-二苯基[f，h]唾喔晰）（己醜丙丽）合镶（Ir(MDQ)2(acac))、二（1-苯基异唾晰）（己醜 丙丽）合镶（Ir(piq)2(acac))、己醜丙丽酸二（2-苯基化巧）镶（Ir(ppy)2(acac) )、H(1-苯 基-异唾晰）合镶（Ir (piq)3)或H(2-苯基化巧）合镶（Ir (ppy)3)。
[0029] 发光主体为4,4'-二巧-巧哇）联苯（CBP)、8-羟基唾晰铅（Alq3)、l，3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或N，N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基）-1，1'-联 苯-4,4'-二胺）（NPB)。
[0030] 优选地，磯光材料与发光主体的质量比为5 ; 100~30:100。
[0031] 优选地，发光层的厚度为5皿~30皿。
[0032] 电子传输层形成于发光层的表面。电子传输层的材料为8-羟基唾晰铅（Alq3)、 4, 7-二苯基-邻菲咯晰炬地en)、1，3, 5- H (1-苯基-IH-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或 2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲炬CP)。电子传输层的厚度为20皿~60皿。
[0033] 电荷生成层50包括n型层52及P型层54。n型层52及P型层54自靠近阳极层 12的方向至远离阳极层12的方向依次层叠设置。n型层52包括有机惨杂层521及层叠于 有机惨杂层521的表面的无机层523。
[0034] 有机惨杂层521的材料包括主体材料及惨杂在主体材料中的惨杂剂。主体材料为 8-羟基唾晰铅（Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯晰炬地en)、l，3,5-Ha-苯基-lH-苯并咪 哇-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲炬CP)。惨杂剂为碳酸 裡（LisCOs)、叠氮化裡（LiNs)、叠氮化飽（CsNs)或碳酸飽（CS2CO3)。惨杂剂与主体材料的质 量比为5:100~30:100。有机惨杂层521的厚度为5皿~10皿。
[00巧]无机层523的材料为氧化锋（ZnO)、二氧化铺（Ce化）或二氧化锡（Sn化）。无机层 523的厚度为2nm~8nm。
[0036] P型层54层叠于无机层523的表面。P型层54的材料为2, 3, 6, 7, 10, 11-六氯 基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮杂H亚苯（HAT-CN)。P型层54的厚度为5nm~20nm。
[0037] 阴极70材料为银（Ag)、铅（A1)、镇-铅（Mg-Al)合金或镇-银（Mg-Ag)合金。
[003引优选的，阴极70的厚度为70nm~200nm。
[0039] 上述有机电致发光器件100,在两个有机电致发光单元30之间设置由n型层 和P型层构成的电荷生成层50,能够提高电荷分离和传输的效率，从而降低整个有机 电致发光器件的驱动电流，在同等驱动电流作用下，发光效率更高；P型层54的材料为 2, 3, 6, 7, 10, 11-六氯基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮杂H亚苯，能够使空穴向空穴传输层的注入 克服的界面势垒降低，在n型层52的有机惨杂层521及P型层54之间设置无机层523,无 机层523能起到电荷分离的效果，还能阻止n型层52的有机惨杂层521中的惨杂剂向P型 层54扩散，使得电荷分离的效果更好，进一步提高有机电致发光器件的发光效率。
[0040] 需要说明的是，有机电致发光器件100中，有机电致发光单元30的数量不限于为 两个，也可为多个，此时，多个有机电致发光单元依次层叠设置于导电阳极基底10的阳极 层14及阴极70之间，对应的在相邻的两个有机电致发光单元30之间设置一个电荷生成层 50即可，使每一个电荷生成层50中的n型层52邻近阳极层14设置，P型层54邻近阴极70 设置。同时，需要强调的是，两个或多个有机电致发光单元中的各层的材料可W相同也可W 不同。
[0041] 当然，有机电致发光单元30不限于仅仅包括空穴传输层、发光层及电子传输层， 还可根据需要设置其他功能层。
[0042] 请同时参阅图2, 一实施方式的有机电致发光器件100的制备方法，其包括W下步 骤：
[0043] 步骤S110、采用蒸锻技术，在导电阳极基底10的阳极层14表面制备两个有机电致 发光单元30及设置于两个有机电致发光单元30之间的电荷生成层50。
[0044] 导电阳极基底10包括透光基板12及制备在透光基板12上的阳极层14。优选的， 透光基板12为玻璃。阳极层14的材料为钢锡氧化物（IT0)。阳极层14的方块电阻为5~ lOOQ/sq。
[0045] 优选的，在导电阳极基底10使用之前，还包括对导电阳极基底10进行清洗的步 骤。清洗的步骤为；将导电阳极基底依次采用洗洁精、去离子水、丙丽、己醇及异丙醇超声清 洗，然后干燥，去除阳极层表面的有机污染物。
[0046] 每一个有机电致发光单元30包括自靠近阳极层14的方向至远离阳极层14的方 向依次层叠的空穴传输层、发光层及电子传输层。
