0，亦即，导电片体110的其他区域是不设有凸出结构120的。于其他实施方式中，凸出结构120亦可布满整个导电片体110。
[0036]于部分实施方式中，如图2所示，凸出结构120是等距地排列，亦即，相邻两凸出结构120之间的距离相等，故可使不同的第一散热通道132的宽度相等。于其他实施方式中，凸出结构120亦可不等距地排列，而可使不同的第一散热通道132的宽度不相等。
[0037]于部分实施方式中，如图1所示，绕组10还可包含一绝缘结构12。绝缘结构12接触导电结构11，且导电结构11及绝缘结构12是共同卷绕的。具体来说，导电结构11与绝缘结构12可共同被卷绕而呈筒状，且可彼此同轴。因此，当绕组10沿着径向方向Dl而向外绕成多层的结构时，导电结构11与绝缘结构12可相间地设置，故绝缘结构12可隔开位于不同层的部分导电结构11，以避免不同层的部分导电结构11彼此电性连接。
[0038]图4绘示依据本发明另一实施方式的导电结构Ila的局部立体图。如图4所示，导电结构Ila与前述导电结构11之间的主要差异在于:至少部分凸出结构120a在宽度方向W上是互相分离的。这些凸出结构120a的排列方向不平行于导电片体110的长度方向L。进一步来说，多个凸出结构120a可沿着导电片体110的宽度方向W排成一列，且同列的凸出结构120a在宽度方向W上是互相分离的。第一散热通道132a是位于相邻两凸出结构120a之间。举例来说，沿长度方向L上的相邻两凸出结构120a在导电片体110的长度方向L上是对齐的，以在其间形成第一散热通道132a。
[0039]应了解到，本说明书中全文所述的“同列的物体”是代表多个沿着宽度方向W所排列的物体。举例来说，同列的凸出结构120a即代表多个沿着宽度方向W所排列的凸出结构120a。
[0040]于部分实施方式中，如图4所示，同列的凸出结构120a在导电片体110的宽度方向W上是对齐的。进一步来说，每一凸出结构120a可包含相对两支撑部122a与124a，支撑部122a与124a可为两平行壁，两者均平行于导电片体110的宽度方向W。同列相邻的两凸出结构120a的支撑部122a是共面的，相似地，同列相邻的两凸出结构120a的支撑部124a亦是共面的。如此一来，同列相邻的两凸出结构120a在导电片体110的宽度方向W上可相互对齐。
[0041]于部分实施方式中，如图4所示，每一凸出结构120a可为一矩形凸台。具体来说，每一凸出结构120a还可包含另两相对的支撑部123a、125a与一顶板126a。支撑部123a及125a为两平行壁，两者均是平行于导电片体110的长度方向L。支撑部122a、123a、124a及125a是依序连接的，且这四者是连接导电片体110的连接面116。顶板126a连接支撑部122a、123a、124a及125a上远离连接面116的一侧，以构成矩形凸台。于其他实施方式中，凸出结构120a亦可为菱形凸台、圆形凸台、椭圆形凸台或三角形凸台，但本发明并不以此为限。
[0042]导电结构Ila的其他技术特征是如同前述导电结构11的相关叙述所载，在此不重复叙述。
[0043]图5绘示依据本发明另一实施方式的导电结构Ilb的局部立体图。如图5所示，导电结构Ilb与前述导电结构IIa之间的主要差异在于:至少一凸出结构120b为两端具有通孔127b与12%的中空结构。换句话说，通孔127b与12%是连通的，且导电片体110的宽度方向W横跨通孔127b与129b。如此一来，同列的多个凸出结构120b可通过各自的通孔127b与12%形成第二散热通道134b，以供气流通过。第二散热通道134b与第一散热通道132b是相间地设置。换句话说，气流不仅可接触凸出结构120b的外表面，亦可接触凸出结构120b的内表面，从而增加换热面积，以进一步提升散热能力。
[0044]导电结构Ilb的其他技术特征是如同前述导电结构Ila的相关叙述所载，在此不重复叙述。
[0045]图6绘示依据本发明另一实施方式的导电结构Ilc的局部立体图。如图6所示，导电结构Ilc与前述导电结构Ila之间的主要差异在于:同列相邻的两凸出结构120c在宽度方向W上是错位的。进一步来说，每一凸出结构120c具有平行于导电片体110的宽度方向W的支撑部122c与124c。同列相邻的两凸出结构120c的支撑部122c是不共面的。相似地，同列相邻的两凸出结构120c的支撑部124c亦是不共面的。如此一来，同列相邻的两凸出结构120c在宽度方向W上可错位而不对齐。
[0046]通过上述错位设计，在第一散热通道132c中流动的气流容易形成扰流，而剧烈地扰动，如此可提闻对流换热系数，进一步提升散热能力。
