电时，电流不仅可经由导电结构Ile传递，亦可经由分流结构13传递。换句话说，电流可多路地传递，故即使导电结构Ile因为凸出结构120e的起伏形状而可能导致阻抗增加，电流亦可经由阻抗较低的分流结构13传递。如此一来，绕组1a的整体阻抗可下降。
[0061]此外，当导电结构Ile通电时，可能会受到电磁感应产生的磁场影响，使得电流集中于导电结构Ile的表面，导致电流分布不均，而增加阻抗。这种现象又可称为集肤效应。然而，由于分流结构13亦可传递电流，故电流不会仅集中地由导电结构Ile的表面传递，如此可降低集肤效应所带来的影响。
[0062]于部分实施方式中，如图11所示，分流结构13具有一支撑区域210以及一非支撑区域220。非支撑区域220邻接支撑区域210。支撑区域210接触导电结构lie的凸出结构120e。于本实施方式中，支撑区域210是平坦的，以利抵抗外力，而保护凸出结构120e。
[0063]非支撑区域220不接触凸出结构120e，且如图11所示，非支撑区域220可为平坦的。但于其他实施方式中，非支撑区域220可呈起伏状，以形成额外的通道，以供气流通过，而进一步提升散热能力。
[0064]于部分实施方式中，如图11所示，绕组1a是沿径向方向由内往外所绕制的，而形成由内向外层叠的筒状结构。
[0065]于本实施方式中，虽然电磁组件是以导电结构Ile为范例,但于其他实施方式中，此电磁组件亦可以导电结构11至Ild与Ilf来取代导电结构lie。
[0066]图12绘示依据本发明另一实施方式的电磁组件的俯视图。本实施方式的电磁组件与图11之间的主要差异在于:本实施方式的电磁组件可包含一磁芯20。绕组1a环绕磁芯20。当绕组1a通电时，其所产生的磁场可与磁芯20的磁场相互影响。本实施方式的电磁组件可应用于单相电抗器、三相电抗器、单相变压器或三相变压器等等，但本发明并不以此为限。
[0067]图13绘示依据本发明另一实施方式的电磁组件的立体图。本实施方式的电磁组件与图11之间的主要差异在于:本实施方式的绕组1b的绕制方式与前述绕组1a的绕制方式不同。具体来说，绕组1b是沿轴向方向由上往下(或由下往上)所绕制的，而形成由上往下(或由下往上)层叠的筒状结构。
[0068]导电结构Ilg的连接面116是平行于绕组1b的径向方向D2。导电结构Ilg可包含多个凸出结构120与多个凸出结构120e。相邻两凸出结构120所形成的第一散热通道132与凸出结构120中的第二散热通道134均是沿着绕组1b的径向方向D2所延伸。具体来说，绕组1b系绕成圆筒结构，而径向方向D2系代表沿着此圆筒结构的半径所定义的方向。相似地，相邻两凸出结构120e所形成的第一散热通道132e与凸出结构120e中的第二散热通道134e亦是沿着绕组1b的径向方向D2所延伸。因此，气流可沿着绕组1b的径向方向D2通过第一散热通道132、132e与第二散热通道134、134e，以实现散热的效果。
[0069]虽然本图中的导电结构IIg是包含凸出结构120与120e，但本发明并不以此为限，制造者亦可依实际需求选择凸出结构120a、120b、120c、120d或120f。
[0070]图14绘示依据本发明另一实施方式的电磁组件的立体图。于本实施方式中，如图14所示，电磁组件可包含一绝缘结构12以及两导电层14与15。绝缘结构12是夹设于导电层14与15之间，并将导电层14与15隔开。如此一来,导电层14与15可做为相互绝缘的两个独立线路，故此电磁组件可做为一母排(busbar)，其可用以电性连接功率器件、电容组件或电池组件等等，但本发明并不以此为限。
[0071]于本实施方式中，导电层15可为前述第3至9图中所示的导电结构11至Ilf的任一者。举例来说，导电层15可包含多个凸出结构120，以利提升此电磁组件的散热能力。
[0072]于本实施方式中，导电层14的表面可为平坦的。于其他实施方式中，导电层14亦可为前述图3至图9中所示的导电结构的任一者，而具有凸出结构120至120f中的任一者，以利提升此电磁组件的散热能力。
[0073]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种用于电磁组件的导电结构，其特征在于，包含: 一导电片体，具有两电性连接端；以及 多个凸出结构，排列于所述两电性连接端之间； 所述凸出结构包含一支撑部，该支撑部与该导电片体相接；其中所述多个凸出结构的相邻两者之间形成一第一散热通道。
2.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，该导电片体具有连接所述两电性连接端的一上长边以及一下长边，至少一所述凸出结构为连接该上长边及该下长边的一凸条。
3.根据权利要求2所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，为该凸条的该凸出结构为一两端具有通孔的中空结构，并在其中形成一第二散热通道，该第二散热通道与该第一散热通道是相间地设置。