[0047] 空穴传输层的材料为N，N' -二苯基-N，N' -二（1-蔡基）-1，1' -联苯-4, 4' -二 胺（NPB)、4, 4'，4' ' - H (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）H苯胺（m-MTDATA)、N，N' -二苯 基-N，N'-二（3-甲基苯基）-l，r-联苯-4,4'-二胺（TPD)或N，N，N'，N'-四甲氧基苯 基）-对二氨基联苯（MeO-TPD)。空穴传输层的厚度为20皿~80皿。
[0048] 空穴传输层采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 1(T中a下进行，蒸 发速度为0.1 nm/s~Inm/so
[0049] 发光层形成于空穴传输层的表面。发光层的材料为磯光材料与发光主体的混合物 或英光材料。
[0050] 英光材料为4-(二膳甲基）-2-下基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢巧-9-己帰 基）-4H-化喃（DCJTB)、二甲基唾吓巧丽（DMQA)、5,6, 11，12-四苯基蔡并蔡（Rubrene)、 2, 3, 6, 7-四氨-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，llH-10-(2-苯并喔哇基）-唾嗦并化9A，1細] 香豆素（C545T)、4, 4'-二化 2-二苯己帰基）-1，1'-联苯（DPVBi )、4, 4'-双[4-(二对甲 苯基氨基）苯己帰基]联苯值PAVBi)或4, 4'-双巧-己基-3-巧哇己帰基）-1，1'-联苯 炬CzVBi)。
[0051] 磯光材料为双（4, 6-二氣苯基化巧-N，C2)化巧甲醜合镶（FI巧ic)、双（4, 6-二氣 苯基化巧）-四（1-化哇基）测酸合镶（Fire)、双（4, 6-二氣-5-氯基苯基化巧-N，C2)化巧 甲酸合镶（FCNIrpic)、二（2'，4'-二氣苯基）化巧](四哇化巧）合镶（FIrN4)、二（2-甲 基-二苯基[f，h]唾喔晰）（己醜丙丽）合镶（Ir(MDQ)2(acac))、二（1-苯基异唾晰）（己醜 丙丽）合镶（Ir(piq)2(acac))、己醜丙丽酸二（2-苯基化巧）镶（Ir(ppy)2(acac) )、H(1-苯 基-异唾晰）合镶（Ir (piq)3)或H(2-苯基化巧）合镶（Ir (ppy)3)。
[005引发光主体为4,4'-二巧-巧哇）联苯（CBP)、8-羟基唾晰铅（Alq3)、l，3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或N，N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基）-1，1'-联 苯-4,4'-二胺）（NPB)。
[0053] 优选地，磯光材料与发光主体的质量比为5 ; 100~30:100。
[0054] 优选地，发光层的厚度为5皿~30皿。
[00巧]发光层采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1〇-5~1 X 1〇-中a下进行，英光材 料的蒸发速度为0.1 nm/s~Inm/s，磯光材料的蒸发速度为0.0 lnm/s~0. 2nm/s，发光主体 的蒸发速度为0.1 nm/s~Inm/so
[0056] 电子传输层形成于发光层的表面。电子传输层的材料为8-羟基唾晰铅（Alq3)、 4, 7-二苯基-邻菲咯晰炬地en)、1，3, 5- H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)或 2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲炬CP)。电子传输层的厚度为10皿~20皿。
[0057] 电子传输层采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 1(T中a下进行，蒸 发速度为0.1 nm/s~Inm/so
[0058] 电荷生成层50包括n型层52及P型层54。n型层52及P型层54自靠近阳极层 12的方向至远离阳极层12的方向依次层叠设置。n型层52包括有机惨杂层521及层叠于 有机惨杂层521的表面的无机层523。
[0059] 有机惨杂层521的材料包括主体材料及惨杂在主体材料中的惨杂剂。主体材料为 8-羟基唾晰铅（Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯晰炬地en)、l，3,5-Ha-苯基-lH-苯并咪 哇-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲炬CP)。惨杂剂为碳酸 裡（LisCOs)、叠氮化裡（LiNs)、叠氮化飽（CsNs)或碳酸飽（CS2CO3)。惨杂剂与主体材料的质 量比为5:100~30:100。有机惨杂层521的厚度为5皿~10皿。
[0060] 无机层523的材料为氧化锋（ZnO)、二氧化铺（Ce化）或二氧化锡（Sn化）。无机层 523的厚度为2nm~8nm。
[0061] P型层54层叠于无机层523的表面。P型层54的材料为2, 3, 6, 7, 10, 11-六氯 基-1，4, 5, 8, 9, 12-六氮杂H亚苯（HAT-CN)。P型层54的厚度为5nm~20nm。
[006引 n型层52的有机惨杂层521采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为IX 1(T5~ 1 X 10-中a下进行，其蒸发速度为0.0 lnm/s~0. 5nm/s0
[0063] n型层52的无机层523采用电子束蒸锻制备，蒸锻在真空压力为