大功率led封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了大功率LED封装结构，包括铜基板、正极接线端子、负极接线端子和围坝框、由若干个LED芯片组成的LED阵列以及封装所述LED阵列的硅胶，所述LED阵列通过铜基板与正极接线端子和负极接线端子连接，所述围坝框围合形成矩形框体，所述矩形框体内设有镀银层，所述LED阵列通过银胶固定于所述镀银层上，所述镀银层上相邻所述LED芯片之间的间距为0.70～0.80mm。本实用新型所提供的大功率LED封装结构主要是针对100W以内的大功率LED封装结构使用，在镀银层上相邻所述LED芯片之间的间距为0.70～0.80mm，能够保证封装后使用过程中，封装硅胶胶体的表面温度可以控制在180℃以下。
【专利说明】大功率LED封装结构
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及LED照明封装结构，尤其是涉及大功率LED封装结构。
【背景技术】
[0002] 在LED封装结构中，对于功率在100W以内的LED封装结构中因为支架功能区域面 积过小、LED芯片排列过于紧密导致使用过程中散热不好、硅胶胶体表面温度过高而造成死 灯等其他不良反应，同时由于传统的围坝框的胶体较软容易在安装过程中压伤导线导致死 灯，并且围坝框的气密性不好、光斑差，影响了大功率LED灯的使用寿命和稳定性。 实用新型内容
[0003] 本实用新型的目的在于解决现有100W以内的大功率LED封装结构中存在相邻LED 芯片排列过于紧密导致的散热差，硅胶胶体表面温度过高容易造成死灯等不良反应的缺 点，提供一种适用于100W以内的大功率LED封装结构。
[0004] 本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是：大功率LED封装结构，包括铜基 板、固设于所述铜基板上的正极接线端子、负极接线端子和围坝框、设于所述围坝框内的由 若干个LED芯片组成的LED阵列以及封装所述LED阵列的硅胶，所述LED阵列通过所述铜 基板与所述正极接线端子和负极接线端子连接，所述围坝框围合形成矩形框体，所述矩形 框体内设有镀银层，所述LED阵列通过银胶固定于所述镀银层上，所述镀银层上所述LED芯 片之间的间距为0. 70?0. 80mm。
[0005] 进一步地，于所述铜基板与所述镀银层之间还设有一设于所述铜基板上的绝缘层 以及设于所述绝缘层上的电路层，所述LED阵列通过所述电路层与所述正极接线端子、所 述负极接线端子电连接。
[0006] 具体地，所述绝缘层通过压合固定于所述铜基板上。
[0007] 具体地，所述绝缘层通过涂覆固定于所述铜基板上。
[0008] 进一步地，所述围坝框采用耐高温的PPA塑胶粘接于所述铜基板上。
[0009] 进一步地，所述LED阵列呈矩形阵列，所述导线为金线，所述金线将每行相邻所述 LED芯片串联。
[0010] 本实用新型的有益效果在于：本实用新型所提供的大功率LED封装结构主要是针 对100W以内的大功率LED封装结构使用，在其封装结构中，在其镀银层上相邻所述LED芯 片之间的间距为0. 70?0. 80mm，使得LED封装结构内单位面积内的LED芯片在一个合理的 范围内，能够保证封装后使用过程中，封装硅胶胶体的表面温度可以控制在180°C以下，同 时本实用新型所提供的围坝框的结构合理，具有较好的气密性且光效高、光斑好，并且在铜 基板上设有正极接线端子和负极接线端子，使得LED封装结构连接电源更加方便，不用另 外焊接，可以提升组装效率，从而提高大功率LED封装结构的使用寿命和稳定性。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1是本实用新型实施例提供的大功率LED封装结构的立体结构示意图；
[0012] 图2是图1中A-A处的剖视图；
[0013] 图3是图2中B处的局部放大图；
[0014] 图4是本实用新型实施例提供的大功率LED封装结构的铜基板与围坝框的正视 图；
[0015] 图中：100-LED封装结构
[0016] 10-铜基板 11-正极接线端子12-负极接线端子
[0017] 20-围坝框 30-镀银层 40-LED阵列
[0018] 41-LED芯片50-导线 60-硅胶
【具体实施方式】
[0019] 为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施 例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释 本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0020] 参见图1-4,为本实用新型所提供的大功率LED封装结构100,该大功率LED封装 结构100主要针对的是100W -下的大功率LED灯使用。具体地，本实用新型所提供的大功 率LED封装结构100包括铜基板10、固设于铜基板10上的正极接线端子11、负极接线端 子12和围坝框20,设于围坝框20内的由若干个LED芯片41组成的LED阵列40以及封装 LED阵列40的硅胶60, LED阵列40通过铜基板10与正极接线端子11和负极接线端子12 连接，围坝框20围合形成矩形框体，矩形框体内设有镀银层30, LED阵列40通过银胶（图中 未示出）固定于镀银层30上，镀银层30上相邻LED芯片41之间的间距为0. 70?0. 80mm。
