啉铝(Alq3)中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm?40nm,优选为9nm。
[0028]电子传输层50形成于发光层40的表面。电子传输层50的材料选自4，7_ 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种，优选为Bphen。电子传输层50的厚度为40nm?250nm,优选为135nm。
[0029]如图2所不，电子注入层60形成于电子传输层50表面。电子注入层60由三兀掺杂层601和镁的化合物掺杂层602组成，所述三元掺杂层601材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜(CuPc )、酞菁锌(ZnPc )、酞菁镁(MgPc )及酞菁f凡(VPc )中至少一种,所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钥(Mo03)。还可采用三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中至少一种，所述双极性有机传输材料选自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1, 3，5-三嗪(TRZ4)，2，6- 二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)^|^^(2，6Dczppy)，3’，3’’- (4-(萘-1-基)-4H-1, 2，4-三唑-3，5-二基)双(N, N-二(联苯基)-4-氨)(p-TPAm-NTAZ)，2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1, 3，4-噁二唑(CzOXD)中至少一种，所述镁的化合物掺杂层602包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的化合物材料选自硫化镁(MgS)、氧化镁(MgO)及氯化镁(MgCl2)中至少一种,所述金属材料功函数为-4.0eV ?-5.5eV0
[0030]所述三元掺杂层601中所述酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料的质量比为(4?15): (3?5):1，所述镁的化合物掺杂层602中所述镁的化合物材料与金属材料的质量比为0.1:1?0.3:1。
[0031]所述三元掺杂层601厚度为20nm?80nm，所述镁的化合物掺杂层602厚度为20nm ?50nmo
[0032]所述金属材料选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)及金(Au)中至少一种。
[0033]阴极70形成于电子注入层60表面。阴极层70材料为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au),优选Ag,厚度为80nm?250nm,优选厚度为120nm。
[0034]上述有机电致发光器件100通过制备多层结构的电子注入层结构示意图，该电子注入层结构层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，酞菁类金属化合物材料容易结晶，结晶后链段排列比较有序，对光有较强的散射作用，可提高光的散射效应，双极性金属氧化物材料可提高电子的注入能力，降低注入势垒，双极性有机传输材料具有传输空穴与传输电子的作用，可提高电子的传输速率，降低与相邻层之间的电子注入势垒，提高其电子注入效率，并且具有较低的HOMO能级，可阻止空穴穿越到阴极而造成空穴淬灭，镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和具有高功函数的金属材料组成，镁的化合物材料可对光进行散射，成膜后对光也有反射作用，使光反射后从底部出射，提高出光效率，高功函数的金属材料与阴极金属的功函接近，可降低镁的化合物掺杂层与阴极之间的电子注入势垒，提闻电子注入效率从而提闻发光效率。
[0035]可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
[0036]一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤:
[0037]步骤S110、在阳极10表面依次形成空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50及电子注入层60。
[0038]阳极10为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、掺氟的氧化锡玻璃(FT0)，掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(ΙΖ0)，优选为ΙΤ0，阳极10的厚度为50nm?300nm，优选为140nmo
[0039]本实施方式中，在阳极10表面形成空穴注入层20之前先对阳极10进行前处理，前处理包括:将阳极10进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极10表面的有机污染物。采用磁控溅射的方式制备阳极，工艺具体为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/S，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为lW/cm2?40W/cm2。
[0040]空穴注入层20形成于阳极10的表面。空穴注入层20由蒸镀制备。空穴注入层20的材料选自三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为Mo03。空穴注入层20的厚度为20nm?80nm，优选为28nm。蒸镀在真空压力为5X 10_3?2X ICT4Pa下进行,蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s。
[0041]空穴传输层30形成于空穴注入层20的表面。空穴缓冲层30由蒸镀制备。空穴传输层30的材料选自1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层30的厚度为20nm?60nm，优选为32nm。蒸镀在真空压力为5X 1(Γ3?2Χ KT4Pa下进行,蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s。
[0042]发光层40形成于空穴传输层30的表面。发光层40由蒸镀制备。发光层40的材料选自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-联苯(BCzVBi)及八羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为0.5nm?40nm，优选为9nm。蒸镀在真空压力为5X 1(Γ3?2Χ KT4Pa下进行,蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/S。
[0043]电子传输层50形成于发光层40的表面。电子传输层50的材料选自4，7_ 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种，优选为Bphen。电子传输层50的厚度为40nm?250nm,优选为135nm。蒸镀在真空压力为5X ICT3?2X ICT4Pa下进行，蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s。
[0044]步骤S120、电子注入层60形成于电子传输层50表面。电子注入层60由三兀掺杂层601和镁的化合物掺杂层602组成,所述电子注入层的制备方式为:在电子传输层表面通过热阻蒸镀的方法制备三元掺杂层，三元掺杂层601材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁镁(MgPc)及酞菁f凡(VPc)中至少一种,所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钥(Mo03)。还可采用三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中至少一种，所述双极性有机传输材料选自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)_1，3，5-三嗪(TRZ4)，2，6- 二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶(2，6Dczppy), 3，，3，，- (4-(萘-1-基)_4H_1，2，4-三唑-3，5- 二基)双(N, N-二 (联苯基)-4-氨)(p-TPAm-NTAZ)，2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)_9H_ 咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑(CzOXD)中至少一种，然后在所述三元掺杂层601表面通过热阻蒸镀方式制备镁的化合物掺杂层602，所述镁的化合物掺杂层602包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的