MgCl2: Pt,MgCl2与Pt的质量比为0.3:1，厚度为50nm，蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为250nm。
[0070]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为5X 10_5Pa，电流为5A，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s ；
[0071]磁控溅射工艺条件:工作压强为2X 10_3Pa，蒸镀速率为lnm/s，磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为lW/cm2。
[0072]实施例4
[0073]本实施例制备的结构为IT0/V205/TAPC/ADN/TPBi/VPc: V2O5: p-TPAm-NTAZ/MgO:Au/Au的有机电致发光器件。
[0074]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为ITO，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为V2O5，厚度为SOnm ;蒸镀空穴传输层:材料为TAPC，厚度为60nm ;蒸镀发光层:所选材料为ADN，厚度为8nm ;蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为35nm ;电子注入层包括三元掺杂层和镁的化合物掺杂层，采用热阻蒸镀三元掺杂层，材料为VPc:V205:p-TPAm-NTAZ，VPc, V2O5与p-TPAm-NTAZ的质量比为12:4.5:1，厚度为50nm ;在所述三元掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备镁的化合物掺杂层，所述镁的化合物掺杂层材料为MgO:Au，MgO与Au的质量比为0.12:1，厚度为38nm，蒸镀阴极，材料为Au，厚度为lOOnm。
[0075]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_4Pa，电流为2A，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s。
[0076]磁控溅射工艺条件:工作压强为2 X 10_4Pa，蒸镀速率为6nm/s，磁控溅射的加速电压为600V，磁场为10G，功率密度为30W/cm2。
[0077]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钥，三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述双极性有机传输材料选自2，4，6-三(N-苯基-1 -萘氨基)_1，3，5-三嗪，2，6- 二(3_(9H_咔唑-9-基)苯)吡啶，3’，3’ ’ - (4-(萘-1-基)-4H-1, 2，4-三唑-3，5- 二基)双(N，N- 二 (联苯基)-4_氨)及2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑中至少一种，所述镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的化合物材料选自硫化镁、氧化镁及氯化镁中至少一种，所述金属材料功函数为-4.0eV?-5.5eV0
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述三元掺杂层中所述酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料的质量比为(4?15): (3?5):1，所述镁的化合物掺杂层中所述镁的化合物材料与金属材料的质量比为0.1:1 ?0.3:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述三元掺杂层厚度为20nm?80nm,所述镁的化合物掺杂层厚度为20nm?50nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属材料选自银、铝、钼及金中至少一种。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层; 然后在电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述电子注入层的制备方式为:在电子传输层表面通过热阻蒸镀的方法制备三元掺杂层，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钥，三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述双极性有机传输材料选自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)_1，3，5-三嗪，2，6- 二(3_(9H_咔唑-9-基)苯)吡啶，3’，3’’- (4-(萘-1-基)-4!1-1，2，4-三唑-3，5-二基)双(N，N-二(联苯基)-4-氨)及2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑中至少一种，然后在所述三元掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备镁的化合物掺杂层，所述镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的化合物材料选自硫化镁、氧化镁及氯化镁中至少一种，所述金属材料功函数为-4.0eV ?-5.5eV，及， 在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述三元掺杂层中所述酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料的质量比为(4?15): (3?5) 所述镁的化合物掺杂层中所述镁的化合物材料与金属材料的质量比为0.1:1?0.3:1。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述三元掺杂层厚度为20nm?80nm,所述镁的化合物掺杂层厚度为20nm?50nm。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述金属材料选自银、铝、钼及金中至少一种。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5X 10_5Pa，电流为IA?5A，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5X 10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为lW/cm2?40W/cm2。
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由三元掺杂层和镁的化合物掺杂层组成，所述三元掺杂层材料酞菁类金属化合物材料、双极性金属氧化物材料与双极性有机传输材料，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钼，三氧化钨及五氧化二钒中至少一种，所述镁的化合物掺杂层包括镁的化合物材料和掺杂在所述镁的化合物材料中的金属材料，所述镁的化合物材料选自硫化镁、氧化镁及氯化镁中至少一种。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51-52, H01L51-54, H01L51-56
【公开号】CN104659248
【申请号】CN201310585557
【发明人】周明杰, 黄辉, 陈吉星, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月19日