有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0003]传统的有机电致发光器件的电子注入层一般采用氟化锂，但是由于氟化锂熔点过高，蒸镀时必须采用较大电流来蒸镀，而有机蒸镀室的蒸镀室温度过高，会使其他有机功能层受到破坏，并且氟化锂的成膜性较差，容易形成电子缺陷，造成电子的淬灭，降低了电子和空穴的复合几率。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
[0005]—种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钥，三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述双极性有机传输材料选自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1，3，5-三嗪，2，6-二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶，3’，3’ ’ - (4-(萘-1-基)-4Η-1，2，4-三唑-3，5- 二基)双(N，N- 二 (联苯基)-4_氨)及2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑中至少一种，所述镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的化合物材料选自硫化镁、氧化镁及氯化镁中至少一种，所述金属材料功函数为-4.0eV?-5.5eV0
[0006]所述三元掺杂层中所述酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料的质量比为(4?15): (3?5):1，所述镁的化合物掺杂层中所述镁的化合物材料与金属材料的质量比为0.1:1?0.3:1。
[0007]所述三元掺杂层厚度为20nm?80nm,所述镁的化合物掺杂层厚度为20nm?50nmo
[0008]所述金属材料选自银、铝、钼及金中至少一种。
[0009]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0010]通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层；
[0011]然后在电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述电子注入层的制备方式为:在电子传输层表面通过热阻蒸镀的方法制备三元掺杂层，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钥，三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述双极性有机传输材料选自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1, 3，5-三嗪，2，6- 二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶，3’，3’ ’ - (4-(萘-1-基)-4H-1, 2，4-三唑-3，5- 二基)双(N，N-二 (联苯基)-4-氨)及2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4-噁二唑中至少一种，然后在所述三元掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备镁的化合物掺杂层，所述镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的化合物材料选自硫化镁、氧化镁及氯化镁中至少一种，所述金属材料功函数为-4.0eV?-5.5eV，及，
[0012]在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。
[0013]所述三元掺杂层中所述酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料的质量比为(4?15): (3?5):1，所述镁的化合物掺杂层中所述镁的化合物材料与金属材料的质量比为0.1:1?0.3:1。
[0014]所述三元掺杂层厚度为20nm?80nm,所述镁的化合物掺杂层厚度为20nm?50nmo
[0015]所述金属材料选自银、铝、钼及金中至少一种。
[0016]所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5X 10_5Pa，电流为IA?5A,有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?1nm/sο
[0017]所述磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0018]上述有机电致发光器件及其制备方法，通过制备电子注入层结构，该电子注入层结构层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，酞菁类金属化合物材料容易结晶，结晶后链段排列比较有序，对光有较强的散射作用，可提高光的散射效应，双极性金属氧化物材料可提高电子的注入能力，降低注入势鱼，双极性有机传输材料具有传输空穴与传输电子的作用，可提高电子的传输速率，降低与相邻层之间的电子注入势垒，提高其电子注入效率，并且具有较低的HOMO能级，可阻止空穴穿越到阴极而造成空穴淬灭，镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和具有高功函数的金属材料组成，镁的化合物材料可对光进行散射，成膜后对光也有反射作用，使光反射后从底部出射，提高出光效率，高功函数的金属材料与阴极金属的功函接近，可降低镁的化合物掺杂层与阴极之间的电子注入势垒，提高电子注入效率从而提高发光效率。
【附图说明】
[0019]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0020]图2为一实施方式的有机电致发光器件的电子注入层结构示意图；
[0021]图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0023]请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60及阴极70。
[0024]阳极10为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、掺氟的氧化锡玻璃(FT0)，掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(ΙΖ0)，优选为ΙΤ0，阳极10的厚度为50nm?300nm，优选为140nmo
[0025]空穴注入层20形成于阳极10表面。空穴注入层20的材料选自三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为Mo03。空穴注入层20的厚度为20nm ?80nm,优选为 28nm。
[0026]空穴传输层30形成于空穴注入层20的表面。空穴传输层30的材料选自1，1_ 二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层30的厚度为20nm?60nm，优选为32nm。
[0027]发光层40形成于空穴传输层30的表面。发光层40的材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -联苯(BCzVBi )及八羟基喹