1.一种制作半导体元件的方法，包含：
提供一基底，该基底上设有栅极结构、第一硬掩模设于该栅极结构上以及层间介电层环绕该栅极结构及该第一硬掩模；
去除部分该第一硬掩模；
形成一第二硬掩模层于该第一硬掩模及该层间介电层上；以及
平坦化部分该第二硬掩模层以形成一第二硬掩模于该第一硬掩模上。
2.如权利要求1所述的方法，其中该第二硬掩模的宽度大于该第一硬掩模的宽度。
3.如权利要求1所述的方法，还包含间隙壁以及接触洞蚀刻停止层设于该栅极结构及该第一硬掩模上方，该方法包含：
去除部分该第一硬掩模及部分该间隙壁；以及
形成该第二硬掩模于该第一硬掩模、该间隙壁、该接触洞蚀刻停止层及该层间介电层上。
4.如权利要求1所述的方法，还包含间隙壁以及接触洞蚀刻停止层设于该栅极结构及该第一硬掩模上方，该方法包含：
去除部分该第一硬掩模、部分该间隙壁及部分该接触洞蚀刻停止层；以及
形成该第二硬掩模于该第一硬掩模、该间隙壁、该接触洞蚀刻停止层及该层间介电层上。
5.如权利要求1所述的方法，其中该第一硬掩模及该第二硬掩模包含不同材料。
6.如权利要求1所述的方法，其中该第二硬掩模包含氮化钛。
7.如权利要求1所述的方法，还包含于形成该第二硬掩模层之前形成一遮盖层于该第一硬掩模及该层间介电层上。
8.如权利要求7所述的方法，其中该遮盖层包含氧化层。
9.如权利要求1所述的方法，还包含于形成该第二硬掩模之后去除部分该层间介电层。
10.如权利要求1所述的方法，还包含于平坦化部分该第二硬掩模层之后利用该第二硬掩模形成一接触洞于该栅极结构旁。