4.根据权利要求3所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，为该凸条的该凸出结构的所述支撑部具有至少一贯穿孔，该贯穿孔连通该第一散热通道与该第二散热通道。
5.根据权利要求2所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，为该凸条的该凸出结构的该支撑部是平滑的或呈起伏状。
6.根据权利要求2所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，该导电片体具有一连接面，所述多个凸出结构连接该连接面，且为该凸条的该凸出结构在垂直该连接面上的剖面图案呈倒U形、倒V形、梯形或圆弧形。
7.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，该导电片体具有一宽度方向以及连接该两电性连接端的一上长边及一下长边，该宽度方向横跨该上长边与该下长边，至少部分所述凸出结构在该宽度方向上是互相分离的。
8.根据权利要求7所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，在该宽度方向上互相分离的所述凸出结构的至少一者为一两端具有通孔的中空结构，并在其中形成一第二散热通道，该第二散热通道与该第一散热通道是相间地设置。
9.根据权利要求7所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，在该宽度方向上互相分离的所述凸出结构的相邻两者在该宽度方向上是对齐或错位的。
10.根据权利要求7所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，在该宽度方向上互相分离的所述凸出结构的至少一者为一矩形凸台、一菱形凸台、一圆形凸台、一椭圆形凸台或一三角形凸台。
11.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，还包含至少一垫块，所述多个凸出结构的至少一者为一中空结构，且该垫块是设置于所述多个凸出结构的至少该者中。
12.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，该导电片体具有一连接面，所述多个凸出结构连接该连接面，其中所述多个凸出结构的至少一者在垂直该连接面上的剖面图案与所述多个凸出结构的另一者在垂直该连接面上的剖面图案不同。
13.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，所述多个凸出结构是等距地排列。
14.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，所述多个凸出结构是不等距地排列。
15.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，所述多个凸出结构仅设置于该导电片体的局部区域。
16.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，该导电片体与所述多个凸出结构是一体成型的。
17.根据权利要求1所述的用于电磁组件的导电结构，其特征在于，该导电片体与所述凸出结构的材质为铜、铝、铜合金或铝合金。
18.一种电磁组件，其特征在于，包含: 一绕组,包含至少一如权利要求1至17中任一项权利要求所述的导电结构。
19.根据权利要求18所述的电磁组件，其特征在于，还包含一绝缘结构，该导电结构与该绝缘结构是共同卷绕的，且该绝缘结构接触该导电结构并与该导电结构同轴。
20.根据权利要求18所述的电磁组件，其特征在于，还包含至少一分流结构，该导电结构与该分流结构是共同卷绕的，且该分流结构接触该导电结构并与该导电结构同轴，该分流结构为导体。
21.根据权利要求18所述的电磁组件，其特征在于，还包含: 一磁芯，且该绕组环绕该磁芯。
22.—种电磁组件，其特征在于，包含: 一绝缘结构；以及 两导电层，其中该绝缘结构是夹设于所述两导电层之间，所述两导电层的至少一者为一如权利要求1至17中任一项权利要求所述的导电结构。
【专利摘要】本发明揭露一种用于电磁组件的导电结构及电磁组件。用于电磁组件的导电结构可包含一导电片体以及多个凸出结构。导电片体具有两电性连接端。凸出结构是排列于两电性连接端之间。凸出结构包含一支撑部，支撑部与导电片体相接。凸出结构的相邻两者之间形成一第一散热通道。
【IPC分类】H01F27-29, H01F27-32, H01F27-08
【公开号】CN104575981
【申请号】CN201310522211
【发明人】刘腾, 仝爱星
【申请人】台达电子企业管理（上海）有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月29日
【公告号】US20150116063