1.一种存储元件，包括：
多个第一导线层，每一第一导线层沿着一第一方向与一第二方向所定义的平面延伸，每一第一导线层具有沿着该第一方向延伸的多条第一导线；
多个支撑结构，位于相邻的这些第一导线层之间，这些支撑结构的形状与这些第一导线不同；以及
一电荷储存层，覆盖这些第一导线上表面、下表面、两侧表面以及这些支撑结构的表面。
2.根据权利要求1所述的存储元件，其中这些第一导线与这些支撑结构的材料不同。
3.根据权利要求1所述的存储元件，其中该支撑结构的材料包括氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)、碳化硅(SiC)、氟氧化硅(SiOF)、氢氧化硅(SiOH)或其组合。
4.根据权利要求1所述的存储元件，其中每一支撑结构为一连续支撑结构，更贯穿这些第一导线。
5.根据权利要求1所述的存储元件，其中这些支撑结构包括柱状结构、波浪状结构、片状结构、瓦楞纸状结构或其组合。
6.根据权利要求1所述的存储元件，其中这些支撑结构包括多个柱状结构，且这些柱状结构的两侧壁的轮廓包括矩形、梯形、沙漏形、蛋形、不规则形或其组合。
7.根据权利要求1所述的存储元件，其中这些支撑结构的上表面的形状包括：圆形、椭圆形、方形、星形、心形、菇形、双峰形、蝴蝶结形或其组合。
8.根据权利要求1所述的存储元件，更包括多个第二导线层，每一第二导线层沿着该第二方向与一第三方向所定义的平面延伸，每一第二导线层位于相邻两个支撑结构之间，环绕所对应的该第一导线周围的部分该电荷储存层，其中该第一方向、该第二方向以及该第三方向互相垂直。
9.一种存储元件的制造方法，包括：
提供一叠层，该叠层包括多个第一导线层以及多个支撑材料层，这些 支撑材料层与这些第一导线层相互堆栈，其中这些第一导线层与这些支撑材料层的材料不同，且这些支撑材料层与这些第一导线层均沿着一第一方向与一第二方向所定义的平面延伸；
于该叠层中形成多个开口，这些开口贯穿该叠层；以及
进行一刻蚀工艺，自这些开口移除部分这些支撑材料层，以于这些第一导线层之间形成多个支撑结构。
10.根据权利要求9所述的存储元件的制造方法，其中这些支撑材料层与这些第一导线层之间的刻蚀选择比大于或等于5。
11.一种存储元件的制造方法，包括：
提供一叠层，该叠层包括多个第一导线层以及多个第一材料层，这些第一材料层与这些第一导线层相互堆栈，其中这些第一导线层与这些第一材料层的材料不同，且这些第一材料层与这些第一导线层均沿着一第一方向与一第二方向所定义的平面延伸；
于该叠层中形成多个支撑结构，每一支撑结构为一连续支撑结构，贯穿该叠层的这些第一导线层；
于该叠层中形成多个开口，这些开口贯穿该叠层；以及
进行一刻蚀工艺，自这些开口移除这些第一材料层，其中这些第一导线层、这些第一材料层与这些支撑结构的材料不同，且这些第一材料层与这些支撑结构的刻蚀选择比，以及这些第一材料层与这些第一导线层之间的刻蚀选择比大于或等于5。