[0047]导电结构Ilc的其他技术特征是如同前述导电结构Ila的相关叙述所载，在此不重复叙述。
[0048]图7绘示依据本发明另一实施方式的导电结构Ild的局部立体图。如图7所示，导电结构Ild与前述导电结构11 (可参阅图3)之间的主要差异在于:为凸条的凸出结构120d的支撑部122d与124d是呈起伏状。举例来说，支撑部122d可包含多个凸起面1221与多个凹陷面1222。这些凸起面1221与凹陷面1222是相间地排列。凸起面1221与凹陷面1222均平行于导电片体110的宽度方向W，且凸起面1221与凹陷面1222是不共面的。如此一来，支撑部122d可呈起伏状。相似地，支撑部124d可包含多个凸起面1241与多个凹陷面1242。这些凸起面1241与凹陷面1242是相间地排列。凸起面1241与凹陷面1242均平行于导电片体110的宽度方向W，且凸起面1241与凹陷面1242是不共面的。如此一来，支撑部124d可呈起伏状。
[0049]通过支撑部122d与124d的起伏状设计，在第一散热通道132d与第二散热通道134d中流动的气流容易形成扰流，而剧烈地扰动，如此可提高对流换热系数，进一步提升散热能力。
[0050]于部分实施方式中，在每一凸出结构120d中，支撑部122d的凸起面1221与支撑部124d的凹陷面1242在导电片体110的长度方向L上是对齐的，相似地，支撑部122d的凹陷面1222与支撑部124d的凸起面1241在导电片体110的长度方向L上是对齐的，以使第一散热通道132d与第二散热通道134d呈蜿蜓状,而利于气流扰动。
[0051]导电结构Ild的其他技术特征是如同前述导电结构11 (可参阅图3)的相关叙述所载，在此不重复叙述。
[0052]图8绘示依据本发明另一实施方式的导电结构Ile的局部立体图。如图8所示，导电结构Ile与前述导电结构11 (可参阅图3)之间的主要差异在于:凸出结构120e在垂直连接面116上的剖面图案呈倒V形。具体来说，凸出结构120e的支撑部122e与124e是倾斜地连接于导电片体110的连接面116，而顶板126e是呈弧状，并连接于支撑部122e与124e远离导电片体110的一侧。支撑部122e、124e及顶板126e在垂直连接面116上的剖面图案可共同呈倒V形。如此一来，第一散热通道132e及第二散热通道134e的形状可与图3的第一散热通道132及第二散热通道134的形状不同。
[0053]导电结构lie的其他技术特征是如同前述导电结构11 (可参阅图3)的相关叙述所载，在此不重复叙述。
[0054]图9绘示依据本发明另一实施方式的导电结构Ilf的局部立体图。如图9所示，导电结构Ilf与前述导电结构Ile之间的主要差异是在于:为凸条的凸出结构120f的支撑部122f或124f具有至少一贯穿孔121f。贯穿孔121f连通第一散热通道132f与第二散热通道134f。如此一来，在第一散热通道132f中流动的气流与在第二散热通道134f中流动的气流可互相混和，故可利于气流扰动，从而提升散热能力。
[0055]于部分实施方式中，支撑部122f与124f均可具有贯穿孔121f，以进一步帮助气流混和，而进一步提升散热能力。
[0056]本实施方式中是以为凸条的凸出结构120f为范例，而于其他实施方式中，如图4所示，凸出结构120a的支撑部122a与124a亦可开设有贯穿孔121f，以利气流扰动，从而提升散热能力。
[0057]导电结构Ilf的其他技术特征是如同前述导电结构Ile的相关叙述所载，在此不重复叙述。
[0058]图10绘示依据本发明另一实施方式的电磁组件的俯视图。如图10所示，本实施方式与图2之间的主要差异在于:电磁组件还可包含至少一垫块900，且至少一凸出结构120为中空的，而垫块900是设置于此中空的凸出结构120中，如此便能防止凸出结构120受外力时而变形。于部分实施方式中，仅部分凸出结构120内设有垫块900，而剩余凸出结构120内无设置垫块900，以免过度影响气流流通，而降低散热能力。
[0059]图11绘示依据本发明另一实施方式的电磁组件的俯视图。如图11所示，本实施方式的电磁组件的绕组1a可包含一导电结构lie、一绝缘结构12与至少一分流结构13。导电结构lie、绝缘结构12与分流结构13可共同被卷绕而呈筒状，且彼此同轴。分流结构13接触导电结构lie，以避免导电结构Ile的凸出结构120e变形。举例来说，分流结构13的数量可为两个，导电结构Ile可夹设于这两个分流结构13之间，如此可防止外力直接施加于凸出结构120e上而导致凸出结构120e变形。
[0060]于部分实施方式中，分流结构13为导体。因此，当导电结构Ile通