技术总结
本发明公开了一种存储元件及其制造方法，存储元件包括多个第一导线层、多个支撑结构以及电荷储存层。每一第一导线层沿着第一方向与第二方向所定义的平面延伸。每一第一导线层具有沿着第一方向延伸的多条第一导线。支撑结构位于相邻的第一导线层之间。支撑结构的形状与第一导线不同。电荷储存层覆盖第一导线上表面、下表面、两侧表面以及支撑结构的表面。
技术研发人员：裘元杰;洪士平;钟曜安
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510488836
技术研发日：2015.08.11
技术公布日：2017.03.01