IX 1(T5~ 1 X 1〇-中a下进行，蒸发速度为0.0 lnm/s~0. 5nm/s〇
[0064] P型层54采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为1 X 1(T5~1 X 1(T中a下进行，蒸 发速度为 0.0 lnm/s ~0. 5nm/s〇
[0065] 步骤S120、在远离阳极层14表面的有机电致发光单元30表面制备阴极70。
[0066] 阴极70形成于远离阳极层14表面的有机电致发光单元30的电子传输层的表面。 阴极70材料为银（Ag)、铅（A1)、镇-铅（Mg-Al)合金或镇-银（Mg-Ag)合金。
[0067] 优选的，阴极70的厚度为70nm~200nm。
[006引阴极70采用真空蒸锻制备，蒸锻在真空压力为IX 1(T5~IX 1(T中a下进行，蒸发 速度为 0? Inm/s ~Inm/s。
[0069] 上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单，制备的有机电致发光器件的发光效 率较高。
[0070] 需要说明的是，有机电致发光器件100中，有机电致发光单元30的数量不限于为 两个，也可为多个，此时，多个有机电致发光单元依次层叠设置于导电阳极基底10的阳极 层14及阴极70之间，对应的在相邻的两个有机电致发光单元30之间设置一个电荷生成层 50即可，使每一个电荷生成层50中的n型层52邻近阳极层14设置，P型层54邻近阴极70 设置。
[0071] 当然，有机电致发光单元30不限于仅仅包括空穴传输层、发光层及电子传输层， 还可根据需要设置其他功能层。
[0072] W下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说 明。
[0073] 本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空锻膜系统(沈阳科 学仪器研制中也有限公司），美国海洋光学Ocean化tics的USB4000光纤光谱仪测试电 致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的 CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0074] 实施例1
[00巧]本实施例制备的结构为IT0玻璃/NPB/NPB ; Ir (MD曲2 (acac) /化hen/Li2C〇3 : 化hen/aiO/HAT-CN/m-MTDATA/CBP ;FIr6/B地en/Mg-Al的有机电致发光器件。其中，斜杆 表示层状结构，冒号"："表示惨杂，下同。
[0076] 本实施例的有机电致发光器件的制备包括W下步骤：
[0077] 提供导电基板作为阳极，并清洗干净，为IT0导电玻璃，方块电阻为5Q/ 0。
[007引在真空度为1 X 10-中a的真空锻膜系统中，在IT0导电薄膜表面制备空穴传输层， 材质为NPB，厚度为20皿，NPB的蒸发速度为0.1 nm/so
[0079] 在真空度为1X10^化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，材质包括NPB W及惨杂在NPB中的Ir (MD曲2 (acac)，Ir (MD曲2 (acac)与NPB 的质量比为10:100，发光层的厚度为30皿。其中11'曲0曲2(3〇3(3)的蒸发速度为0.111111/3， NPB的蒸发速度为Inm/so
[0080] 在真空度为IX 10-5pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为化hen,厚度为10皿，蒸发速度为0.1 nm/s。
[0081] 在真空度为1X10-中a的真空锻膜系统中，采用真空蒸发技术在电子传输层上 制备有机惨杂层，材质包括LisCA及惨杂在LisCA中的化hen,其中LisCA的蒸发速度为 0.0 lnm/s，化hen的蒸发速度为0. 2nm/s，形成的有机惨杂层中，LigCA与化hen的质量比为 5:100,有机惨杂层的厚度为5nm。
[0082] 然后在该有机惨杂层上用电子束蒸发制备无机层；材质为氧化锋（ZnO)，厚度为 2皿，蒸发速度为0.0 lnm/so
[0083] 在真空度为IX 10-中a的真空锻膜系统中，采用真空蒸发技术在无机层上制备P 型层，材质为HAT-CN，厚度为5nm，蒸发速度为0.0 lnm/s。
[0084] 在真空度为IX 10-中a的真空锻膜系统中，在P型层表面制备空穴传输层，材料为 m-MTDATA，厚度为40nm，其中m-MTDATA的蒸发速度为0. 5nm/s。
[0085] 在真空度为IX 10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，材质包括CBP W及惨杂在CBP中的FIr6,发光层的厚度为20皿。其中Fbpic 与CBP的质量比为15:100, FIr6的蒸发速度为0. 15nm/s，CBP的蒸发速度为Inm/s。
[0086] 在真空度为IX 10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为化hen,厚度为30皿，蒸发速度为0. 5nm/s。
