制作半导体元件的方法与流程

技术总结
本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一栅极结构、一第一硬掩模设于栅极结构上以及一层间介电层环绕栅极结构及第一硬掩模。然后去除部分第一硬掩模，形成一第一硬掩模层于第一硬掩模及层间介电层上，最后平坦化部分第二硬掩模层以形成一第二硬掩模于第一硬掩模上。

技术研发人员：廖端泉;陈益坤;戴锦华
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
文档号码：201510479380
技术研发日：2015.08.03
技术公布日：2017.02.15