技术特征：
技术总结
本申请公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，其中，所述鳍式场效应晶体管的制备方法将假栅的主刻蚀过程分为两次刻蚀过程，即对假栅层的第一次刻蚀和对假栅雏形结构的第二次刻蚀，并且在两次主刻蚀过程中引入了一次氮化处理，以在第一次刻蚀形成的假栅雏形结构背离衬底一端表面形成绝缘薄膜，所述绝缘薄膜在第二次刻蚀过程中起到了对假栅雏形结构背离所述衬底一端的假栅的保护作用，避免了顶部的假栅在第二次刻蚀过程中被长时间过刻蚀而形成凹陷等受损现象的可能，从而改善了后续形成的鳍式场效应晶体管的栅极的形貌，进而改善了最终形成的鳍式场效应晶体管的电学性能。
技术研发人员：李春龙;霍宗亮;叶甜春
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.11.21
技术公布日：2018.04.27