[0087] 在真空度为IX 10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在电子传输层上制 备阴极，阴极材料为Mg-Al合金，厚度为lOOnm，蒸发速度为Inm/s。
[008引 实施例2
[0089] 本实施例制备的结构为 IT0 玻璃 /MeO-TPD/DCJTB ;Alq3/TPBi/Cs2C〇3 ;TPBi/Sn〇2/ HAT-CN/MeO-TPD/DPVB i /TPB i /A1 的有机电致发光器件。
[0090] 本实施例的有机电致发光器件的制备包括W下步骤：
[0091] 提供导电基板作为阳极，并清洗干净，为IT0导电玻璃，方块电阻为100 Q /□。
[0092] 在真空度为1X10-3化的真空锻膜系统中，在IT0薄膜表面制备空穴传输层，材料 为MeO-TPD，厚度为80nm，MeO-TPD的蒸发速度为Inm/s。
[0093] 在真空度为IX 10-3pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，发光层的材料为DCJTB和Alq3的混合物，DCJTB与Alq3的质量比为5:100， DCJTB的蒸锻速率为0. 05nm/s，Alq3的蒸锻速率为0. 2nm/s，蒸锻厚度为5nm ;
[0094] 在真空度为IX 10-3pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为TPBi，厚度为20nm，蒸发速度为Inm/s。
[0095] 在真空度为IX 10-3Pa的真空锻膜系统中，采用真空蒸发技术在电子传输层上制 备有机惨杂层，材质为CS2CO3惨杂的TPBi，其中CS2CO3的蒸发速度为0. lnm/s，TPBi的蒸发 速度为0. 3nm/s，形成的有机惨杂层中，CS2CO3与TPBi的质量比为30:100,该有机惨杂层的 厚度为lOnm。
[0096] 在真空度为IX 10-中a的真空锻膜系统中，采用电子束蒸发技术在有机惨杂层上 制备无机层，材质为二氧化锡（Sn化），厚度为8nm，蒸发速度为0. 5nm/s。
[0097] 在真空度为1 X 10-中a的真空锻膜系统中，采用电子束蒸发技术在无机层上制备P 型层，材质为HAT-CN，厚度为20nm，蒸发速度为Inm/s。
[0098] 在真空度为IX 10-3pa的真空锻膜系统中，在P型层表面制备空穴传输层，材料为 MeO-TPD，厚度为80nm，MeO-TPD的蒸发速度为Inm/s。
[0099] 在真空度为1X10^3化的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，发光层材质为DPVBi，DPVBi的蒸锻速率为0. 05nm/s，蒸锻厚度为5nm ;
[0100] 在真空度为lX10-3pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为TPBi,厚度为60nm，蒸发速度为Inm/s。
[0101] 在真空度为1X1(T中a的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层上制备阴 极，材质为A1，厚度为200皿，蒸发速度为0. 2nm/s〇
[0102] 实施例3
[0103] 本实施例制备的结构为 IT0 玻璃 /TPD/CBP ;Fbpic/BCP/LiN3 ;BCP/Ce〇2/HAT-CN/ NPB/NPB ;Ir(MD曲2(acac)/B地en/Ag的有机电致发光器件。
[0104] 本实施例的有机电致发光器件的制备包括W下步骤：
[010引提供导电基板作为阳极，并清洗干净，为IT0导电玻璃，方块电阻为50 Q /□。
[0106] 在真空度为IX 10-中a的真空锻膜系统中，在IT0薄膜表面制备空穴传输层，材料 为TPD，厚度为50皿，TPD的蒸发速度为Inm/so
[0107] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在空穴传输层表面 制备发光层，材质为CBP W及惨杂在CBP中的FI巧ic，发光层的厚度为15皿。其中Fbpic 与CBP的质量比为15:100, FI巧ic的蒸发速度为0. 15nm/s，CBP的蒸发速度为Inm/s。
[010引在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用热阻蒸发技术在发光层表面制备 电子传输层，材质为BCP，厚度为15皿，蒸发速度为0. 5nm/s。
[0109] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用真空蒸发技术在电子传输层上制 备有机惨杂层，材质为LiNs惨杂的BCP，其中LiNs的蒸发速度为0.1 nm/s，BCP的蒸发速度 为0. 5nm/s，形成的有机惨杂层中，LiNs与BCP的质量比为20:100,该有机惨杂层的厚度为 8nm〇
[0110] 在真空度为lX10-4Pa的真空锻膜系统中，采用电子束蒸发技术在有机惨杂层上 制备无机层，材质为二氧化铺（Ce化），厚度为4nm，蒸发速度为0. 2nm/s。
[0111] 在真空度为1 X 10-中a的真空锻膜系统中，采用电子束蒸发技术在无机层上制备P 型层，材质为HAT-CN，厚度为15皿，蒸发速度为0. 2nm/s。
[0112] 在真空度为