[0021] 首先，本实用新型所提供的大功率LED封装结构100中，采用了高品质导体材料的 接线端子11、12,该接线端子11、12,具有低阻抗、高传导能力，通过铜基板10上的电路层 (图中未示出)与LED阵列40连接，并且该正极接线端子11和负极接线端子12在外接电源 时，无需焊接，提升了大功率LED模组的组装效率，也提高大功率LED灯的使用寿命和稳定 性。
[0022] 然后，本实用新型所提供的大功率LED封装结构100中，该围坝框20采用耐高温 的PPA塑胶粘接于铜基板10上。该围坝框20是一种耐高温、气密性好的含硅材的PPA塑 胶，主要是用来围挡封装时的硅胶60。同时，由于该围坝框20所采用的材质较传统的材质 更为优秀，使得围坝框20具有较好的硬度，使得在安装过程中，不容易变形，因此不会拉扯 到连接的导线50,避免了因为围坝框20不牢固而容易拉断导线50导致死灯现象的出现。
[0023] 并且，本实用新型所提供的大功率LED封装结构100中，在镀银层30上相邻LED 芯片41之间的间距为0. 70?0. 80mm。通过对镀银层30上的LED阵列40的合理布局，使 得镀银层30上的相邻LED芯片41之间的间距在0. 70?0. 80mm。这样，在大功率LED灯使 用过程中，才能保证相邻的LED芯片41之间具有足够的散热间距，才能够更为充分的散热， 使得表面的硅胶温度可以控制在180°C以内，保证LED灯的正常使用温度。
[0024] 最后，本实用新型所提供的大功率LED封装结构100中，其镀银层30是通过电镀 工艺将银浆电镀到铜基板10上的，该镀银层30即可以提高LED模组的反射率也能提高其 导电的效果，并且该LED芯片41通过银胶（图中未示出）固定到镀银层30上，该银胶采用了 目前较先进的高导热银胶，经过烘烤后将LED芯片41固定在镀银层30上，起到粘贴、导电 与散热的功效。
[0025] 进一步地，参见图4,于铜基板10与镀银层30之间还设有一设于铜基板10上的 绝缘层以及设于绝缘层上的电路层。在本实用新型所提供大功率LED封装结构100中，该 铜基板10上设有绝缘层（图中未示出），在绝缘层上设置电路层（图中未示出）。该LED芯 片41的电路被设置在该电路层上，而在该线路层上再设置镀银层30,同时，LED阵列40就 被固定在该镀银层30上。LED阵列40通过电路层与正极接线端子11、负极接线端子12电 连接。而具体地，本实用新型所提供的绝缘层即可以通过压合固定于铜基板10上，还可以 通过涂覆固定于铜基板10上。
[0026] 进一步地，在本实施例中，LED阵列40呈矩形阵列，导线50为金线，金线将每行相 邻LED芯片41串联。该金线通过全自动焊线机焊机将相邻的LED芯片41连接起来，并最 终接入铜基板10的电路层中，通过导线50连接的LED阵列40通过该铜基板10的电路层 最终与正极接线端子11和负极接线端子12电连接，从而形成完整的通路，在给正极接线端 子11和负极接线端子12接上外接电源加压时，能够通过电路层降压并将电量传递给LED 阵列40,实现LED模组的通电。
[0027] 以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用 新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保 护范围之内。
【权利要求】
1. 大功率LED封装结构，其特征在于，包括铜基板、固设于所述铜基板上的正极接线端 子、负极接线端子和围坝框、设于所述围坝框内的由若干个LED芯片组成的LED阵列以及封 装所述LED阵列的硅胶，所述LED阵列通过所述铜基板与所述正极接线端子和负极接线端 子连接，所述围坝框围合形成矩形框体，所述矩形框体内设有镀银层，所述LED阵列通过银 胶固定于所述镀银层上，所述镀银层上相邻所述LED芯片之间的间距为0. 70?0. 80mm。
2. 如权利要求1所述的大功率LED封装结构，其特征在于，于所述铜基板与所述镀银层 之间还设有一设于所述铜基板上的绝缘层以及设于所述绝缘层上的电路层，所述LED阵列 通过所述电路层与所述正极接线端子、所述负极接线端子电连接。
3. 如权利要求2所述的大功率LED封装结构，其特征在于，所述绝缘层通过压合固定于 所述铜基板上。
4. 如权利要求2所述的大功率LED封装结构，其特征在于，所述绝缘层通过涂覆固定于 所述铜基板上。
5. 如权利要求1或2所述的大功率LED封装结构，其特征在于，所述围坝框采用耐高温 的PPA塑胶粘接于所述铜基板上。
6. 如权利要求1所述的大功率LED封装结构，其特征在于，所述LED阵列呈矩形阵列， 每行相邻所述LED芯片通过导线串联，所述导线为金线。
【文档编号】H01L33/54GK203895451SQ201420179285
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年4月14日 优先权日:2014年4月14日
【发明者】林金填 申请人:深圳市旭宇光电有限公司