1.一种半导体器件，包括：
包含半导体层的半导体结构；以及
至半导体层的基本上线性的穿孔接触件，穿孔接触件包含：
由金属形成的位于半导体结构中的多个腔中的多个穿孔元件，其中多个穿孔元件具有最小化半导体结构中的多个穿孔元件和二维气之间的电阻的横向间隔距离、横向宽度和横向长度；以及
位于包括多个腔的半导体结构的区域上的金属的顶层。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多个穿孔元件的至少一个包括横向穿透半导体层的一组金属凸出物，并且其中在一组金属凸出物中的金属凸出物具有棱锥形、棱柱形或锥形之一。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，一组金属凸出物具有特征横向尺寸，其中特征横向尺寸是半导体结构中的半导体层或者二维载流子气区域的至少其中之一中的玻尔半径的一半，并且其中特征横向尺寸小于特征长度尺度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，半导体结构包括：
基于III族氮化物的半导体结构，并且其中半导体层是由第一III族氮化物材料形成，半导体结构进一步包括：
邻近半导体层的第二层，其中第二层是由第二III族氮化物材料形成的；以及
在第二层和半导体层的结处形成的二维载流子气，其中多个穿孔元件的至少一些穿孔元件延伸穿过第二层并且至少部分延伸穿过半导体层。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多个穿孔元件的至少一些穿孔元件具有基于穿孔元件的深度变化的形状或者尺寸的至少一个。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，多个穿孔元件的特征横向长度小于特征横向间隔距离。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，半导体结构进一步包括至少一层的低导电性或者绝缘材料，并且其中多个穿孔元件延伸穿过至少一层的低导电性或者绝缘材料。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，器件被配置为作为发光二极管、发光激光二极管、晶体管、光电二极管、Schottky二极管或者PIN二极管中的至少一个来操作。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，穿孔接触件的多个穿孔元件的每个穿孔元件具有一组锋锐边缘。
10.一种半导体器件，包括：
半导体结构，包含：
半导体层；以及
邻近半导体层形成的二维载流子气，
至半导体层的穿孔接触件，穿孔接触件包含：
在半导体结构中形成的多个腔，其中多个腔彼此间隔特征横向间隔距离并且具有特征横向长度；
由金属形成的位于半导体结构中的多个腔中的多个穿孔元件；
位于包括多个腔的半导体结构的区域上的金属的顶层；以及
其中特征横向间隔距离和特征横向长度被选择以最小化穿孔接触件的总电阻，并且其中穿孔接触件的总电阻基于穿孔接触件的多个穿 孔元件的每个穿孔元件的直接电阻和侧电阻被计算。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，多个穿孔元件的特征横向长度小于特征横向间隔距离。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，穿孔接触件的直接电阻是多个穿孔元件和二维载流子气之间的每单位长度的电阻。
13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，侧电阻是二维载流子气和多个电极的每个电极的侧面之间的电阻和在邻近的穿孔元件之间的间隔中的二维气的电阻的组合。
14.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，穿孔接触件的总电阻进一步基于多个穿孔元件的每个穿孔元件周围传播的电流的量来计算。