要求23所述封装方法，其特征在于，还包括步骤:在所述信号处理晶圆第四面、通孔侧壁形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属再分布层，所述金属再分布层还位于通孔底部；在所述信号处理晶圆第四面的金属再分布层表面形成焊接凸起。
25.如权利要求23所述封装方法，其特征在于，还包括步骤:形成填充满所述通孔的焊接凸起，且所述焊接凸起顶部高于信号处理晶圆第四面。
26.如权利要求13所述封装方法，其特征在于，在所述图像传感晶圆第一面形成基板。
27.如权利要求26所述封装方法，其特征在于，在所述基板与图像传感晶圆之间形成粘胶层。
28.如权利要求26所述封装方法，其特征在于，采用旋转涂覆工艺在图像传感晶圆第一面涂覆液态玻璃，在图像 传感晶圆第一面形成基板。
【文档编号】H01L21/60GK104037146SQ201410291048
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年6月25日 优先权日:2014年6月25日
【发明者】王之奇, 喻琼, 王蔚 申请人:苏州晶方半导体科技股份有限公司